- •Хід роботи
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні відомості.
- •I. Діелектричні матеріали
- •2. Поляризація діелектриків
- •3. Види поляризації діелектриків
- •4. Класифікація діелектриків по видах поляризації
- •5. Діелектричні втрати
- •6. Розрахунок потужності втрат і тангенса кута діелектричних втрат у діелектрику
- •7. Розподіл діелектриків по видах діелектричних втрат
- •Контрольні питання
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні відомості
- •I. Напівпровідникові матеріали
- •2. Параметри власних напівпровідників
- •3. Параметри домішкових напівпровідників
- •Завдання до лабораторної роботи
- •Теоретичні відомості
- •1. Провідникові матеріали
- •2. Вплив температури на питомий опір металів
- •3. Вплив домішки на питомий опір провідників
- •4. Класифікація провідникових матеріалів
- •Контрольні питання
- •Література
4. Класифікація діелектриків по видах поляризації
Особливості поляризації дозволяють розділити всі діелектрики на чотири групи.
I. Неполярні діелектрики, що мають тільки електронну поляризацію. У цю групу входять нейтральні й слабко полярні тверді речовини в кристалічному й амфотерному станах (парафін, фторопласт-4, полістирол, поліетилен і т.д. ), неполярні рідини (трансформаторне масло, конденсаторне масло) і гази (повітря, азот, водень).
2. Полярні діелектрики, що володіють електронною й дипольно-релаксаційною видами поляризації. У цю групу входять полярні рідкі діелектрики (масляно-каніфольні компаунди, епоксидні смоли) до органічні полярні діелектрики (папір, текстоліти, гетинакси, тканини, поліетилентерефталат і т.д. ).
3. Діелектрики із щільним упакуванням іонів - це тверді діелектрики, що володіють електронною й іонною поляризація ми. До них належать кварц, корунд, рутил, слюда.
4. Діелектрики з нещільним упакуванням іонів - діелектрики, що володіють електронною, іонною, електронно-релаксаційною й іонно-релаксаційною поляризацією. Це - порцеляна, скла, міканіти, мікалекси, кераміка й т.д.
5. Сегнетоелектрики - діелектрики, що володіють електронною, іонною, електронно-релаксаційною, іонно-релаксаційною і спонтанною поляризаціями: сегнетова сіль, метатитанат барію, сегнетокераміка й т.д. .
5. Діелектричні втрати
Діелектричними втратами називають електричну потужність, яка витрачається на нагрів діелектрика, що знаходиться в електричному полі.
У постійному полі, коли немає періодичної поляризації, діелектричні втрати обумовлені тільки струмом наскрізної провідності. В змінному електричному полі окрім струму наскрізної провідності існує і струм зміщення, що підвищує діелектричні втрати. Для характеристики втрат використовують поняття кута діелектричних втрат.
Кутом діелектричних втрат δ називають кут, який доповнює до 900 кут зрушення фаз φ між струмом та напругою у ємнісному ланцюзі.
6. Розрахунок потужності втрат і тангенса кута діелектричних втрат у діелектрику
Розглянемо схему заміщення реального діелектрика. Вона повинна бути вибраною з таким розрахунком, щоб активна потужність, що витрачається в схемі, дорівнювала потужності, що розсіюється в діелектрику конденсатора, а струм було усунуто відносно напруги на той же кут, що і у конденсаторі, який досліджуємо. Поставлену задачу може бути вирішено шляхом заміни конденсатора із втратами ідеальним конденсатором із послідовно увімкнутим активним опором (послідовна схема) чи ідеальним конденсатором, що є шунтованим активним опором (паралельна схема), (рис. 1.6). За теорією змінних струмів активна потужність
PA = U·I· cosφ (1.4)
Якщо виразити потужність для послідовної та паралельної схем через ємності СS, СP і кут δ, для послідовної схеми, використовуючи векторну діаграму, запишемо
tgδ = UA/UC = ω·CS·RS (1.5)
Використовуючи (1.4) та підставляючи замість I і cosφ відповідно значення із векторної діаграми, отримаємо:
Рис. 1.6. Паралельна та послідовна схеми заміщення діелектрика з
втратами та їх векторні діаграми
PA = I2·Rs = U2·Rs/Z2 = U2·Rs/[1/(ω·Cs)2 + Rs2] = U2·Rs·(ω·Cs)2/{[1/(ω·Cs)2 +
+Rs2] · (ω·Cs)2} = U2·ω·Cs·[tgδ/(1 + tg2δ)] (1.6)
Для паралельної схеми, використовуючи (1.4) та векторну діаграму, запишемо
tgδ = IA/IC = 1/ (ω·Cp·Rp) (1.7)
Активна потужність
PA = U2/Rp = U2·ω·Cp/(ω·Cp·Rp) = U2 ·ω·Cp· tgδ (1.8)
Зрівняємо (1.5) - (1.8) та знайдемо співвідношення між Ср і Сs , Rр і Rs
Cp = Cs/(1 + tg2δ) (1.9)
Rp = Rs· (1 + tg2δ) (1.10)
Для аналізу результату розглянемо два випадки.
1. tgδ << I, тоді з (1.9) одержимо, що CP = CS , а з (1.10) - RP = RS (tg2δ )-1.
Рівність ємностей свідчить про те, що для якісних діелектриків tgδ повинен бути набагато менше одиниці.
2. tgδ >> I, тоді RP = RS, CP = CS (tg2δ)-1. Факт, що CP CS, показує: значення ємності, а виходить, і діелектричної проникності залежить від вибору схеми заміщення, що для діелектриків несправедливо.
Дійсно, із векторних діаграм виходить, що
tgδ = ІА / Ic – для паралельної схеми заміщення.
tgδ = UA / Uc – для послідовної схеми заміщення.
Але у першому випадку спільним для ємності та резистора е напруга, а у другому – струм. Помножуючи чисельник та знаменник відповідно на струм та напругу, маємо tgδ = PA/Pc. У цьому полягає фізичний сенс тангенса кута діелектричних втрат.
Оскільки активна потужність витрачається на нагрів діелектрика, а реактивна – на поляризацію, тоді РА << Pc, тобто для якісного діелектрика tgδ << 1.