55. Основные характеристики ттл со сложным инвертором.
Логика – Л+. 
Т1 выполняет функцию U.
Т2 и Т3 обеспечивают запас помехоустойчивости.
Диод D используется для запирания транзистора Т4, когда на выходе “0”.
Т3, Т4 – пара антагонистов. Они увеличивают быстродействие, когда Т3 закрыт и на выходе “1”. В этом случае выходное сопротивление определяется сопротивлением Т4.
А |
В |
Т1 |
Т2 |
Т3 |
Т4 |
|
выход |
0 |
0 |
б-э1 – отк б-э2 – отк |
закрыт |
закрыт |
открыт |
1 |
U = E-IR2-Uбэ4-UD > U0+Uл |
0 |
1 |
б-э1 – отк б-э2 – зак |
закрыт |
закрыт |
открыт |
1 |
U = E-IR2-Uбэ4-UD |
1 |
0 |
б-э1 – зак б-э2 – отк |
закрыт |
закрыт |
открыт |
1 |
U = E-IR2-Uбэ4-UD |
1 |
1 |
б-э1 – зак б-э2 – зак |
насыщен |
насыщен |
закрыт |
0 |
U = Uкэн = 0.1 0.2 В |
Достоинства:
малое время задержки - = 10 нс.
высокая нагрузочная способность n > 30 40
большой запас помехоустойчивости
Недостатки:
много компонентов
есть сопротивление
большая мощность
большая площадь
Передаточная характеристика.
Как видно из графика – передаточная характеристика неидеальная. Неидеальная передаточная характеристика может привести к нелогичной работе всего устройства.
56. Для математической модели схемы МЭСЛ с минимальным количеством вершин сгенерировать интегральную структуру, используя: эпитаксиально-планарную технологию; технологию локальной эпитаксии; 3-d технологию.
57. Разновидности схем ттл со сложным инвертором.
ТТЛ с диодом в базовой цепи Т4.
Перемещение диода из эмиттерной цепи Т4 в базовую повышает запас помехоустойчивости схемы вследствие увеличения напряжения логической единицы.
ТТЛ с ключом в базовой цепи выходного транзистора
К базе выходного транзистора Т3 подключен ключ – подсхема R5-T5-R3.
Ключ открывается вместе с транзисторами Т2 и Т3 тогда, когда напряжение на переходе база-эмиттер транзистора Т3 становится равным напряжению отпирания Uбэ3 (0,5-0,6В). И только тогда в транзисторе Т2 появится ток. Т.е. уровень единицы не будет изломан на участке А-2. В результате этого передаточная характеристика будет выпрямлена и станет практически идеальной.
ТТЛ с использованием пары Дарлингтона
Вместо транзистора Т4 (базовой схемы) и диода используются последовательно включенные n-p-n транзисторы Т4 и Т5, называемые парой Дарлингтона. Данная модификация используется в схемах, требующих большую нагрузочную способность ТТЛ.
ТТЛ с использованием медленного диода.
Так как диод включен параллельно переходу тр-ра Т2, на саму работу схемы это не влияет. Когда тр-р Т2 открывается, открывается медленный диод и они работают синхронно.
В тот момент времени, когда должен закрываться транзистор Т3, медленный диод еще открыт. В этот момент он работает как низкоомное сопротивление, и через него в управляющую схему заряд Q3 рассасывается быстрее.
ТТЛ с использованием двухэмиттерного транзистора Т2.
