- •1. Усилительные свойства транзистора
- •Статическая стоковая характеристика
- •2. Статическая стоко-затворная характеристска
- •7. Схемы включения транзистора
- •7.1 Схема с об
- •7. 2 Схема с ок
- •7.3. Схема с оэ
- •8. Статические характеристики для схемы с оэ
- •8.1 Входная характеристика
- •8.2 Выходная характеристика
- •9. Системы малосигнальных параметров бт
- •10. Динамические характеристики бт
- •10.1 Выходная динамическая характеристика (для схемы оэ)
- •10.2 Входная динамическая характеристика
- •11 Импульсный режим работы бт (ключевой режим)
- •11.1. Транзистор в ключевом режиме работы.
- •11.2. Запирание транзистора (режим отсечки)
- •11.3 Режим отпирания (насыщения)
- •11.4 Переходные процессы в схеме ключа
8. Статические характеристики для схемы с оэ
8.1 Входная характеристика
Зависимость IБ = f(UБ) при UK = const. Ее называют еще базовой
характеристикой (рис.4).
Рис.4 Входная статичкеская характеристика, схемы с ОЭ
С ростом напряжения UK ток IБ уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении UK растет напряжение, приложенное к коллекторному переходу в обратном направлении, уменьшается вероятность рекомбинации носителей в базе, т.к. почти все носители быстро втягиваются в коллектор.
8.2 Выходная характеристика
Зависимость Iк = f(Uк) при Iб = const (рис.5)
Рис.5 Выходная характеристика, схемы с ОЭ
Напряжение, приложенное к коллекторному переходу равно UКЭ - UБЭ, т.к. эти напряжения, включенные между точками коллектор - база оказались включенными встречно (рис.6).
Поэтому при UKЭ <UБЭ напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от Uкэ = 0 до UKЭ = UБЭ велика и зависимость тока от напряжения на коллекторе практически линейная.
На участке UKЭ >UБЭ крутизна характеристик уменьшается, они идут почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит, главным образом, от IБ.
Рис.6
9. Системы малосигнальных параметров бт
Эти параметры используются при расчете усилительных устройств.
Под малым сигналом понимают такое, например синусоидальное напряжение сигнала
Uс = sin(t), величина амплитуды напряжения которого значительно меньше постоянных напряжений смещения на электродах транзистора.
В пределах изменения напряжения малого сигнала статические характеристики транзистора считаются линейными.
Для анализа работы транзистора пользуются его эквивалентными схемами. Транзистор в них рассматривается как устройство, имеющее два входных и два выходных зажима и обладающие способностью усиливать мощность подводимых к нему колебаний.
В электротехнике такое устройство получило название активного четырехполюсника.
Рис.7 Представление транзистора активным четырехполюсником.
Из курса электротехники известно, что линейный четырехполюсников может быть описан системой 2-х линейных уравнений параметров.
Наиболее удобными для рассмотрения транзисторных схем являются:
1. Система z-параметров (параметры z имеют размерности сопротивлений)
(7)
2. Система y-параметров, или параметров короткого замыкания (параметры y имеют размерности проводимостей)
(8)
3. Система h-параметров, смешанная система параметров, получившая наибольшее распространенеие
(9)
При практическом определении h-параметров могут быть использованы действующие и максимальные значения входных токов и напряжений или их приращения.
Величины h-параметров зависят от схемы включения, поэтому в их обозначение вводится индекс, показывающий, для какой схемы они определены, например h11б, h11э, h11к,
В справочниках указываются преимущественно значения параметров в типовой рабочей точке. В других точках статических характеристик h-параметры можно определить из семейств входных и выходных характеристик транзистора.
Для этого значения токов и напряжений представляют в виде конечных приращений
- определяется по входной статической характеристике
- определяется совместно по входной и выходной статическим характеристикам
- определяется по выходной статической характеристике