- •Билет 1 Взаимодействие тел. Первый закон Ньютона. Инерциальные системы отсчета.
- •Билет 2 Сила. Масса. Второй закон Ньютона. Взаимодействие тел. Сила. Второй закон Ньютона. Принцип относительности в механике.
- •Билет 3 Закон всемирного тяготения. Сила тяжести. Вес тела. Невесомость.
- •Билет 4 Третий закон Ньютона. Принцип относительности Галилея. (Третий закон Ньютона. Значение законов Ньютона.)
- •Билет 5 Импульс. Закон сохранения импульса.
- •Билет 6 Упругие деформации. Закон Гука. (Сила упругости. Закон Гука.)
- •Билет 7 Взаимодействие точечных зарядов. Закон Кулона.
- •Билет 8 Кинетическая энергия. Потенциальная энергия. Закон сохранения механической энергии. Потенциальная и кинетическая энергия. Закон сохранения энергии в механике.
- •Билет 9 Действие магнитного поля на проводник с током. Закон Ампера.
- •Билет10
- •Билет 11 Колебательный контур. Свободные электромагнитные колебания а контуре. Формула Томпсона.
- •Билет 12 Опыт резерфорда. Ядерная модель атома.
- •Билет 13 Магнитный поток. Явление электромагнитной индукции.
- •Билет 14 Квантовые постулаты Бора. Излучение и поглощение света атомами.
- •II постулат Бора (правило частот):
- •Ill постулат Бора (правило квантования орбит): стационарные (разрешенные) электронные орбиты в атоме находятся из условия
- •Билет 15
- •Билет 16
- •Билет 16 Идеальный газ. Изотермический, изобарный и изохорный процессы в идеальном газе. Идеальный газ. Газовые законы. Закон Авогадро. Закон Дальтона.
- •Билет 18
- •Билет 19
- •Билет 20
- •Билет 21
- •Билет 22 Радиоактивность. Закон радиоактивного распада.
- •Билет 23
- •Билет 24
- •Билет 25
- •Билет 26 Электромагнитные волны. Свойства электромагнитных волн. Скорость распространения электромагнитной волны.
- •Билет 27
Билет 23
Электрический ток в электролитах. Законы электролиза.
Как твердые вещества, так и жидкости могут являться как проводниками – проводящими ток, так и диэлектриками – не проводящими ток. Дистиллированная вода (вода очищенная от примесей) не обладает носителями тока – ионами. При добавлении в нее поваренной соли происходит электролитическая диссоциация и вода становится электролитом.
Электролитическая диссоциация – распад молекул на ионы.
Жидкости, которые проводят электрический ток называются электролитами. Изменение химического состава раствора или расплава при прохождении через него электрического тока, обусловленное потерей или присоединении электронов ионами, называют электролизом.
Майкл Фарадей установил, что при прохождении эл. тока через электролит масса вещества m выделившегося на электроде, пропорциональна заряду q прошедшего через электролит:
m=k.q или m=k.I.t.
Зависимость, полученную Фарадеем, называют законом электролиза. Коэффициент пропорциональности k называется электрохимическим эквивалентом.
==>
Коэффициент k численно равен массе выделившегося на электродах вещества при переносе ионами заряда в 1 Кл:
k=m/q [k]=1кг/1Кл.
Произведение заряда электрона на число Авогадро называется числом Фарадея:
F=96500 Кл/моль.
Число Фарадея это электрический заряд, переносимый веществом в количестве 1 моль при электролизе.
В электрическом поле ионы электролита приходят в движение: положительные ионы движутся к катоду, а отрицательные к аноду. Так возникает электрический ток в электролите. При встречи положительного и отрицательного ионов, происходит их соединение – рекомбинация.
С помощью электролиза из солей и оксидов получают многие металлы. Электролитический способ дает возможность получать вещества с малым количеством примесей. Путем электролиза можно наносить тонкие слои металлов, эти слои могут служить защитой изделия от окисления. Такой способ называется – гальваностегией.
