- •1. Механизм конденсация тонких металлических пленок на поверхности
- •4. Среднее время релаксации и жизни адатома
- •5.Средняя длина диффузионного пробега
- •6. Технология синтеза нанопроволочек по механизму пар-жидкость-кристалл (пжк)
- •8.Технология висячих углеродных нанотрубок
- •9.Технология микроструйного выстраивания нанопроволок
- •10.Достоинства транзисторов на углеродных нанотрубках
- •12.Квантовые ямы
- •13. Квантовая нить
- •14. Квантовые точки
- •15. Схема формирования двумерных электронов на гетеропереходе
- •16) Сравнение электронных систем разной размерности
- •17) Баллистическая проводимость
- •18) Одноэлектронный транзистор
- •19. Аллотропные формы углерода: определения, примеры
- •20.Графен,свойства графена.
- •21.Принцип работы стм, блок-схема
- •22. Факторы, влияющие на качеств изображения стм
- •23. Режимы постоянного тока и постоянной высоты в стм
- •24. Суть метода Ленгмюра, коэффициент растекания.
- •26. Стабильность и состояния монослоев
- •27. Понятие коллапса
- •28.Перенос монослоев на твердые тела.
- •30.Метод поверхностного потенциального барьера
- •31. Классификация нанотехнологий
- •32. Проблемы, связанные с уменьшением размеров
- •33. Рассеяние света – определение, возможности методов, основная идея рассеяния
- •34.Рэлеевское рассеяние
- •35.Рассеяние Ми
- •36.Рассеяние Мандельштама-Бриллюэна
- •37.Комбинационное рассеяние
- •38.Индикатриса
- •40 Какие процессы включает в себя литография?
- •41.Негативная литография
- •42Позитивная литография
- •43. 10 Шагов фотолитографии
- •44. Какие вещества являются предшественниками углеродных наноструктур
- •45. Методы получения и свойства углеродных нанотрубок и нановолокон
- •46.Какими факторами определяются выдающиеся механические и термические свойства оунт
- •47.Две основные группы методов получения унт
- •49. Получение унт методом каталитического пиролиза.
- •50. Непосредственное получение унт из газовой фазы
- •51. Процесс получения макроскопических волокон, содержащих оунт и полимер
- •55 Определения нжк, хжк, сжк
- •56.Переход Фредерикса и основные виды деформации
36.Рассеяние Мандельштама-Бриллюэна
Возможность такого рассеяния следует из взаимодействия фотонов с акустическими или колебательными квантами (фононы). Рассеяние вызвается дифракцией в плоскости монохроматических световых волн непосредственными, синусоидальными колебаниями плотности (то есть постоянными тепловыми, звуковыми волнами или акустическими фононами)
При прохождении звуковой волны через среду возникают периодические изменения плотности среды. На этих периодических структурах возможна дифракция света.
При дифракции на звуковой волне возникают лишь максимумы первого порядка. Амплитуда дифрагированной волны изменяется вместе с коэффициентом пропускания и коэффициентом преломления среды, обусловленным периодическим изменением плотности среды в акустической волне. Следовательно, амплитуда изменяется гармонически с частотой звуковой волны .
Поэтому наблюдаемая в направлении дифракционных максимумов напряженность Е(t) электромагнитной волны равна:
где ω - частота падающего света.
Т.о. в рассеянном свете должны наблюдаться две сателлитные частоты, расположенные симметрично относительно основной частоты. Сателлит с частотой называется стоксовым, а с - антистоксовым. Они являются компонентами рассеяния Мандельштама-Бриллюэна.
Поскольку оптическая длина пути в среде в раз больше геометрической ( - показатель преломления среды), условие максимумов первого порядка (положительного и отрицательного) определяется соотношениями:
где Λ- длина волны звуковых колебаний среды.
Частота звуковой волны может быть выражена в виде:
где ν- скорость акустических волн в среде,
в виду малости угла .
Формула называется формулой Мандельштама-Бриллюэна.
37.Комбинационное рассеяние
Это неупругое рассеяние оптического излучения на молекулах вещества (твёрдого, жидкого или газообразного), сопровождающееся заметным изменением его частоты. В отличие от Рэлеевского рассеяния, в случае комбинационного рассеяния света в спектре рассеянного излучения появляются спектральные линии, которых нет в спектре первичного (возбуждающего) света. Число и расположение появившихся линий определяется молекулярным строением вещества.
Если на среду падает электромагнитная волна c частотой ν0 и электрическим вектором Е = E0 cos 2πν0t , то под действием этой волны в системе индуцируется дипольный момент р = αE = αE0cos 2πν0t , ( 1 ) где α - тензор поляризуемости системы. Важным является тот факт, что поляризуемость молекулы (кристалла) периодически меняется во времени с частотами собственных колебаний молекулы (кристалла), поскольку поляризуемость в определенный момент времени зависит от соответствующегоэтому моменту расположения атомов друг относительно друга.Таким образом, поляризуемость является функцией координат атомов молекулы (кристалла),которые периодически меняются с частотами собственных колебаний системы Ωk :α ( qk )= α0 + Σk(dα/dqk)0 q0kcos Ωkt + 1/2Σkm ( d2α/ dqkdqm)0q0kq0m cos Ωkt cosΩmt + ... , ( 2 )где qk = q0k cos Ωkt – смещения атомов от положения равновесия.Если подставить разложение (2) поляризуемости α по собственным колебаниям системы в выражение (1), то легко убедиться в специфических частотныххарактеристиках индуцированного дипольного момента системы. Этотиндуцированный дипольный момент следует рассматривать как источниквторичного электромагнитного излучения, формирующего спектр рассеяния.Первый член (2) дает изменение р во времени с частотой ν0 (рэлеевское рассеяние), второй – с частотами ( ν0+ Ωk) и ( ν0– Ωk) , третий – с частотами типа ( ν0+ Ωk+Ωm), ( ν0– Ωk+Ωm) и т.д. . Второму и третьему членам разложения (2) соответствуют спектры комбинационного рассеяния первого и второго порядков. Интенсивность спектров второго порядка очень мала, и в потому часто рассматривают только КРС первого порядка.