- •Методические указания к практическим занятиям по дисциплине
- •Часть 1
- •Введение
- •1 Полупроводниковые диоды
- •1.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию
- •1.3 Контрольные вопросы и задания
- •1.4 Примеры аудиторных задач
- •1.5 Задачи для самостоятельной работы
- •2 Транзисторы в режиме постоянных напряжений и токов
- •2.1 Цель занятия
- •2.3 Контрольные вопросы и задания
- •2.4 Примеры аудиторных задач
- •Значения внутренних физических параметров можно определить по таким соотношениям:
- •2.5 Задачи для самостоятельной работы
- •3 Расчет транзисторных ключевых каскадов
- •3.1 Цель занятия
- •3.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию.
- •3.3 Контрольные вопросы и задания
- •3.4 Примеры аудиторных задач
- •3.5 Задачи для самостоятельной работы
- •4 Схемы с логическими элементами
- •4.1 Цель занятия
- •4.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию.
- •4.3 Контрольные вопросы и задача
- •4.4 Примеры аудиторных задач
- •4.5 Задачи для самостоятельной работы
- •5 Оптоэлектронные приборы
- •5.1 Цель занятия
- •5.2 Методические указания для самостоятельной подготовки к занятию.
- •5.3 Контрольные вопросы и задания
- •5.4 Примеры аудиторных задач
- •5.5 Задачи для самостоятельной работы
- •Перечень ссылок
- •Приложение
3.3 Контрольные вопросы и задания
1. Какие режимы работы биполярных транзисторов являются доминирующими для ключевых каскадов?
2. Назовите стадии процессов включения и выключения ключа на биполярном транзисторе.
3. Как в ключевых каскадах можно обеспечить роботу биполярного транзистора без захода в режим насыщения ?
4. Укажите принципиальное различие управляющих сигналов для ключей на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и на МДП-транзисторах с индуцированным каналом.
5. Чем определяется быстродействие ключа на МДП-транзисторе с индуцированным каналом?
3.4 Примеры аудиторных задач
Задача 1. Выбрать транзистор, рассчитать значение сопротивлений резисторов RК, R для схемы на рис.3.3. Определить время переключения. Рассчитать мощность, потребляемую ключом от источника питания в состоянии «включено» и «выключено» (относительно нагрузки).
Исходные данные: Uпит = +5В, входное напряжение включения (относительно ключа) Uвх.вкл = +2.5 В, входное напряжение исключения Uвх.выкл = –1В, выходное напряжение низкого уровня , выходное напряжение высокого уровня, сопротивление нагрузки RН = 100 кОм .
Рисунок 3.3 – Схема к задаче 1
Решение. При выборе транзистора должны быть выполнены условия: UКЭ max ≥ Uпит, .
Предположим, выбран транзистор КТ306Б з такими параметрами:
= 100, IК0 = 0,5 мкА, IК max = 50 мА, UКЭ нас = 0,3 В, UБЭ нас = 1 В, UКЭ max = 10 В, Ск= 5 пф, Сэ = 4,5 пф, fГР = 100 МГц. Поскольку транзистор КТ306Б кремниевый, то будем считать, что Uпор = 0,65 В.
Рассчитаем сопротивление Rк. Ток через нагрузку протекает, когда транзистор находится в режиме отсечки. Для этого режима:
где .
Отсюда вытекает (с учетом ):
Расчет сопротивления R выполним для режима насыщения. В нашем случае:
С учетом условия перехода транзистора в режим насыщения IБн > IК нас / β, где IК нас = (Uпит – UКЭ нас)/RК – UКЭ нас/RН , получаем:
, то есть R ≤ 215 кОм
Пусть R=100кОм. Проверим, выполняется ли условие отсечки для при-нятого значения сопротивления R. Условие отсечки транзистора (UБЭ<0) для схемы на рис.3.3:
то есть R ≤ 2 МОм. Значения сопротивления R удовлетворяет условиям отсечки и насыщения.
Расчет времени переключения ключа состоит из расчетов продолжительности интервалов задержки включения tЗ, формирования фронта коллекторного тока , накопления избыточного заряда в базе tнак, рассасывания избыточного заряда из области базы tрасс, формирования спада коллекторного тока :
;
где τвх = R(CК+Сэ) = 100·103(5·10-12 + 4,5·10-12) = 9,5·10-7 c;
UБЭ.зап = Uвх.вкл – RIК0 = 2,5-100·103·0,5·10-6 = 2,45 B,
то есть tЗ= 9,35·10-7 с
,
где
IК нас =(Uпит–UКЭ нас)/RК–UКЭ нас/RН =(5-0,3)/(66,7·103)–0,3/(100·103)=0,697 мА;
0,015 мА;
.
Значение τБ находим следующим образом:
fβ = fГР/(1+ β) = 100·106/(1+100) = 990,1 кГц;
fα = βfβ = 99,01 МГц;
τБ = β/(2πfα) = 0,16·10-6 с ,
откуда
;
20,9·10-6 с’
где IБ выкл = – IК0 , ≈100,5·10-6 с,
то есть tрасс = 73,36·10-6 с
85,8·10-6 с.
Таким образом:
=0,935·10-7 +20,9·10-6 +100,5·10-6 +73,36·10-6 + 85,8·10-6 =281,495 ·10-6 с.
