1.2. Анализ и обоснование выбора элементной базы

При подсчете на принципиальной схеме присутствуют:

1. Микросхема К P142 ЕН19(DA1)

Тип параметра	Условное обозначение	Параметры
Выходное напряжение	В	2,5 … 36
Ток нагрузки	А	0,1
Тип корпуса	_	ТО 092.
Максимальное входное напряжение	В	37
Мощность рассеивания	Вт	0…5
Температурный диапазон	С	-10…70

Таблица 1. Характеристики микросхемы К P142 ЕН19.

Аналогичная микросхема (TL431)

Тип параметра	Условное обозначение	Параметры
Выходное напряжение	В	2,495 … 36
Ток нагрузки	А	0,15
Тип корпуса	_	ТО 092.
Максимальное входное напряжение	В	36
Мощность рассеивания	Вт	0…5
Температурный диапазон	С	-10…70

Таблица 2. Характеристики аналогичной микросхемы (TL431)

2. Фототранзистор ФТ- 1К

тт Тип	Площадь фоточувств. элемента	Основные параметры при температуре +20…+25
		Диапазон спектральной характеристики	Максимальная спектральная характеристика	Рабочее напряжение	Темновой ток	Интегральная токовая чувств.
ФТ-1К	2,8	0,5…1,2	0,8…0,9	5	3	0,4
ФТ-1Г	3	0,4…1,8	1,5..1,8	1..5	300	0,2

Таблица 3. Характеристика фототранзисторов ФТ- 1К и ФТ – 1Г

3. Реле с напряжением срабатывания 24.. .25 В

Тип	Напряжение срабатывания, В	Ток срабатывания, А	Сопротивление обмотки Ом	Мощность Нагрузки Вт
РЭН 34	24- 25	не более 40	320	до 200
РЭК 52	24	не более 40	900	от 200

Таблица 5. Характеристика реле.

4. Резисторы.

Тип	Сопротивление	Мощность рассеивания Вт
ПостоянныйR1	1Мом	0,5
ПостоянныйR2	51Ом	0,5
ПостоянныйR3	1,5КОм	0,5
Переменный R4	330КОм	­­__
Переменный R5	1МОм	__
Постоянный R6	30КОм	0,125
ПостоянныйR7	100КОм	0,125

Таблица 6. Характеристика резисторов.

5. Конденсаторы - 0,68мкФ

6. Диодный мост КЦ407 А

7. Светодиод