- •1. Что такое фотон?
- •2. Что такое фотоэффект?
- •3. Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта
- •4. Что такое красная граница фотоэффекта?
- •5. Что такое эффект Комптона?
- •17. Второе начало термодинамики. Статистическая и термодинамическая формулировки
- •3. Хим.Потенциал и его зависимость от температуры в металлах
- •4. Что такое энергия Ферми и ее физ.Смысл для электронов проводимости в металлах?
- •5. Теорема Блоха
- •6. Что такое эффективная масса?
- •7. Что такое дырка?
- •8. Что такое собственные полупроводники. Схема заполнения эн. Уровней
- •14. Явления сверхпроводимости и высокотемпературной сверхпроводимости
- •15. Температурная зависимость проводимости полупроводников
- •16. Обзорный график зависимости проводимости от t для мет. И п/п
- •17. Что такое внутренняя и внешняя контактная разность потенциалов?
- •18. В чем заключаются явления Зеебека и Пельтье?
- •19. Вольтамперная характеристика р-n перехода
- •24. Основные радиационные процессы в лазерах
- •25. Основные условия лазерной генерации
- •26. Что такое инверсная населенность? Способы создания инверсной населенности
- •27. Как осуществляется обратная связь в лазерах?
- •28. Принцип действия полупроводникового инжекционного лазера
- •29. Что такое внутренний фотоэффект?
- •30. Зависимость теплоемкости кристаллов от температуры
- •31. Что такое фононный газ?
14. Явления сверхпроводимости и высокотемпературной сверхпроводимости
Сверхпроводимость — резкое возрастание проводимости при низких температурах (порядка 1-10 К у чистых металлов).
Высокотемпературная сверхпроводимость — резкое возрастание проводимости при T ~ 100K (возникает у керамиков).
15. Температурная зависимость проводимости полупроводников
В полупроводниках носителями тока являются электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне проводимость полупроводников состоит из двух частей. Основная зависимость проводимости полупроводника от температуры определяется зависимостью концентрации электронов и дырок от температуры. Для собственного полупроводника:
— время релаксации.
—температура полупроводника.
— постоянная Больцмана.
— концентрации электронов и дырок.
— эффективная масса электронов и дырок.
16. Обзорный график зависимости проводимости от t для мет. И п/п
17. Что такое внутренняя и внешняя контактная разность потенциалов?
В области контакта появляются двойной слой зарядов типа заряженного конденсатора, эл. поле которого препятствует дальнейшему перетеканию электронов. Разность потенциалов этого заряженного слоя — внутренняя контактная разность.
Внешняя контактная разность - это разность потенциалов между точками на поверхности металлов, если электрон перескакивает через вакуум.
— химические потенциалы.
— работы выхода (работа чтобы вытащить с поверхности вещества).
18. В чем заключаются явления Зеебека и Пельтье?
Явление Зеебека: возникновение тока (термоЭДС) в замкнутой цепи при различной температуре спаев.
Явление Пельтье: если в замкнутой цепи образованной из двух металлов принудительно пустить ток, то в одном контакте происходит выделение, а в другом - поглощение тепла (обратное явление Зеебека).
19. Вольтамперная характеристика р-n перехода
Если полупроводники p и n соединить в прямом направлении (+p,-n), пойдёт большой ток (так как дырки перемещаются , а электроны ).
Если полупроводники p и n соединить в обратном направлении (-p,+n), ток почти не пойдёт (свободные носители уйдут в противоположенные стороны области контакта), то есть полупроводники будут представлять собой сопротивление.
— прямое напряжение.
— обратное напряжение.
20. Что такое МОП-конденсатор?
(Металл — окись — полупроводник)
МОП-конденсатор — это конденсатор, у которого одна обкладка - металл, а другая - полупроводник.
Под влиянием приложенного поля дырки уходят от границы диэлектрика, образуя слой отрицательных зарядов в полупроводнике (остовов атомов акцепторной примеси).
21. Почему МОП-конденсатор - нелинейный конденсатор?
Связь между напряжением, поданным на МОП-конденсатор, и зарядом – нелинейная, так как толщина заряженного слоя переменная:
— площадь пластин.
— заряд конденсатора.
— концентрация акцепторной примеси.
22. Что такое информационные электроны в МОП-конденсаторе?
Свет проникает со стороны фольги и поглощается в заряженном слое полупроводника за счёт внутреннего фотоэффекта. Электрон смещается из валентной зоны в зону проводимости, образуется пара электрон-дырка, они уходят к соответствующим сторонам полупроводника и могут оставаться там очень долго, количество электронов пропорционально световой дозе. Такие электроны называются информационными.
23. Принцип использования МОП-конденсаторов в считывающих устройствах
Свет проникает со стороны фольги и поглощается в заряженном слое полупроводника за счёт внутреннего фотоэффекта. Электрон смещается из валентной зоны в зону проводимости, образуется пара электрон-дырка, они уходят к соответствующим сторонам полупроводника и могут оставаться там очень долго, количество электронов пропорционально световой дозе (информационные).
Далее радиотехническими методами считается количество информационных электронов в каждом из МОП-конденсаторов.