Расчет потребляемой мощности выполняется с учетом тока через RК и RН .В режиме «нагрузка включена» (транзистор в режиме отсечки):
0,03 мА
P=Uпит·IRк=5·0,03·10-3=0,15 мВт
В режиме «нагрузка выключена» (транзистор в режиме насыщения):
IRк=(Uпит·- UКЭ нас)/IRк=(5-0,3)/(66,7·103)=0,07 мА
P=Uпит·IRк=5·0,07·10-3=0,35 мВт
Задача 2. Выполнить расчет элементов схемы ключа на рис.3.4.Исходные данные:
– ток нагрузки в режиме «включено» (относительно нагрузки) 2 мА;
– напряжение на нагрузке ;
– ключ закрыт (транзистор в режиме насыщения) при Uвх.выкл ≥ 20 В;
– ключ открыт (транзистор в режиме отсечки) при 0 ≤ Uвх.вкл 15 В.
Пример расчета. Определим значение напряжений питания и смещения. Поскольку , выбираем Uпит = 5 В, а Uсм = (0,1...0,3)Uпит. Пусть Uсм =–1,3 В. Выбор транзистора проводим из таких соображений:
UКЭ max > Uпит;
IК max > IК нас.
Для схемы на рис.3.4
(3.4)
Для расчетов по формуле (3.4) необходимо знать значение IК0 (параметр транзистора) и Rк. Для исключения ситуации с двумя неизвестными можно воспользоваться таким способом. Применим транзистор КТ315Г з такими параметрами: =200, IК0 = 0,5 мкА, IК max = 100 мА, UКЭ нас = 0,3 В, UБЭ нас = 0,63 В, UКЭ max = 35 В, UБЭ max = 6В.
Тогда
250 Ом.
Определим IК нас:
IК нас = (Uпит – UКЭ нас) / RК = 18,8 мА.
Итак, транзистор КТ315Г подходит для использования.
Расчет значений сопротивлений R и Rсм начнем из определения их допустимых значений для ситуации, когда транзистор находится в режиме насыщения. Данную ситуацию рассмотрим для Uвх.выкл = 20 В (рис.3.5).
Рисунок 3.5 – Распределение токов и напряжений при Uвх.выкл = 20 В
Условие режима насыщения транзистора:
IБ IКн, (3.5)
то есть IБ 0,09 мА. Из рис.3.5 вытекает:
IБ =Iвх – Iсм, (3.6)
где
Iвх =(Uвх.выкл – UБЭ нас)/R (3.7)
Iсм =(UБЭ нас + Uсм)/Rсм (3.8)
Из (3.5) с учетом (3.6)–(3.8) получаем:
Пусть Rзм = 1кОм, тогда R ≤ 9,6 кОм.
При определении границ значений сопротивления резистора R для обеспечения режима отсечки рассмотрим наиболее худшую ситуацию Uвх.вкл = 15B (рис.3.6).
Условие пребывания транзистора в режиме отсечки
UБЭ 0, (3.9)
где
UБЭ = Uвх.вкл Rсм / (R+Rсм) – Uсм / (R+Rсм) +IК0 RRсм / (R+ Rсм). (3.10)
Рисунок 3.6 – Распределение токов и напряжений при Uвх.вкл = 15 В
Из (3.9) и (3.10) вытекает:
,
то есть R ≤ 11.5 кОм.
Поскольку значение сопротивления R для режима насыщения может удовлетворять условию R ≤ 9,6 кОм, выберем такое значение, которое будет удовлетворять режиму насыщения и отсечения. Пусть R = 8,2 кОм.
Проверим, как с рассчитанными значениями сопротивлений выполняется режим отсечки для Uвх.вкл = 0B (рис.3.7).
Рисунок 3.7 Распределение токов и напряжений при Uвх вкл = 0 В
В этом случае Iвх = Iсм = Uсм/(R + Rсм) и
Транзистор находится в режиме отсечки. Таким образом, расчет выполнен правильно.
Задача 3. Ключ на МДП-транзисторе выполнен по схеме на рис.3.2а. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 3B, Uпит = 18B, RC = 1кОм, IC0 = 1 мкА. Определите напряжение на выходе ключа, сопротивление канала и режим работы транзистора, если входное напряжение равно: а) Uвх = 2B; б) Uвх = 4B; в) Uвх = 10B. Выходные характеристики транзистора приведены на рис.3.8а
Решение.
а) Uвх < Uпор, канал отсутствует, Uвых = Uпит – IC0·RC = 17,999 B; эквивалентное сопротивление закрытого транзистора в этом случае может достигать значения 109…1011Ом;
б) По проекции на ось UСИ точки пересечения линии нагрузки (рис.3.8б) с выходной характеристикой, которая соответствует Uвх = 4B определим Uвых ≈ 12,3 В. Поскольку Uвх > Uпор и Uвых > UСИ нас гр, рабочая точка транзистора находится в пологой области характеристик. Сопротивление канала в этом случае RСИ = UСИ / IC = 12,3В/6 мА = 2050 Ом;
в) Из рис.3.8 б получаем: Uвых≈3,5 В. Поскольку Uвх > Uпор и 0 < Uвых < UСИнас гр, то рабочая точка транзистора находится в крутой области характеристик.
а) б)
Рисунок 3.8 – Выходные характеристики транзистора