- •Лабораторный практикум по дисциплине «электронные приборы»
- •I. Цель работы
- •2. Теоретические сведения
- •В равновесном состоянии
- •При прямом смещении
- •При обратном смещении
- •3. Методика и схема эксперимента
- •4. Задание
- •5. Содержание отчета
- •6. Контрольные вопросы
- •1. Цель работы
- •2. Теоретические сведения
- •3. Методика эксперимента
- •4. Задание
- •7. Литература
- •1. Цель работы
- •2.Теоретические сведения
- •3. Методика и схема эксперимента
- •1.Цель работы
- •2. Теоретические сведения
- •3. Схема и методика эксперимента
- •4. Порядок работы
- •5. Содержание отчета
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •1. Цель работы
- •2. Теоретические сведения
- •3. Методика и схема эксперимента
- •4. Задание
- •4.1 Собрать схему эксперимента.
- •5.Содержание отчета
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •1.Цель работы
- •2.Теоретические сведения
- •3 . Методика эксперимента
- •4. Задание
- •5. Содержание отчета
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •1. Цель работы
- •2. Теоретические сведения
- •3. Методика эксперимента
- •4. Задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •Лабораторная работа №8
- •1. Цель работы:
- •2. Теоретические сведения
- •3. Методика эксперимента
- •4.Задание
- •5. Содержание отчета
- •6.Контрольные воросы
- •1. Цель работы
- •2. Теоретические сведения
- •5. Содержание отчета
- •6. Контрольные вопросы
- •1. Цель работы
- •2.Теоретические сведения.
- •3. Задание
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •6. Литература.
3 . Методика эксперимента
В работе определяются низкочастотные h−параметры биполярного транзистора в схеме ОБ. Схема для измерения параметров h11б и h21б приведена на рис. 7.
Рис. 7. Схема измерения h11б и h21б
Режим измерения по постоянному току − заданные значения и − устанавливается с помощью источников Eэ, Ек и Rэ. Вначале с помощью регулировки (контролируя величину по ) устанавливается заданное значение , затем регулировкой установить ток (миллиамперметр в режиме измерения постоянного тока). Режим к.з. на выходе для переменных составляющих обеспечен подключением коллектора транзистора через миллиамперметр к источнику с низким выходным сопротивлением. Входное воздействие задается с помощью генератора синусоидального напряжения и резистора RГ. Конденсатор необходим для исключения влияния источника сигнала на режим работы транзистора по постоянному тону. Измерения проводятся на частоте 0,1 1кГц. Величины переменных составляющих Должны быть на порядок меньше постоянных составляющих токов и напряжений на соответствующих электродах транзистора. При измерении необходимо с помощью осциллографа убедиться в отсутствии нелинейных искажений сигналов путем наблюдения осциллограмм переменных составляющих .
Схема измерения параметров h12б и h22б приведена на рис. 8.
Рис. 8. Схема измерения h12б и h22б
Режим х.х. на входе для переменной составляющей сигнала обеспечивается подключением эмиттера к источнику через относительно высокоомный (по сравнению с входным сопротивлением транзистора) резистор . Установка режима работы по постоянному току осуществляется аналогично. Напряжение на коллекторе устанавливается регулировкой , а ток −источником . При измерении параметра h12б=UЭБ/UКБ напряжение UЭБ измерить с помощью осциллографа. Резистор может при этом отсутствовать. Если при измерении h12б=iК/UКБ чувствительности миллиамперметра недостаточно, то необходимо включить резистор RК1 (порядка 1 кОм из имеющихся на стенде) и подключить параллельно ему вольтметр, а величину тока iК рассчитать. Величина входного воздействия UКБ должна быть порядка 2−ЗВ.
4. Задание
4.1. По статическим характеристикам транзистора в схеме ОБ аналитическим методом определить h −параметры для двух режимов работы:
1.
2.
Данные занести в таблицу 4.1.
Таблица 4.1
Режим |
1 |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
h22Б, мкСм |
|
|
4.2. Для указанных в п. 4.1 двух режимов по постоянному току измерить h−параметры транзистора в схеме ОБ. Рассчитать физические параметры Т−образной схемы замещения. Данные занести в таблицу 4.2.
Таблица 4.2
Режим |
1 |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
h22Б, мкСм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|