- •1. Сравнительный анализ схемотехнических базисов эвм. Взаимосвязь логического, схемотехнического и конструкторского этапов проектирования.
- •3. Синтезировать принципиальную схему ттлш без резисторов, разработать структуру (математическую модель-дерево); сделать 3-х мерный вариант; описать работу полученного элемента.
- •4. Схемотехника моп-вентилей. Принципы синтеза.
- •5. Синтезировать модификации схем ттл с простым и сложным инверторами с низкоомным путем для рассасывания заряда q2.
- •- Нагрузочная способность
- •6. Сравнительный анализ схем инверторов на моп-транзисторах.
- •7. Определить минимальное значение напряжения питания для схемы ттл со сложным инвертором. 56 стр в лекциях?
- •8. Логический элемент и-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •9. Определить напряжение логической «1»схемы ттл с простым инвертором с открытым коллектором.
- •10. Логический элемент или-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •11. Рассчитать напряжение логической «1»схемы ттлш с простым инвертором.
- •12. Нарисовать модель фиэ размерностью 6 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •13. Схемотехника транзисторно-транзисторных элементов (ттл).
- •14. Существует ли кмоп логический вентиль с нечетным количеством транзисторов? Если существует, приведите пример. Опишите его работу.
- •15. Реализация функции и-или-не в ттл-схемотехнике.
- •16. Разработать математическую модель (граф) мэсл с минимальным количеством полупроводниковых областей (вершин графа).
- •17. (36) Схема ттл с тремя состояниями. Работа. Варианты использования.
- •18. Чем определяется напряжение питания в этих схемах, и зависит ли оно от входного вентиля (моп-вентили или-не и и-не)?
- •24. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы или, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.
- •26. Сравнить математические модели n-моп и кмоп инверторов. Синтезировать их трехмерные структуры.
- •25. Методика проектирования устройств эвм в базисе эсл. Привести примеры.
- •27. Методика проектирования устройств эвм в базисе и2л. Привести примеры.
- •28. Определить минимально возможное значение напряжение питания биполярного инвертора.
- •Статическая мощность логических элементов.
- •29. Методика проектирования устройств эвм в моп и кмоп схемотехниках. Привести примеры.
- •30. Синтезировать элемент с тремя состояниями в любой схемотехнике кроме ттл.
- •31. Схемотехника элементов эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Мэсл (маломощная эсл)
- •Увеличение быстродействия за счет уменьшения входного сопротивления
- •Реализацию дополнительной логической функции монтажное или (параллельное соединение эмиттерных повторителей)
- •32. Чем определяется напряжение питания моп-вентилей и-не? Как это влияет на другие технические параметры?
- •33. Варианты эсл. Режимы работы.
- •34. Чем хороша и чем плоха схема моп-инвертора, у которой затвор нагрузочного транзистора подсоединен к выходу схемы?
- •35. Схема источника опорного напряжения эсл-вентиля.
- •36. Синтезировать схему ттл с простым инвертором с тремя состояниями. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур. 17 вопр
- •37. Реализация сложных логических функций на моп-транзисторах. Привести примеры.
- •38. Синтезировать многобазовый транзистор и вентиль (или вентили) на его основе. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •39. Схемотехника кмоп-вентилей.
- •40. Спроектировать в базисе и2л 2-х разрядный сумматор с переносом в старший разряд.
- •41. Кмоп-инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •42. Синтезировать и проанализировать структуры инжекционного инвертора с общей выходной областью. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •43. Логический элемент и-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •44. Проанализировать различные структуры инжекционных инверторов.
- •45. Логический элемент или-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •46. Синтезировать структуру нстл с общими коллектором и эмиттером. Сайт
- •48. Нарисовать модель фиэ размерностью 8 с двумя циклами и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •49. Ттл с простым инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •50. Зависит ли мощность кмоп-вентиля от количества логических входов? Если зависит, то как?
