- •Методические указания к практическим занятиям по дисциплине
- •Часть 1
- •Введение
- •1 Полупроводниковые диоды
- •1.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию
- •1.3 Контрольные вопросы и задания
- •1.4 Примеры аудиторных задач
- •1.5 Задачи для самостоятельной работы
- •2 Транзисторы в режиме постоянных напряжений и токов
- •2.1 Цель занятия
- •2.3 Контрольные вопросы и задания
- •2.4 Примеры аудиторных задач
- •Значения внутренних физических параметров можно определить по таким соотношениям:
- •2.5 Задачи для самостоятельной работы
- •3 Расчет транзисторных ключевых каскадов
- •3.1 Цель занятия
- •3.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию.
- •3.3 Контрольные вопросы и задания
- •3.4 Примеры аудиторных задач
- •3.5 Задачи для самостоятельной работы
- •4 Схемы с логическими элементами
- •4.1 Цель занятия
- •4.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию.
- •4.3 Контрольные вопросы и задача
- •4.4 Примеры аудиторных задач
- •4.5 Задачи для самостоятельной работы
- •5 Оптоэлектронные приборы
- •5.1 Цель занятия
- •5.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию.
- •5.3 Контрольные вопросы и задания
- •5.4 Примеры аудиторных задач
- •5.5 Задачи для самостоятельной работы
- •Перечень ссылок
- •Приложение
5 Оптоэлектронные приборы
5.1 Цель занятия
Получить навыки расчета схем с полупроводниковыми оптоэлектронными приборами.
5.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию.
Оптоэлектронными приборами называют устройства, действие которых основано на использовании внешнего или внутреннего фотоэффекта, или фотогальванического эффекта [3,4,9,10,13].
Примеры оптоэлектронных приборов:
Фоторезисторы – фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения, принцип действия которых основан на эффекте фотопроводимости.
Основные параметры фоторезисторов:
– темновое сопротивление Rт, МОм;
– темновой ток Іт, ма;
– отношение темнового сопротивления к световому Rт/Rсв, относит. единицы;
– рабочее напряжение, Uр, В;
– предельная частота fГР , кГц;
Основные характеристики фоторезисторов:
– вольт-амперная характеристика;
– энергетическая характеристика;
– спектральные характеристики.
Фотодиоды – фоточувствительные полупроводниковые диоды с открытым p-n переходом. Во время освещения p-n перехода увеличивается концентрация носителей заряда, проводимость диода возрастает и обратный ток увеличивается. Если светового потока нет, то через диод протекает обычный начальный ток I0, который называется темновым.
Основные характеристики фотодиодов:
энергетические;
вольт-амперная;
– спектральные;
– частотная;
Основные параметры фотодиодов:
– рабочее напряжение, Uр, В;
– темновой ток Іт, мкА;
– интегральная чувствительность SІНТ, мкА/лк.
Светодиоды – полупроводниковые диоды, у которых при прямом смещении p-n перехода происходит инжекция носителей заряда с эмиттерной области в область базы и возникающей вследствие этого рекомбинации основных носителей заряда с неосновными. Это вызывает генерацию квантов света – фотонов, которые образуют излучение в определенном диапазоне частот.
Основные характеристики светодиодов:
– яркостная характеристика;
– спектральная характеристика;
– вольт-амперная характеристика;
– диаграмма направленности излучения.
Основные параметры светодиодов:
– сила света;
– длина волны излучения;
– постоянное прямое напряжение;
– максимальный допустимый постоянный ток;
– максимально допустимое обратное напряжение.
Оптоэлектронные пары (оптроны) – это полупроводниковые приборы, у которых конструктивно объединенные источник и приемник излучения, с оптической связью между ними.
Основные параметры оптронов:
– напряжение изоляции Uиз;
– входной ток Івх;
– выходной ток Івых;
– коммутируемое напряжение, Uком;
– обратное входное напряжение Uвх обр;
– обратное выходное напряжение Uвых обр;
– время включения tвкл;
– время выключения tвыкл.
Оптоэлектронные микросхемы, кроме излучателей и фотоприемников, содержат устройства формирования, усиления и обработки электрических сигналов. Основные параметры оптоэлектронных микросхем:
– коммутируемый ток Іком;
– напряжение питания оптоэлектронного переключателя Uпит;
– выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя ;
– выходный ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя ;
– время задержки распространения сигнала tзд р;
– сопротивление гальванической развязки RC;
– потребляемый ток (для разных уровней выходного напряжения) Іпит.