- •1. Основные понятия и определения электротехники. Топологические параметры.
- •2. Электронные осциллографы Электронные осциллографы
- •3. Эквивалентные схемы для источников энергии. Источники эдс и источники тока.
- •4. Цифровые измерительные приборы
- •5. Закон Ома для участка цепи с эдс
- •6. Аналоговые электронные вольтметры.
- •7. Расчет разветвленных магнитных цепей на основе закона Кирхгофа.
- •8. Приборы электродинамической и ферродинамической систем. Однофазный индукционный счетчик электрической цепи.
- •9. Расчет цепей постоянного тока при последовательном и параллельном соединении пассивных приемников.
- •10. Приборы магнитоэлектрической и электромагнитной схем. Магнитоэлектрическая система
- •Прибор магнитоэлектрической системы
- •Достоинства магнитоэлектрической системы
- •Недостатки магнитоэлектрической системы
- •Электромагнитная система
- •Прибор электромагнитной системы
- •Достоинства электромагнитной системы
- •Недостатки электромагнитной системы
- •11. Электрические цепи переменного тока, принципы получения переменной эдс.
- •12. Электрические измерения и приборы. Основные определения и термины. Методы измерений. Классификация средств измерений.
- •13. Действующие и среднее значения токов и напряжений в цепях переменного тока.
- •14. Цифро-аналоговые и аналогово-цифровые преобразователи.
- •15. Законы Ома и Кирхгофа для мгновенных значений токов и напряжений в цепях переменного тока.
- •16. Регистры, кольцевые счетчики. Счетчики с двоичным и недвоичным коэффициентами пересчета.
- •17. Расчет цепей переменного тока методом векторных диаграмм.
- •18. Последовательные цифровые устройства. Триггеры и их разновидности.
- •19. Расчет последовательных цепей переменного тока методом векторных диаграмм.
- •20. Комбинационные цифровые устройства. Мультиплексоры, демультиплексоры, дешифраторы, сумматоры.
- •21. Расчет параллельных цепей переменного тока методом векторных диаграмм.
- •22. Основные типы цифровых интегральных схем. Параметры цифровых ис.
- •23. Комплексный метод расчета параметров электрических цепей переменного тока.
- •24. Представление информации в цифровой форме. Составление логических функций и функциональных схем.
- •25. Явление резонанса в цепях переменного тока.
- •26. Транзисторные ключи на биполярных и полевых транзисторах. Аналоговые коммутаторы.
- •27. Трехфазные цепи переменного тока. Соединение приемников звездой и треугольником. Основные определения
- •2. Соединение в звезду. Схема, определения
- •3. Соединение в треугольник. Схема, определения
- •28. Импульсный режим работы электронных устройств. Генераторы импульса.
- •29. Нелинейные элементы электрических цепей и их характеристики. Графический метод расчета нелинейных цепей постоянного тока.
- •30. Генераторы гармонических колебаний.
- •2. Генератор lc-типа
- •31. Политический метод расчета нелинейных цепей.
- •32. Линейные преобразователи электрических сигналов на основе операционных усилителей
- •33. Магнитные цепи. Основные понятия и определения. Магнитный поток, индукция, напряженность. Магнитная проницаемость. Явление магнитного гистерезиса в веществе.
- •34. Методы расчета транзисторных усилителей.
- •35. Прямая и обратная задачи в расчетах магнитных цепей.
- •36. Усилители на транзисторах. Стабилизация начальной рабочей точки.
- •37. Уравнения Кирхгофа для магнитной цепи.
- •38. Классификация, основные параметры и характеристики усилителей. Обратная связь в усилителях.
- •39. Электромагнитные устройства. Принцип работы и основные аналитические соотношения для электромагнитов и электромагнитных реле.
- •40. Сглаживающие фильтры, стабилизаторы и инверторы в источниках вторичного электропитания.
- •41. Устройство и принцип работы трансформатора, его векторная диаграмма
- •Устройство и принцип работы
- •42. Выпрямительные схемы источников электропитания. Однополупериодные и двухполуперионые выпрямители.
- •43. Режим холостого хода трансформатора и его работа под нагрузкой.
- •44. Назначение и структура источников вторичного электропитания, их основные характеристики.
- •45. Устройство и принцип действия генератора постоянного тока эдс и электромагнитный момент. Способы возбуждения генераторов постоянного тока.
- •46. Операционные усилители, эквивалентная схема, основные характеристики и уравнения, интегральные микросхемы.
- •47. Двигатели постоянного тока. Регулирование скорости двигателей постоянного тока.
