- •1. Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов
- •2. Ненасыщенный биполярный ключ: схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Ненасыщенный биполярный ключ
- •3. Биполярный насыщенный ключ с динамической нагрузкой: схема, принцип работы, характеристики
- •4. Насыщенный биполярный ключ. Схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Транзистор в режиме насыщения
- •Транзистор в режиме отсечки
- •Передаточная характеристика
- •5. Фоторезисторы: устройство, принцип работы, основные параметры и характеристики
- •Основные параметры фоторезисторов
- •6. Светодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Основные параметры
- •8. Оптоволоконные кабели: виды, основные параметры Строение оптокабеля
- •Параметры оптокабеля:
- •Виды кабелей:
- •Параметры передачи данных
- •Виды кабелей по месту прокладки:
- •9. Фотодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Класификация
- •Вольт-амперная характеристика
- •10. Полупроводниковые диоды: устройство, принцип действия.
- •Принцип работы
- •11. Стабисторы: принцип работы, параметры и характеристики
- •12. Полупроводниковый стабилитрон: принцип действия, параметры и характеристики
- •Параметры
- •Примеры характеристик
- •13. Диоды Шоттки: устройство, принцип действия, основные параметры
- •Свойства диодов Шоттки
- •14. Импульсный режим работы полупроводникового диода
- •15. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, режимы работы, система параметров и характеристик.
- •16. Схемы включения биполярных транзисторов, их параметры и характеристики.
- •17. Полевые транзисторы с индуцированным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики.
- •Предельные эксплуатационные параметры
- •19. Полевые транзисторы с встроенным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики
- •20. Полевые транзисторы с управляющим p/n переходом и каналом n-типа: устройство, принцип действия, управляющая характеристика
- •21. Основные этапы производства интегральных микросхем
- •22. Цифровые интегральные микросхемы: статические и динамические параметры
- •23. Интегральные микросхемы – преобразователи уровней.
- •24. Элементы ттл с открытым коллектором: схемотехника, принцип действия, параметры
- •25. Элементы ттл с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия, параметры Элемент с тремя состояниями выхода
- •26. Логический элемент технологии ттлш с пониженной мощностью потребления: схема, принцип работы, передаточная характеристика технология ттлш с пониженной мощностью потребления
- •27. Инвертор кмоп: схемотехника, принцип действия, параметры и характеристики
- •Элемент не кмоп
- •2 8. Базовый логический элемент ттл: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики
- •29. Разновидности технологий ттлш
- •Разновидности Серии ттл-микросхем зарубежного производства
- •Серии ттл-микросхем отечественного производства
- •30. Кмоп элементы „и”, „или”: схемотехника, принцип работы
- •Элемент 2и
- •Элемент 2или
- •31. Элементы кмоп с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия
- •32. Способы организации соединений в плис
- •33. Lut: назначение, принцип работы
- •34. Двунаправленный элемент ввода/вывода плис: схемотехника, принцип работы
- •Пример схемы блока ввода-вывода
- •35.Cpld, fpga: особенности функциональных схем
- •1)Конструкция, параметры и характеристики переменных и подстроечных резисторов
- •2. Конструкция, параметры и характеристики термисторов
- •3. Конструкция, параметры и характеристики варисторов
- •4. Конструкция, параметры и характеристики магниторезисторов
- •5. Какая из схем включения транзистора имеет:
- •6.Привести международную систему обозначений параметров биполярных транзисторов
- •7.Привести международную систему обозначений параметров полевых транзисторов
- •8. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы)
- •9.Привести примеры схем устройств с фотодиодами
- •10. Привести примеры схем устройств с оптопарами
- •11. Пример плис cpld
- •12. Пример плис fpga
Класификация
p-i-n фотодиод
В p-i-n структуре средняя i-область заключена между двумя областями противоположной проводимости. При достаточно большом напряжении оно пронизывает i-область, и свободные носители, появившееся за счет фотонов при облучении, ускоряются электрическим полем p-n переходов. Это дает выигрыш в быстродействии и чувствительности. Повышение быстродействия в p-i-n фотодиоде обусловлено тем, что процесс диффузии заменяется дрейфом электрических зарядов в сильном электрическом поле. Уже при Uобр≈0.1В p-i-n фотодиод имеет преимущество в быстродействии.
Достоинства:
1) есть возможность обеспечения чувствительности в длинноволновой части спектра за счет изменения ширины i-области.
2) высокая чувствительность и быстродействие
3) малое рабочее напряжение Uраб
Недостатки:
сложность получения высокой чистоты i-области
Фотодиод Шоттки (фотодиод с барьером Шоттки)
Структура металл-полупроводник. При образовании структуры часть электронов перейдет из металла в полупроводник p-типа.
Лавинный фотодиод
В структуре используется лавинный пробой. Он возникает тогда, когда энергия фотоносителей превышает энергию образования электронно-дырочных пар. Очень чувствительны. Для оценки существует коэффициент лавинного умножения:
Для реализации лавинного умножения необходимо выполнить два условия:
1) Электрическое поле области пространственного заряда должно быть достаточно большим, чтобы на длине свободного пробега электрон набрал энергию, большую, чем ширина запрещённой зоны:
2) Ширина области пространственного заряда должна быть существенно больше, чем длина свободного пробега:
W > > λ
Значение коэффициентов внутреннего усиления составляет M=10-100 в зависимости от типа фотодиодов.
Фотодиод с гетероструктурой
Гетеропереходом называют слой, возникающий на границе двух полупроводников с разной шириной запрещённой зоны. Один слой р+ играет роль «приёмного окна». Заряды генерируются в центральной области. За счет подбора полупроводников с различной шириной запрещённой зоны можно перекрыть весь диапазон длин волн. Недостаток — сложность изготовления.
Фотодиоды на электрических схемах обозначаются следующим образом:
Конструкция фотодиода
I=IФ-IS(eU/jт-1)
где IФ=Si·Ф - фототок
IS – обратный ток
Si - интегральная чувствительность
Ф – световой поток
Вольт-амперная характеристика
Схема включения фотодиода с нагрузкой и построение нагрузочной характеристики
График напряжения на нагрузке
Энергетические характеристики Частотные характеристики
Спектральная характеристика
Зависимость чувствительности от угла падения света
Основные параметры
- Диапазон длин волн принимаемого излучения;
- Интегральная чувствительность Si;
- Темновой ток Iт;
- Номинальное рабочее напряжение UОБР.НОМ;
- Максимально допустимое обратное напряжение UОБР.MAX;
- Постоянная времени нарастания фототока tН