4.1.1 Расчет режима транзистора

Выходной каскад выполним по схеме реостатного каскада (рис. 4.1.1)

Рисунок 4.1.1 — Схема выходного каскада

Произведем выбор положения рабочей точки.

Рисунок 4.1.2 Входная и выходная характеристики транзистора

, где - начальное напряжение нелинейного участка.	(4.1.5)
	(4.1.6)
	(4.1.7)
	(4.1.8)

.

Rк = 100 Ом, выбран исходя из энергетических соображений и с учетом того что слишком большле коллекторное сопротивление урезает полосу. Мощность рассеиваемая на коллекторе попадает в пределы максимальной рассеиваемой мощности выбранного транзистора.

(4.1.9)

Исходя из значения и найдем по характеристикам транзистора базовый ток мА и напряжение .

Рассчитаем предварительное значение напряжения источника питания. Оно сложится из падения напряжения на коллекторном переходе и падения напряжений на сопротивлениях коллекторной и эмиттерной цепей.

(4.1.10)

В существующем ряду [1] напряжений имеется близкое к расчетному. Оно равно , а значит его мы примем за напряжение источника питания будущего усилительного устройства увеличив падение на сопротивлении эмиттера до 2.2 В.

Определим коэффициент использования источника питания по напряжению. Желательно, чтобы эта величина была не ниже (0.2  0.3), так как использование напряжения будет нерациональным.

(4.1.11)

4.1.2 Расчет параметров транзистора

Для дальнейшего расчета необходимо определить параметры транзистора.

	(4.1.12)
	(4.1.13)

Подставляя справочные данные в формулы (4.1.12)—(4.1.13) получаем:

Крутизна транзистора определится из формулы

h21 = I_{k max} - I_{k min} / I_{б max} – I_{б min} = 40,

а g=0.02 См – определяем по входной характеристике как отношение изменения базового тока к изменению базового напряжения на прямой-касательной к рабочей точке:

	(4.1.14)

Оценим коэффициент усиления данного каскада. Для этого воспользуемся формулой, приведенной в [1]:

	(4.1.15)
;

4.1.3 Расчет усилителя в области высоких частот

Оценим искажения в области малых времен. Для этого определим все слагаемые, которые вносят вклад в .

	(4.1.16)
	(4.1.17)
	(4.1.18)
	(4.1.19)

Подставляя ранее рассчитанные значения, получаем:

Так как нагрузка для выходного каскада не содержит емкости кроме как емкости монтажа, её то я и беру в роли емкости нагрузки при расчете .

Определим входную динамическую ёмкость и входное сопротивление транзистора по формулам, взятым из [1]:

	(4.1.20)
Rвх.тр рассчитываем по характеристикам.	(4.1.21)