- •21. Явление ударной ионизации. Лавинный пробой р-п перехода
- •22. Инерционные свойства р-п перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.
- •23. Диффузионная емкость р-п перехода. Эквивалентные схемы идеализированного и реального р-п переходов
- •24. Полупроводниковые диоды, классификация, система обозначений. Выпрямительные низкочастотные диоды, параметры, особенности германиевых и кремниевых диодов. Температурные диапазоны работы
- •25. Импульсные диоды. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе. Этап установления прямого напряжения.
- •56.Однофазная мостовая схема выпрямителей при работе на активную нагрузку. Схема, принцип действия, графики токов и напряжений. Основные соотношения для токов и напряжений.
- •57.Трехфазная система выпрямителя с нулевым выводом при работе на активную нагрузку. Схема принцип действия, графики токов и напряжений. Основные соотношения для токов и напряжений.
- •58. Трехфазная мостовая схема мостовая схема выпрямителя при работе на активную нагрузку.
- •60. Однофазная мостовая схема выпрямителя при работе на активно-индуктивную нагрузку
- •12. Классификация р-п-переходов. Структура электронно-дырочного перехода. Область пространственного заряда. Эмиттер и база в р-п переходе. Классификация р-п-переходов
- •Структура электронно-дырочного перехода
- •Эмиттер и база в р-п переходе
- •11. Электропроводность полупроводников. Температурная зависимость подвижности носителей. Температурная зависимость удельной проводимости Электропроводность полупроводников
- •Температурная зависимости подвижности носителей
- •13. Зонная структура р-п-перехода, потенциальный барьер. Зонная структура
- •15.Прямое и обратное включение р-п перехода. Зонная диаграмма при прямом смещении. Прямое и обратное включение p-n перехода
- •Зонная диаграмма при прямом смещении.
- •Вольт-амперные характеристики (вах)
- •42. Направления развития силовой электроники. Силовые электрические вентили, требования к ним, классификация.
- •45. Принцип действия динисторов, вольт-амперная характеристика.
- •43. Силовые полупроводниковые диоды, основные параметры и характеристики выпрямительных диодов
- •Основные параметры выпрямительных диодов
- •44. Силовые вентили с неполным управлением. Типы тиристоров. Основные параметры. Условные обозначения.
- •Виды тиристоров и их особые свойства
- •Основные параметры тиристоров
- •65)Эквивалентная схема однофазного двухполупериодного управляемого выпрямителя со средней точкой:
- •61) Двухполупериодная мостовая вентильная схема с противо-эдс
15.Прямое и обратное включение р-п перехода. Зонная диаграмма при прямом смещении. Прямое и обратное включение p-n перехода
Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный – к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым. При изменении указанной полярности включение p-n-перехода называют обратным.
При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю, Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область (ток дрейфа при этом не изменяется, поскольку он зависит от количества неосновных носителей, появляющихся на границах перехода), т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально.
При включении p-n-перехода в обратном направлении внешнее обратное напряжение создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным, что приводит к росту потенциального барьера и увеличению ширины запирающего слоя. Все это уменьшает диффузионные токи основных носителей. Для неосновных носителей поле в p-n-переходе остается ускоряющим, и поэтому дрейфовый ток не изменяется.
Таким образом, через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном током дрейфа неосновных носителей. Поскольку количество дрейфующих неосновных носителей не зависит от приложенного напряжения (оно влияет только на их скорость), то при увеличении обратного напряжения ток через переход стремится к предельному значению IS , которое называется током насыщения. Чем больше концентрация примесей доноров и акцепторов, тем меньше ток насыщения, а с увеличением температуры ток насыщения растет по экспоненциальному закону.
Зонная диаграмма при прямом смещении.
41. МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Принцип действия, вольт- амперные характеристики.
Подключим напряжение любой полярности между стоком и истоком. В этом случае электрический ток не пойдет, поскольку между зонами N+ находится область P, не пропускающая электроны. Далее, если подать на затвор положительное напряжение относительно истока Uзи, возникнет электрическое поле. Оно будет выталкивать положительные заряды (дырки) из зоны P в сторону подложки. В результате под затвором концентрация дырок начнет уменьшаться, и их место займут электроны, притягиваемые положительным напряжением на затворе. Когда Uзи достигнет своего порогового значения, концентрация электронов в области затвора превысит концентрацию дырок. Между стоком и истоком сформируется тонкий канал с электропроводностью N-типа, по которому пойдет ток Iси. Чем выше напряжение на затворе транзистора Uзи, тем шире канал и, следовательно, больше сила тока. Такой режим работы полевого транзистора называется режимом обогащения
Принцип работы МДП-транзистора с каналом P-типа такой же, только на затвор нужно подавать отрицательное напряжение относительно истока