6. Заключение.

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для различных отраслей техники и особенно для полупроводниковой электроники. Полупроводниковая электроника требует гораздо более глубокого, чем обычно, рассмотрения процесса диффузии. Очень велика роль диффузии в процессах микроминиатюризации аппаратуры.

Диффузия в металлах и сплавах является сравнительно старой проблемой, которая в течение ряда лет успешно разрабатывается многими физическими и металлургическими лабораториями мира. Накопленный здесь экспериментальный и теоретический материал имеет большое значение для решения многих задач современной техники и является ценным вкладом в развитие теории твердого тела. Исследованиям же диффузионных процессов в полупроводниках до последнего времени не уделялось должного внимания. Между тем бурное развитие этой важной области физики, активная разработка новых полупроводниковых приборов и внедрение полупроводниковых материалов в технику требуют, наряду с изучением электрических, фотоэлектрических, термоэлектрических и других свойств полупроводников, также всестороннего исследования процессов диффузии и самодиффузии в этих веществах. Ценность таких исследований не ограничивается решением частных технологических задач. Изучение процессов диффузии в полупроводниках имеет также большое научное значение. Полупроводниковая электроника и техника квантовых оптических генераторов требуют гораздо более глубокого, чем обычно, рассмотрения процесса диффузии. Эти исследования особенно важны для углубления наших представлений о механизме влияния примесей и дефектов на физические свойства полупровод­ников.

Диффузионная технология в производстве изделий электронной техники обладает комплексом критериев прогрессивности: высокой производительностью, достигающейся за счет одновременной групповой обработки большого количества изделий; универсальностью, т. е. возможностью проведения процесса диффузии различных примесей с помощью однотипных технологических операций, выполняющихся на однотипном оборудовании; адаптивностью, т. е. возможностью быстрой, не требующей больших затрат перестройки оборудования и изменения параметров технологических операций для изготовления новых видов изделий. Указанные качества обусловливают высокую жизнеспособность диффузионной технологии, т. е. способность ее длительного существования в условиях непрерывного появления и параллельного развития конкурирующих способов формирования р-п-переходов в полупроводниках, например, ионного легирования.

8. Список литературы

1. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов. —М.: Радио и связь, 1987. C 42-44; 119-140

2. Игумнов Д. В., Костюнина Г. П. Основы полупроводниковой электроники. Учебное пособие. - М: Горячая линия-Телеком, 2005. C 6-13

3. Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов.— М.: Радио и связь, 1989. C 353-370

4. Березин А. С., Мочалкина О. Р. Технология и конструирование интегральных микросхем : Учеб пособие для вузов/Под ред. И. П. Степаненко. — М.: Радио и связь, 1983. C 18 – 35

5. Курносов А. И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. – М.: Высш. Школа, 1974 г. С 139-161