- •52. Определить минимальное значение напряжения питания кмоп-вентилей и-не и или-не на 3 входа.
- •53.(55) Ттл со сложным инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •55. Основные характеристики ттл со сложным инвертором.
- •57. Разновидности схем ттл со сложным инвертором.
- •58. Синтезировать схему мэсл без резисторов. Описать ее работу и различные варианты интегральных структур.
- •59. Инжекционный инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •60. Нарисовать модель фиэ размерностью 7 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
7. Определить минимальное значение напряжения питания для схемы ттл со сложным инвертором. 56 стр в лекциях?
8. Логический элемент и-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
МОП вентиль И-НЕ.
А |
В |
Т1 |
Т2 |
Т3 |
Выход |
Условия |
|
0 |
0 |
закрыт |
закрыт |
открыт |
Е |
1 |
|
0 |
1 |
закрыт |
открыт по U закрыт по I |
открыт |
Е |
1 |
|
1 |
0 |
открыт |
закрыт |
открыт |
Е |
1 |
|
1 |
1 |
откр |
откр |
открыт |
ground |
0 |
G3 << (G1+G2) |
а) На оба входа подаются логические нули, на затворах транзисторов ~0 В по отношению к истоку, транзисторы Т1 и Т2 закрыты по управляющему напряжению. Транзистор Т3 открыт всегда. На выходе ~Е – логическая единица.
б)На входе А-логический ноль, канал у Т1 отсутствует, транзистор Т1 закрыт по напряжению. На входе В логическая единица, транзистор Т2 открыт по напряжению. В последовательной цепочке транзисторов между выходом и землей есть разрыв (отсутствие канала у Т1). На выходе ~Е – логическая единица.
в)На входе А-логическая единица, Т1 открыт, канал есть. На входе В – логический ноль, транзистор Т2 закрыт. На выходе Е – логическая единица.
г)На входах А и В – логические единицы. Каналы формируются у всех транзисторов логической части (между выходом и землей). Открыты все транзисторы. Для того чтобы обеспечить логический ноль на выходе, необходимо, чтобы G3<<(G1+G2)или(R1+R2)<<R3
9. Определить напряжение логической «1»схемы ттл с простым инвертором с открытым коллектором.
10. Логический элемент или-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
МОП вентиль ИЛИ-НЕ.
А |
В |
Т1 |
Т2 |
Т3 |
Выход |
Условия |
|
0 |
0 |
закрыт |
закрыт |
открыт |
Е |
1 |
|
0 |
1 |
закрыт |
открыт |
открыт |
~0 B |
0 |
Если R2 <<R3 |
1 |
0 |
открыт |
закрыт |
открыт |
~0 B |
0 |
R1 << R3 |
1 |
1 |
открыт |
открыт |
открыт |
~0 B |
0 |
R3 >> (R2 || R1) |
а) На входах – логические нули, каналов нет, Т1 и Т2 закрыты. Т3 всегда открыт, так как его затвор подключен к высокому положительному напряжению питания. В параллельной цепочке – два разрыва. На выходе ~Е – логическая единица.
б) На входе А – логический ноль, канала нет, Т1 закрыт по напряжению. На В-логическая единица, канал сформирован. В схеме возникает проводящая цепь от питания до земли, делитель напряжения. Чтобы реализовать схему или-не и в данном режиме получить на выходе логический ноль, нужно, чтобы R2<<R3. Тогда на выходе ~0 – логический ноль.
в) На входе А – логическая единица, канал у Т1 сформирован. На входе В-логический ноль, канала у Т2 нет, транзистор закрыт по напряжению. Аналогично второй строке таблицы возникает делитель напряжения. Чтобы реализовать схему или-не и в данном режиме получить на выходе логический ноль, нужно, чтобы R1<<R3.
г) На входы подаются логические единицы. Открыты все транзисторы. Для обеспечения на выходе напряжения логического нуля и реализации функции ИЛИ-не необходимо, чтобы выполнялось условие R1||R2<<R3.