- •46 Содержание
- •1 Введение
- •2 Литературный обзор
- •2.1 Электрические методы исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств полупроводников
- •2.1.1 Вольтамперная характеристика
- •2.1.2 Вольтфарадная характеристика, вольтсименсная характеристика
- •2.1.3 Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, фотопроводимость
- •2.1.4 Фото-электродвижущая сила
- •2.1.5 Фотоемкостной эффект
- •2.2 Наблюдение фотостимулированных эффектов в полупроводниках
- •2.2.1 Фотостимулированные преобразования в элементарных полупроводниках
- •2.2.2 Фотостимулированные преобразования в полупроводниках aiiibv
- •2.2.3 Фотостимулированные преобразования в полупроводниках aiibvi
- •2.3 Модели фотостимулированных изменений в полупроводниках
- •2.4 Выводы по главе
- •3 Теоретическое рассмотрение шумовых свойств фоторезисторов при совместном действии напряжения и фоновой засветки
- •3.1 Экспериментальные результаты по шумам фоторезисторов из CdSe
- •3.2 Расчет фотопроводимости и напряжения шума при действии фоновой засветки
- •3.3 Расчет дисперсии флуктуаций числа носителей заряда в примесно-дефектных полупроводниках при действии фона
- •3.4 Сравнительный анализ экспериментальных и теоретических результатов
- •3.5 Выводы по главе
- •4 Модельные представления о формировании электрических свойств в поликристаллических материалах при фоновой засветке
- •4.1 Математическая модель изменения шума фоторезистора при действии фона
- •4.2 Физическая модель формирования шума в поликристаллических полупроводниках при действии фона
- •4.3 Выводы по главе
- •5 Заключение
- •6 Список использованных источников
- •Приложение а. Решение интеграла
Приложение а. Решение интеграла
В данном приложении представлен ход решения интеграла, представленного в формуле 3.7.
Начальный вид интеграла:
Примем:
Тогда исходный интеграл можно представить как:
Функция распределения концентрации Nt(E) в запрещенной зонe представлена на рисунке А.1.
Рисунок А.2 - Энергетическая диаграмма
Так как функция симметрична с обоих сторон относительно середины запрещенной зоны Ei, то зададим Nt(E) от Ei до Ec ( Рисунок А.2).
Рисунок А.2. Энергетическая диаграмма на участке от Ei до Ec
1) При EiE:
;
2) При E:
;
3) При E:
Внутренний интеграл разобьем на 3 участка:
Вычислим первый внутренний интеграл, лежащий в пределах интегрирования от Ei до :
Для этого применим формулу интегрирования по частям :
= UV- ;
Где в качестве U(x) возьмем :
В качестве dV(x) :
Зная dV(x) определим V(x):
Найдем произведение U(x)*V(x) :
Вычислим интеграл V(x)*dU(x):
Получившийся внутренний интеграл можно представить как:
Данный интеграл необходимо проинтегрировать по энергии от Ei до :
Перейдем к вычислению внешнего интеграла:
Разобьем на несколько интегралов:
Рассмотрим каждый интеграл отдельно:
И тогда получившееся выражение для внешнего интеграла: