- •Якутский государственный университет им. М.К. Аммосова
- •Полупроводниковые прибопры
- •Тема 1. Электропроводность полупроводников
- •Электропроводность твердого тела
- •Примесная электропроводность
- •Диффузия носителей заряда в полупроводниках
- •Контрольные вопросы
- •Тема 2. Полупроводниковые резисторы
- •Контрольные вопросы
- •Тема 3. Электронно-дырочный переход
- •Контрольные вопросы
- •Задачи и упражнения
- •Тема 4. Полупроводниковые диоды
- •4.1. Вольт - амперная характеристика
- •4.2. Емкость полупроводникового диода
- •4.3. Температурные свойства
- •4.4. Рабочий режим диода
- •4.5. Основные типы полупроводниковых диодов
- •4.6. Примеры практического применения диодов
- •Контрольные вопросы
- •Задачи и упражнения
- •Тема 5. Биполярные транзисторы
- •5.1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •5.2. Основные схемы включения бт. Характеристики бт
- •5.3 Схемы замещения и параметры транзистора
- •5.4. Рабочий режим биполярного транзистора
- •5.5. Влияние температуры на работу бт
- •5.6 Частотные свойства бт
- •5.7 Параметры транзисторов. Классификация
- •Контрольные вопросы
- •Задачи и упражнения
- •Тема 6. Униполярные транзисторы
- •6.1. Общие сведения
- •6.2. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •6.3. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •Контрольные вопросы
- •Задачи и упражнения
- •Тема 7. Тиристоры
- •Контрольные вопросы
- •Заключение
- •Ответы и решения
- •Приложение 1 Основные параметры германия, кремния и арсенида галлия
- •Маркировка полупроводниковых приборов
- •Значения параметров выпрямительных диодов
- •Значения параметров биполярных транзисторов
- •Значения параметров полевых транзисторов
- •Рекомендуемая литература
4.3. Температурные свойства
На электропроводность полупроводников значительное влияние оказывает температура.
При повышении температуры усиливается генерация пар носителей заряда, т.е. увеличивается их концентрация и возрастает проводимость.
Как видно из рис. 4.4 - при повышении температуры прямой и обратный токи растут.
У германиевыхдиодов обратный ток возрастает примернов 2 разапри повышении температурына каждые 10 С. Это выражается следующим соотношением:
iОБР(t) = iОБР (20)* 2(t – 20) / 10. (4.4)
Следовательно, если температура поднялась с 20до 70С, тоiОБРувеличивается в 25, т.е. в 32 раза. Кроме того, с повышением температуры у германиевых диодов снижается напряжение электрического пробоя.
У кремниевыхдиодов при нагревена каждые 10Собратный ток увеличивается примернов 2,5 раза.
С повышением температуры несколько возрастает барьерная емкость. Температурный коэффициент емкости (ТКЕ),показывающий относительное изменение емкости при изменении температуры на один градус, равен 10-4– 10-3К-1.
4.4. Рабочий режим диода
На рис. 4.5,а приведено условно-графическое обозначение (УГО) выпрямительного диода с обозначением его электродов: А – анод, К – катод. Прямой ток проходит тогда, когда анод имеет положительный потенциал относительно катода. Следовательно, треугольник следует рассматривать как острие стрелки, показывающийусловное направлениепрямого тока. Именно в этом направлении при прямом токе движутся дырки. Известно, что за условное направление электрического тока принято движение положительных зарядов (противоположное движению электронов).
Режим диода с нагрузкой называют рабочим(рис. 4.5,б). Если бы диод обладал линейным сопротивлением, то расчет тока в подобной схеме не представлял бы затруднений, т.к. общее сопротивление цепи равно сумме сопротивления диода постоянному токуR0и сопротивления нагрузочного резистораRН. Но диод обладает нелинейным сопротивлением, и значениеR0у него изменяется при изменении тока. Поэтому расчет тока производят графическим способом.
Задача состоит в следующем: известны Е, RНи ВАХ диода, требуется определить ток в цепи и напряжение на диоде.
Характеристику диода следует рассматривать как график некоторого уравнения, связывающего величины i и u(рис. 4.5,в). А для сопротивленияRН подобным уравнением является закон Ома:
I = uR / RН = (Е – uD) / RН. (4.5)
Итак, имеются два уравнения с двумя неизвестными i и u, причем одно из уравнений задано графически. Для решения такой системы уравнений необходимо построить график второго уравнения и найти координаты точки пересечения двух графиков.
Уравнение для сопротивления RН– это уравнение первой степени, поэтому его графиком является прямая линия - линия нагрузки. Обычно ее строят по двум точкам. Приi = 0 из уравнения (4.5) получаем: Е –uD = 0 илиuD = E, что соответствует точкеАна рис. 4.5,в. А еслиuD = 0, тоi = E / RН. Откладывают этот ток на оси ординат (точкаВ). Через эти точки проводят прямую, которая и является линией нагрузки. Координаты точки пересечения графиковТдают решение задачи. Следует отметить, что все остальные точки прямойАВне соответствуют каким-либо режимам диода.
При построении линии нагрузки для сравнительно малых значений RНточкаВможет оказаться за пределами чертежа. В этом случае следует отложить от точкиАвлево произвольное значение напряжения (точкаС) (рис. 4.5,г) и вверх отложить ток, равныйU / RН(отрезокСВ). Прямая, проведенная через точкиАиВявляется линией нагрузки. Координаты точки пересеченияТдают искомые значения параметров цепи.
Следует отметить, что графический расчет не требуется, если RНR0. В этом случае допустимо пренебречь сопротивлением диода и определять приближенно ток по формуле i = E / RН.
Рассмотренные методы можно применить для амплитудных или мгновенных значений, если источник Е является переменным.
Иногда возникает необходимость в определении некоторых параметров полупроводникового диода:
сопротивление постоянному току в прямом смещении
R0 = UПР/IПР; (4.6)
сопротивление при обратном смещении
R0 = UОБР/IОБР; (4.7)
сопротивление диода переменному току (дифференциальное)
Ri = UПР/IПР; (4.8)
крутизна ВАХ для прямого тока
S = IПР / UПР. (4.9)