- •21. Явление ударной ионизации. Лавинный пробой р-п перехода
- •22. Инерционные свойства р-п перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.
- •23. Диффузионная емкость р-п перехода. Эквивалентные схемы идеализированного и реального р-п переходов
- •24. Полупроводниковые диоды, классификация, система обозначений. Выпрямительные низкочастотные диоды, параметры, особенности германиевых и кремниевых диодов. Температурные диапазоны работы
- •25. Импульсные диоды. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе. Этап установления прямого напряжения.
- •56.Однофазная мостовая схема выпрямителей при работе на активную нагрузку. Схема, принцип действия, графики токов и напряжений. Основные соотношения для токов и напряжений.
- •57.Трехфазная система выпрямителя с нулевым выводом при работе на активную нагрузку. Схема принцип действия, графики токов и напряжений. Основные соотношения для токов и напряжений.
- •58. Трехфазная мостовая схема мостовая схема выпрямителя при работе на активную нагрузку.
- •60. Однофазная мостовая схема выпрямителя при работе на активно-индуктивную нагрузку
- •12. Классификация р-п-переходов. Структура электронно-дырочного перехода. Область пространственного заряда. Эмиттер и база в р-п переходе. Классификация р-п-переходов
- •Структура электронно-дырочного перехода
- •Эмиттер и база в р-п переходе
- •11. Электропроводность полупроводников. Температурная зависимость подвижности носителей. Температурная зависимость удельной проводимости Электропроводность полупроводников
- •Температурная зависимости подвижности носителей
- •13. Зонная структура р-п-перехода, потенциальный барьер. Зонная структура
- •15.Прямое и обратное включение р-п перехода. Зонная диаграмма при прямом смещении. Прямое и обратное включение p-n перехода
- •Зонная диаграмма при прямом смещении.
- •Вольт-амперные характеристики (вах)
- •42. Направления развития силовой электроники. Силовые электрические вентили, требования к ним, классификация.
- •45. Принцип действия динисторов, вольт-амперная характеристика.
- •43. Силовые полупроводниковые диоды, основные параметры и характеристики выпрямительных диодов
- •Основные параметры выпрямительных диодов
- •44. Силовые вентили с неполным управлением. Типы тиристоров. Основные параметры. Условные обозначения.
- •Виды тиристоров и их особые свойства
- •Основные параметры тиристоров
- •65)Эквивалентная схема однофазного двухполупериодного управляемого выпрямителя со средней точкой:
- •61) Двухполупериодная мостовая вентильная схема с противо-эдс
Вольт-амперные характеристики (вах)
ВАХ полевого транзистора с изолированным затвором похожи на ВАХ полевого транзистора с управляющим PN-переходом. Как видно на графике а), вначале ток Iси растет прямо пропорционально росту напряжения Uси. Этот участок называют омическая область (действует закон Ома), или область насыщения (канал транзистора насыщается носителями заряда ). Потом, когда канал расширяется почти до максимума, ток Iси практически не растет. Этот участок называют активная область. Когда Uси превышает определенное пороговое значение (напряжение пробоя PN-перехода), структура полупроводника разрушается, и транзистор превращается в обычный проводник. Данный процесс невосстановим, и прибор приходит в негодность
42. Направления развития силовой электроники. Силовые электрические вентили, требования к ним, классификация.
1. Становление электростатики (до 1800 г.)
2. Закладка фундамента электротехники, ее научных основ {1800 — 1830 гг.)
3. Зарождение электротехники (1830—1870 гг.)
4. Становление электротехники как самостоятельной отрасти техники (1870—1890 гг.)
5. Становление и развитие электрификации (с 1891 г.)
6. Зарождение и развитие электроники (первая четверть XX в.)
Классификация вентилей
Благодаря односторонней проводимости p-n-перехода полупроводникового диода его вольтамперная характеристика имеет две ветви: прямого и обратного тока сквозь вентиль (рис.2.2, б). Обычно ВАХ диода идеализируют. У идеального диода (рис.2.2, в) сопротивление прямому току равно нулю, а обратному току - бесконечно большое. При такой идеализации обратным током через вентиль можно пренебречь.
При положительной разности потенциалов (плюс на аноде А и минус катоде К, (рис.2.2, а) выпрямительный диод "открывается" и проводит ток в прямом направлении, а при обратной полярности напряжения на вентиле - диод "закрывается", ток через него - незначителен. В этом суть процесса выпрямления в любой схеме, содержащей вентили и используемой как выпрямитель.
Германиевые диоды обладают следующими свойствами: они технологичны, имеют меньшее, чем у кремниевых, прямое сопротивление Rпр, их диапазоны обратных напряжений находятся в пределах Uобр=50...400 В, рабочие частоты не превышают 10 кГц, диоды имеют значительные обратные токи Iобр, их диапазон температур лежит в пределах от -50 0С до +70 0С.
Кремниевые диоды, хотя и имеют более сложную технологию изготовления, но по многим параметрам предпочтительнее германиевых: допускают обратные напряжения до 1000 В, прямые токи до 1000 А, имеют значительно меньшие обратные токи, диапазоны их частот - до 30 кГц, имеют более широкий диапазон допустимых температур от -600 С до +1250 С.
Существенным недостатком кремниевых диодов является повышенное падение напряжения на диоде, в 2-3 раза больше, чем у германиевых диодов.
И германиевые, и кремниевые диоды чувствительны к токовым перегрузкам, что часто приводит к так называемому тепловому пробою и выходу диода из строя.
Эффект выпрямления достигается, как было отмечено выше, благодаря односторонней проводимости p-n-перехода полупроводникового диода.