- •1. Усилительные свойства транзистора
- •Статическая стоковая характеристика
- •2. Статическая стоко-затворная характеристска
- •7. Схемы включения транзистора
- •7.1 Схема с об
- •7. 2 Схема с ок
- •7.3. Схема с оэ
- •8. Статические характеристики для схемы с оэ
- •8.1 Входная характеристика
- •8.2 Выходная характеристика
- •9. Системы малосигнальных параметров бт
- •10. Динамические характеристики бт
- •10.1 Выходная динамическая характеристика (для схемы оэ)
- •10.2 Входная динамическая характеристика
- •11 Импульсный режим работы бт (ключевой режим)
- •11.1. Транзистор в ключевом режиме работы.
- •11.2. Запирание транзистора (режим отсечки)
- •11.3 Режим отпирания (насыщения)
- •11.4 Переходные процессы в схеме ключа
Статическая стоковая характеристика
Ic = f(Uc) при UЗИ = const, см. рис.9.7
Рис. 9.7 Стоковая характеристика
При UЗИ < Uпор - транзистор закрыт, и его ВАХ подобна обратной ветви полупроводникового диода (нижняя кривая на рис.9.7).
Она практически совпадает с осью напряжений, отклоняясь от нее в области электрического пробоя.
При U3И = 0 и малых значениях UСИ ток стока изменяется прямо пропорционально с изменением напряжения (участок АБ).
В точке БВ из-за заметного сужения стокового участка канала и уменьшения его общей проводимости намечается некоторое отклонение характеристики от прямой линии.
На участке БВ существенное сужение стокового участка канала и значительное уменьшения его общей проводимости вызывают замедление роста тока IС с увеличением UСИ.
В точке В, при UСИ нас ток стока достигает величины IС нас и в дальнейшем остается почти неизменным.
2. Статическая стоко-затворная характеристска
Ic = f(Uзи) при Uси = const. рис. 9.8
Рис. 9.8 Cтоко-затворная характеристска
Нормальный режим работы транзистора при UСИ > UСИнас.
Прямое включение p-n перехода не применяется т.к. при этом происходит инжекция неосновных носителей и входное сопротивление транзистора резко падает, теряется основное достоинство полевого транзистора - высокое входное сопротивление.
Основные параметры:
Начальный ток стока Icнач при Uзи = 0
Напряжение отсечки UОТС при котором ток стока Ic=0
Крутизна стоко-затворной характеристики
S =IС /UЗИ [мА/В], при UС = conct
*************
Флеров А.Н. курс “Физические основы микроэлектроники, Электроника ”
Для самостоятельного изучения из №2, исправлена нумерация раздела 11.
Содержание
7. Схемы включения транзистора 10
7.1 Схема с ОБ 10
7. 2 Схема с ОК 11
7.3. Схема с ОЭ 12
8. Статические характеристики для схемы с ОЭ 13
8.1 Входная характеристика 13
8.2 Выходная характеристика 13
9. Системы малосигнальных параметров БТ 14
10. Динамические характеристики БТ 16
10.1 Выходная динамическая характеристика (для схемы ОЭ) 16
10.2 Входная динамическая характеристика 17
11 Импульсный режим работы БТ (ключевой режим) 17
11.1. Транзистор в ключевом режиме работы. 18
11.2. Запирание транзистора (режим отсечки) 18
11.4 Переходные процессы в схеме ключа 19
7. Схемы включения транзистора
Транзистор может быть включен в усилительный каскад тремя различными способами: по схеме с общей базой (ОБ), сообщим эмиттером (ОЭ), и с общим коллектором (ОК).
Такая терминология указывает, какой из электродов транзистора является общим для его входной и выходной цепей. Различные схемы включения имеют различные свойства, но принцип усиления у них одинаков.