- •3.9 Варикапы
- •4 Биполярные дискретные транзисторы
- •4.1 Устройство и принцип действия транзисторов
- •4.2 Режимы работы биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярного транзистора
- •4.6 Зависимость параметров транзистора от температуры
- •4.7 Входные и выходные характеристики транзистора с оэ и об
- •4.8 Эквивалентная схема эберса-молла
- •4.9 Малосигнальная эквивалентная схема
- •4.10 Эквиваентная схема в h- и у-параметрах
- •4.11 Температурные характеристики полевых транзисторов
- •5 Аналоговые усилительные устройства
- •5.1 Назначение и структурная схема усилителя
- •5.2 Классификация усилителей
- •Основные характеристики усилителей
- •5.4 Виды искажений сигналов в усилителях
- •5.5 Передаточная функция усилителя
- •5.6 Частотные характеристики усилителя
- •Частотная характеристика rc и cr-цепей
- •5.8 Цепь из последовательно соединенных r и l элементов
- •5.9 Резонансные цепи
- •5.9.1 Последовательный резонансный контур (рис.5.11)
- •5.9.2 Параллельный резонансный контур
- •5.11 Виды обратных связей в усилительных устройствах
- •При этой связи сигнал ос снимают с дополнительного измерительного элемента ( датчика тока rдт , включенного последовательно с нагрузкой).
- •5.12 Влияние ос на свойства усилителя
- •5.12.1 Входное сопротивление
- •5.12.2 Выходное сопротивление
- •Полоса усиливаемых частот
- •Коэффициент усиления
- •Влияние ос на искажения усилителя.
- •Устойчивость цепей с ос
- •5.13.1 Критерий Найквиста
- •Критерий устойчивости Гурвица
- •Критерии устойчивости Михайлова
- •Методы стабилизации рабочей точки
- •7 Структура и принцип действия тринистора
- •8 Структура и принцип действия симистора
- •9 Полевые транзисторы. Основные определения
- •9.1 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •9.3 Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •9.5 Основные параметры
- •9.6 Обозначение и классификация биполярных
- •9.7 Свойства полевых транзисторов
Полевые транзисторы с изолированным затвором
И С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ
Структура транзистора приведена на рис. 9.5. В отсутствии напряжения на затворе сильно легированные n-области истока и стока образуют вместе с подложкой два включенных навстречу диода Поэтому проложенное напряжение между истоком и стоком не вызывает существенного тока.
При положительном напряжении на затворе индуцируется проводящий каналза счет притяжения к изолирующей прокладке затвора электронов из р-материала подложки. Хотя электроны не являются основными носителями, проводящий канал состоит только из основных носителей – электронов.
Н апряжение затвор-исток МОП транзистора, работающего только в режиме обогащения (увеличения электронов), при котором образуется проводящий канал и ток стока достигает заданного низкого значения, называется пороговым напряжением UЗИ пор..
Выходные характеристики (канал n-типа) показаны на рис. 9.6.
Штриховая линия отделяет линейную область от области насыщения, соответствует .
Наклон характеристик характеризуется
с опротивлением стока. .
Эквивалентные схемы ПТ представлены на рис.9.7,где q11- активная проводимость входной цепи, вещественная часть входной проводимости
q11=I3UЗИ Ucu=0
Учитывается только на ВЧ.
Входное и выходное сопротивление ПТ носят емкостной характер.
9.5 Основные параметры
В области насыщения Ic=Ic max(1-UЗИ/UЗИ отс.)2.
Ic не зависит от UСИ. Для реальных стоковых характеристик
Выходное дифференциальное сопротивление
Крутизна характеристики или ;
Сопротивление открытого канала
коэффициент усиления
Коэффициент усиления, внутреннее сопротивление и крутизна связаны соотношением: .
9.6 Обозначение и классификация биполярных
И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Например, транзистор КТ 315А, где 1 – материал, 2 – тип, 3 – мощность и частота, 4,5 – номер разработки, 6 – класс параметров. К – кремний, Г – герм, Т – БП, П – полевой. КТ315А – кремниевый, биполярный, маломощный, высокочастотный. В таблице 1 приведено обозначение транзисторов по частоте и мощности. Рекомендуется использовать справочник под ред. Голомедова: 1-"Транзисторы малой мощности"; 2-"Транзисторы средней и большой мощности".
Таблица 1 Обозначение транзисторов по частоте и мощности
Мощность, Вт |
Частота, МГц |
||
до 3 |
до 30 |
более 30 |
|
0,3
0,3…1,5
1,5 |
1
4
7 |
2
5
8 |
3
6
9 |
9.7 Свойства полевых транзисторов
1 Частотные свойства. Зависят от времени пролета канала носителями тока, т.е. от длины проводящего канала и скорости носителей. Современная технология позволяет выполнить транзисторы с очень малой длиной канала, достигающей нескольких микрометров. Скорость носителей тока увеличивается при увеличении напряженности поля в канале. Частотные свойства зависят также от межэлектродных емкостей транзистора: затвор-сток, затвор-исток, сток-исток.
2 Радиационная стойкость. При использовании полевых транзисторов в космической аппаратуре отмечена радиационная стойкость у полевых транзисторов выше, чем у биполярных. (Радиация - воздействие ионизированного излучения нейтронов, - частиц, - квантов и т.д.)
1 Абсолютный нуль температура по термодинамической шкале ниже на 273 ºC отсчета тройной точки кипения воды, равной 0.01ºC.