Пзу, программируемые возбуждением тока.

Программирование током лишено основных недостатков массовых ПЗУ – длительный процесс программирования и дорогостоящий процесс изготовления маски. Здесь программирование может происходить на уровне потребителя.

Диодная матрица.

Транзисторная матрица.

Программирование осуществляется путем разрушения плавных перемычек в соответствующих местах. Величина тока 20 50мА,

t_{програм}=10 200мсек.

Третья разновидность электрически программируемого пзу (эппзу).

Имеет вид:

Программирование осуществляется пропусканием через соответствующую ячейку высоковольтных и сильноточных импульсов. Это вызывает лавинный пробой в соответствующем программируемом перепаде и короткому замыканию в нем.

VD1 – переход эмиттер база, а VD2 – переход база коллектор.

При пробое VD1 металлизации сдвигается к базе, образуя постоянное жесткое замыкание перехода эмиттер база. Чтобы избегать «забрызгивание» коллекторного перехода. Надо честно контролировать величину программируемого тока (20 50мА, t_{програм}=10 200мсек).

Перепрограммируемые пзу.

Для таких ПЗУ используются МОП структуры с плавающим затвором и лавинным накоплением заряда (инжекцией) ПЛМОП.

В ПЛМОП транзисторе затвор окружен окислом и не имеет гальванической связи с другой частью схемы. Для включения транзистора к электродам И.С, подключается напряжение величиной более 50 В. Это вызывает лавинный пробой одного из pn- перехода (в зависимости от знака включаемого напряжения). В результате проходит лавинная инжекция электронов в поликристаллический кремний (в затвор). Т.к. затвор изолирован окислом, то заряд оказывается захваченным в нем на очень длительное время даже после снятия вкл. напряжения. Заряд вызывает появление инверсного слоя в подложке вблизи поверхности вблизи поверхности под затвором (как в обычном транзисторе).

Транзистор оказывается включенным (т.е. проводит ток). Для стирания информации, транзистор, находящийся под током подвергается действию ультрофиалетового излучения, что приводит к нейтрализации заряда затвора и возвращению транзистора в исходное состояние (выключение).

При U_{m имп}=50В и t_u=5мс накапливается заряд Кл/см² затухание этой величины до 70% происходит за 100 лет. Считывание информации осуществляется при подаче U_счит=15В.

Использование плавающего затвора с лавинной инжекцией в транзисторе МОП (ПЛМОП) позволяет использовать их в ячейках памяти. Для организации считывания (т.к. затвор у ПЛМОП отсутствует) последовательно с ними включаются обычные МОП транзисторы, затворы которых включены в шину слов.

Если транзистор VT1 открыт, а VT2 и VT3 закрыты, то при адресации шины 1 транзисторы VT4, VT5 и VT6 открываются. Но информация появляется только на шине слов 1, а на остальных информация будет отсутствовать.

30. Триггер с коллекторно-базовыми связями: схема, принцип действия. Мультивибраторы.

Если в симметричном триггере одну или обе цепи связи между каскадами заменить чисто ёмкостными, то соответственно одно или оба устойчивых (статических) состояний равновесия превращаются в неустойчивые, длительность которых будет определяться процессами релаксации – зарядом или разрядом конденсаторов в цепях связи. генераторы импульсов с резистивно-емкостными межкаскадными связями, обладающие одним или двумя квазиустойчивыми состояниями, называются мультивибраторами.

Мультивибраторы могут работать в одном из следующих режимов: ждущий, автоколебаний, синхронизации.

Мультивибраторы можно реализовать на транзисторах, лампах, приборах с отрицательным сопротивлением и интегральных схемах.