- •1. Механизм конденсация тонких металлических пленок на поверхности
- •4. Среднее время релаксации и жизни адатома
- •5.Средняя длина диффузионного пробега
- •6. Технология синтеза нанопроволочек по механизму пар-жидкость-кристалл (пжк)
- •8.Технология висячих углеродных нанотрубок
- •9.Технология микроструйного выстраивания нанопроволок
- •10.Достоинства транзисторов на углеродных нанотрубках
- •12.Квантовые ямы
- •13. Квантовая нить
- •14. Квантовые точки
- •15. Схема формирования двумерных электронов на гетеропереходе
- •16) Сравнение электронных систем разной размерности
- •17) Баллистическая проводимость
- •18) Одноэлектронный транзистор
- •19. Аллотропные формы углерода: определения, примеры
- •20.Графен,свойства графена.
- •21.Принцип работы стм, блок-схема
- •22. Факторы, влияющие на качеств изображения стм
- •23. Режимы постоянного тока и постоянной высоты в стм
- •24. Суть метода Ленгмюра, коэффициент растекания.
- •26. Стабильность и состояния монослоев
- •27. Понятие коллапса
- •28.Перенос монослоев на твердые тела.
- •30.Метод поверхностного потенциального барьера
- •31. Классификация нанотехнологий
- •32. Проблемы, связанные с уменьшением размеров
- •33. Рассеяние света – определение, возможности методов, основная идея рассеяния
- •34.Рэлеевское рассеяние
- •35.Рассеяние Ми
- •36.Рассеяние Мандельштама-Бриллюэна
- •37.Комбинационное рассеяние
- •38.Индикатриса
- •40 Какие процессы включает в себя литография?
- •41.Негативная литография
- •42Позитивная литография
- •43. 10 Шагов фотолитографии
- •44. Какие вещества являются предшественниками углеродных наноструктур
- •45. Методы получения и свойства углеродных нанотрубок и нановолокон
- •46.Какими факторами определяются выдающиеся механические и термические свойства оунт
- •47.Две основные группы методов получения унт
- •49. Получение унт методом каталитического пиролиза.
- •50. Непосредственное получение унт из газовой фазы
- •51. Процесс получения макроскопических волокон, содержащих оунт и полимер
- •55 Определения нжк, хжк, сжк
- •56.Переход Фредерикса и основные виды деформации
27. Понятие коллапса
Равновесное давление растекания монослоя есть давление в монослое, находящемся в равновесии с устойчивой объемной фазой. Если монослой сжат до давлений, гораздо больших равновесного давления растекания, то достигается состояние, называемое «точкой коллапса». В точке коллапса увеличение давления становится невозможным, так как либо давление падает при неизменной площади пленки, либо при постоянном давлении уменьшается площадь пленки.
«Давлением коллапса» называется максимальное давление, при котором происходит это фазовое превращение.
Коллапс - неуправляемое наползание монослоев друг на друга
28.Перенос монослоев на твердые тела.
Метод погружения ,2- реактивный
3) Метод касания (эффект Марангони)
30.Метод поверхностного потенциального барьера
Данный метод позволяет контролировать структурные и фазовые превращения в твердых телах с высокой точностью при высокой чувствительности. Структурные превращения – ранние стадии зарождения дефектов, зон напряжения, движения дислокации. МППБ позволяет контролировать возникновение дефектов в структуре твердого тела на значительном удалении от поверхности тела до нескольких сантиметров.
Электронные свойства твердых тел могут быть определены такими параметрами как работа выхода электрона и уровень Ферми.
Уровень Ферми задает параметр потенциального барьера материала с вакуумом, воздухом или с другим материалом.
Параметры потенциального барьера на интерфейсе металл-полимер определяют значение инжекционного тока.
Изменения этого тока будет указывать на изменение электронных свойств исследуемого материала, если электронные свойства полимера останутся неизменными.
31. Классификация нанотехнологий
Наноэлектроника включает в себя пять подразделов: элементы, устройства и функциональные системы наноэлектроники; физические принципы и создание нового поколения устройств наноэлектроники; развитие технологий, создание технологического оборудования, получение материалов наноэлектроники; разработка методов диагностики и создание диагностического оборудования; разработка методов вычислительного моделирования в наноэлектронике и создание инфраструктуры суперкомпьютерных вычислений.
Наноматериалы. Здесь содержится четыре подраздела: конструкционные наноматериалы и наноматериалы со специальными свойствами; функциональные наноматериалы (катализаторы, сорбенты, мембраны, полимеры); энергонасыщенные наноматериалы; наноматериалы для электроники, магнитных систем и оптики.
Нанобиотехнологии. Раздел состоит из пяти подразделов: наноконструирование биологических узнающих систем (нанодетекция и диагностика); нанокон-струирование новых лечебных препаратов (нанолекарства); наноконструирование иммуногенов, миниантител, наноантител (нановакцины); трансгенное наноконструирование (нанотрансгенез); наноконструирование замещающих cистем и регуляторных компонентов тела (нанобионика).
Нанодиагностика включает в себя пять подразделов: методы с использованием рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и частиц; зондовая и элек тронная микроскопия, электронография; оптическая микроскопия и спектроскопия; физические и физико-химические методы; нанометрология.
НаноОбразование к настоящему времени детально проработаны направления, связанные с подготовкой специалистов различной квалификации в области нанотехнологий.