- •48. Основные свойтва, характеристики и типы тиринисторов. Динисторы и тринисторы.
- •49. Устройство и принцип работы асинхронного двигателя. Его характеристики.
- •50. Основные свойства, характеристики и типы полевых транзисторов.
- •51. Пуск и реверсирование асинхронных двигателей. Регулирование частоты вращения.
- •52. Устройство и принцип работы синхронного генератора. Его характеристики.
- •54. Основные свойства, характеристики и типы полупроводниковых диодов. Расчет электронных схем с диодами.
- •4.1.1. Выпрямление в диоде
- •4.1.2. Характеристическое сопротивление
- •4.1.4. Эквивалентная схема диода
- •55. Работа синхронной машины в режиме двигателя. Рабочие характеристики синхронного двигателя.
- •56.Краткие сведения о структуре полупроводников, электрические переходы в полупроводниках.
- •Свойства полупроводников.
- •Строение атомов полупроводников.
- •Электропроводность полупроводника.
- •Электронно-дырочная проводимость.
- •Электронная проводимость.
- •Дырочная проводимость.
50. Основные свойства, характеристики и типы полевых транзисторов.
Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток создаётся только основными носителями зарядов под действием продольного электрического поля, а управление этим током осуществляется поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным к управляющему электроду (рис. 2.1).
Рис. 2.1. Устройство полевого транзистора: а – с n-каналом; б – с p-каналом
Несколько определений: · вывод полевого транзистора, от которого истекают основные носители зарядов, называется истоком(И); · вывод полевого транзистора, к которому стекают основные носители зарядов, называется стоком (С); · вывод полевого транзистора, к которому прикладывается управляющее напряжение, создающее поперечное электрическое поле называется затвором (З); · участок полупроводника, по которому движутся основные носители зарядов, между р-n переходом, называется каналом полевого транзистора. |
Поэтому полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с каналом р-типа или n-типа. Условное графическое изображение полевого транзистора приведено на рис. 2.2, с каналом n-типа и р-типа соответственно.
|
Следовательно можно сделать вывод, что полевой транзистор представляет собой управляемый полупроводниковый прибор, так как, изменяя напряжение на затворе, можно уменьшать ток стока, и поэтому принято говорить, что полевые транзисторы с управляющими р-n переходами работают только в режиме обеднения канала.
2.2. Характеристики и параметры полевых транзисторов
К основным характеристикам полевых транзисторов относятся:
· стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока IС от напряжения на затворе UЗИ (рис. 2.4, а);
· стоковая характеристика – это зависимость IС от UСИ при постоянном напряжении на затворе (рис. 2.4, б)
IС = f (UСИ), при UЗИ = const.
Рис. 2.4. Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n переходом:а – стокозатворная (входная); б – стоковая (выходная)
Основные параметры полевых транзисторов:
· напряжение отсечки;
· крутизна стокозатворной характеристики. Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В (рис. 2.4, а)
QUOTE S=∆Ic∆Uзи , при UСИ = const,
;
· внутреннее (или выходное) сопротивление полевого транзистора (рис. 2.4, б)
, при UЗИ = const;
· входное сопротивление
.
Так как на затвор подаётся только запирающее напряжение, то ток затвора будет представлять собой обратный ток закрытого p-n перехода и будет очень мал. Величина входного сопротивления Rвх будет очень велика и может достигать 109 Ом.
Полевые транзисторы с изолированным затвором
2.3.1. Транзистор со встроенным каналом
2.3.2. Транзисторы с индуцированным каналом
Данные приборы имеют затвор в виде металлической плёнки, которая изолирована от полупроводника слоем диэлектрика, в виде которого применяется окись кремния. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором называют МОП и МДП. Аббревиатура МОП расшифровывается как металл, окись, полупроводник, а МДП расшифровывается как металл, диэлектрик, полупроводник.
МОП-транзисторы могут быть двух видов:
· транзисторы со встроенным каналом;
· транзисторы с индуцированным каналом.
Их графические обозначения приведены на рис. 2.5.
Рис. 2.5. Графическое обозначение МОП-транзисторов:а – со встроенным каналом n-типа; б – со встроенным каналом p-типа; в – с индуцированным каналом n-типа; г – с индуцированным каналом p-типа
2.3.1. Транзистор со встроенным каналом
Структура полевого транзистора со встроенным каналом приведена на рис. 2.6, а. Основой такого транзистора является кристалл кремния р- или n-типа проводимости.
Рис. 2.6. МОП-транзистор со встроенным каналом: а – структура транзистора со встроенным каналом n-типа; б – стокозатворная характеристика