Kamenskaya_Osn_Tech_Mater_Microel

3.Какими физико-химическими свойствами обладают твердые растворы на основе соединений A3B5?

4.Как выглядят фазовые диаграммы основных квазидвойных систем A3B5?

5.Какая ширина запрещенной зоны у теллурида кадмия?

6.Какие параметры материала зависят от соотношения компонент в соедине-

нии?

7.В чем заключается процесс ИДИУ?

ИСПОЛЬЗУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

1.С. С.Горелик, М.Я. Дашевский "Материаловедение полупроводников и ди-

электриков", М., "Металлургия", 1988

2.В.Н.Черняев "Физико-химические процессы в технологии РЭА", М., "Высшая школа", 1987

3.А.И.Курносов, В.В.Юдин "Технология производства полупроводниковых при-

боров и интегральных микросхем", М., "Высшая школа", 1986

4.Ю.М.Таиров, В.Ф.Цветков "Технология полупроводниковых и диэлектриче-

ских материалов", М., "Высшая школа", 1990

5.А.А. Барыбин “Электроника и микроэлектроника Физико-технологические ос-

новы”, М., “Физматлит”, 2006

6.В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов “Технология материалов элек-

тронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии”, М., “МИСИС”, 1995

7.С.А. Медведев, “Введение в технология полупроводниковых материалов”, М., “Высшая школа”, 1970

8.А.Я. Нашельский, “Технология полупроводниковых материалов”, М., “Метал-

лургия”, 1987

СОДЕРЖАНИЕ

Предисловие

стр.

91

1.Технологические методы выращивания монокристаллов полупро-

водников из расплавов

1.1.Тигельные методы

1.2.Бестигельные методы

2.Распределение примесей в процессах направленной кристаллизаци

2.1.Равновесный коэффициент распределения

2.2.Распределение примесей в кристаллах, полученных методами на-

правленной кристаллизации

2.3.Распределение примесей в кристаллах при зонной плавке

2.4.Методы получения однородно легированных слитков

3.Выращивание кристаллов из растворов

3.1Метод испарения летучего растворителя

3.2Метод повышения концентрации летучего компонента в растворе

3.3Направленная кристаллизация пересыщенных растворов-расплавов.

3.4Метод градиентной зонной плавки

4.Выращивание монокристаллов из паровой фазы

4.1.Метод конденсации паров компонентов

4.2.Метод диссоциации или восстановления газообразных соединений

4.3.Метод реакций переноса

4.4.Метод переноса в потоке

5.Методы очистки материалов

5.1.Очистка материалов вакуумной обработкой

5.2.Очистка материалов методами направленной кристаллизации

5.3Очистка материалов методами зонной плавки

6.Очистка поверхности подложек

7.Технология и свойства простых полупроводников

7.1Получение и свойства кремния

7.2Получение и свойства германия

92

8.Технология и свойства некоторых полупроводниковых соединений А3В5

8.1Антимонид индия

8.2Арсенид галлия

9.Эпитаксиальные пленки арсенида галлия

10.Свойства и методы получения соединений А2В6

10.1Теллурид кадмия

11.Твердые растворы полупроводников

11.1Твердые растворы на основе соединений А3В5

11.2Твердые растворы на основе соединений А2В6

93