При длительном пропускании тока, получается толстый слой металла, который может быть отделен с сохранением формы – гальванопластика. Явление электролиза лежит в основе принципа действия кислотных и щелочных аккумуляторов, где используют обратимость процесса электролиза.
Билет 24
Электрический ток в полупроводниках. Собственная и примесная
проводимости полупроводников.
Многие вещества не проводят ток так хорошо, как металлы, но в то же время не являются диэлектриками. Одним из отличий полупроводников – то, что при нагревании или освещении их удельное сопротивление не увеличивается, а уменьшается. Но главным их практически применимым свойством оказалась односторонняя проводимость. Вследствие неравномерного распределения энергии теплового движения в кристалле полупроводника некоторые атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены окружающими атомами, т.к. их валентные связи насыщены. Эти свободные электроны могут перемещаться в металле, создавая электронный ток проводимости. В то же время, атом, с оболочки которого вырвался электрон, становится ионом. Этот ион нейтрализуется за счет захвата атома соседа. В результате такого хаотического перемещения возникает перемещение места с недостающим ионом, что внешне видно как перемещение положительного заряда. Это называется дырочным током проводимости. В идеальном полупроводниковом кристалле ток создается перемещением равного количества свободных электронов и дырок. Такой тип проводимости называется собственной проводимостью. При понижении температуры количество свободных электронов, пропорциональное средней энергии атомов, падает и полупроводник становится похож на диэлектрик. В полупроводник для улучшения проводимости иногда добавляются примеси, которые бывают донорные (увеличивают число электронов без увеличения числа дырок) и акцепторные (увеличивают число дырок без увеличения числа электронов). Полупроводники, где количество электронов превышает количество дырок, называются электронными полупроводниками, или полупроводниками n-типа. Полупроводники, где количество дырок превышает количество электронов, называются дырочными полупроводниками, или полупроводниками р-типа.
Полупроводниковый диод. Транзистор.
Полупроводниковый диод состоит из p-n перехода, т.е. из двух соединенных полупроводников разного типа проводимости. При соединении происходит диффузия электронов в р-полупроводник. Это приводит к появлению в электронном полупроводнике некомпенсированных положительных ионов донорной примеси, а в дырочном – отрицательных ионов акцепторной примеси, захвативших продиффундировавшие электроны. Между двумя слоями возникает электрическое поле. Если на область с электронной проводимостью подать положительный заряд а на область с дырочной – отрицательный, то запирающее поле усилится, сила тока резко понизится и почти не зависит от напряжения. Такой способ включения называется запирающим, а ток, текущий в диоде – обратным. Если на область с дырочной проводимостью подать положительный заряд а на область с электронной – отрицательный, то запирающее поле ослабится, сила тока через диод в этом случае зависит только от сопротивления внешней цепи. Такой способ включения называется пропускным, а ток, текущий в диоде – прямым.
Транзистором, он же полупроводниковый триод, состоит из двух p-n (или n-p) переходов. Средняя часть кристалла называется база, крайние – эмиттер и коллектор. Транзисторы, в которых база обладает дырочной проводимостью, называют транзисторами p-n-p перехода. Для приведения в действие транзистора p-n-p-типа на коллектор полают напряжение отрицательной полярности относительно эмиттера. Напряжение на базе при этом может быть как положительным, так и отрицательным. Т.к. дырок больше, то основной ток через переход будет составлять диффузионный поток дырок из р-области. Если на эмиттер подать небольшое прямое напряжение, то через него потечет дырочный ток, диффундирующих из р-области в n-область (базу). Но т.к. база узкая, то дырки пролетают через нее, ускоряясь полем, в коллектор. Транзистор способен распределять ток, тем самым его усиливая. Отношение изменения тока в цепи коллектора к изменению тока в цепи базы при прочих равных условиях величина постоянная, называемая интегральным коэффициентом передачи базового тока . Следовательно, изменяя ток в цепи базы, возможно получить изменения в токе цепи коллектора.