3. Основные параметры тиристоров.
Напряжение включения (Uвкл) – это напряжение, при котором ток через динистор начинает сильно возрастать.
Ток включения (Iвкл) – это ток, соответствующий напряжению включения.
Ток выключения (Iвыкл) – это минимальный ток через тиристор, при котором он остаётся ещё во включённом состоянии.
Остаточное напряжение (Uост) – это минимальное напряжение на тиристоре во включённом состоянии.
Рисунок 10 – Параметры тиристоров
Ток утечки (Io) – это ток через тиристор в выключенном состоянии при заданном напряжении на аноде.
Максимально допустимое обратное напряжение (Uобр.max).
Максимально допустимое прямое напряжение (Uпр.max).
Время включения (tвкл) – это время, за которое напряжение на тиристоре уменьшится до 0,1 напряжения включения.
Время включения (tвыкл) – это время, за которое тиристор переходит из включённого в выключенное состояние.
Контрольные вопросы:
Что представляет собой структура динистора?
Какой переход у динистора является запирающим при первоначальном прямом включении?
Какое явление происходит при накоплении заряда на коллекторном переходе динистора?
За счет чего тринисторы можно включать при напряжениях, меньших напряжения включения динистора?
Чем отличаются тринисторы с управлением по катоду и с управлением по аноду
Задание, методические указания к вопросу для СРС:
4. Понятие о симисторах.
1. Изучить материал согласно плану:
1.1 Структура и принцип работы симистора.
1.2 ВАХ симистора.
2. Зарисовать структуру и ВАХ в рабочей тетради.
3. Ответить на контрольные вопросы
4. Понятие о симисторах.
Подадим
положительное напряжение на области
p1, n1, а отрицательное на области p2, n3.
Рисунок 11 – Структура и ВАХ симистора
Переход П1 закрыт, и выключается из работы область n1. Переходы П2 и П4 открыты и выполняют функцию эмиттерных переходов. Переход П3 закрыт и выполняет функцию коллекторного перехода. Таким образом, структура симистора будет представлять собой области p1, n2, p2, n3, где p1будет выполнять функции анода, а n3 – катода при прямом включении. Подадим напряжение плюсом на области p2, n3, а минусом на области p1, n1. Переход П4 закроется и выключит из работы область n3. Переходы П1 и П3 откроются и будут играть роль эмиттерных переходов. Переход П2 закроется и будет выполнять функцию коллекторного перехода. Структура симистора будет иметь вид p2-n2, p1-n1, где область p2 ,будет являться анодом, а1 – катодом. В результате будет получаться структура в прямом включении, но при обратном напряжении. ВАХ будет иметь вид, изображённый на рис. 10.
Контрольные вопросы:
В чем состоит основное отличие симистора от тринистора и динистора?
Назовите какие переходы открыты и какие закрыты при прямом включении?
Какая область в прямом включении выполняет роль анода и какая – катода?
Как происходит изменение проводимости в структуре симистора при обратном включении?
Исходя из изображения ВАХ, сделайте вывод об использовании симистора в схемах.
Литература:
1. Б. С. Гершунский. Основы электроники и микроэлектроники.- Киев : Вища школа, 1989, стр. 147-152.
2. Ф. И .Вайсбурд и др. Электронные приборы и усилители. – М.: Радио и связь, 1987, стр. 124-126.