- •1. Особенности интегрального метода.
- •2. В основе имс положена планарная технология.
- •9. Особенности кристаллической решётки полупроводников.
- •12. Виды дефектов. Структурные точечные дефекты.
- •13. Дефекты по Френкелю. Равновесная концентрация дефектов.
- •14. Дефект по Шоттки.
- •15. Примесные дефекты и их влияние на свойства полупроводниковых материалов.
- •16. Поверхностное натяжение, её зависимость от температуры.
- •17.Смачиваемость. Мера смачиваемости.
- •18. Критерий смачиваемости.
- •19. Адгезия. Факторы, влияющие на адгезию.
- •20. Виды адгезии. Природа и механизм сил адгезии.
- •21. Адгезивы. Привести примеры использования.
- •22. В каком случае загрязнения поверхности усиливают адгезию? Факторы, влияющие на адгезию.
- •23. Адсорбция. Виды адсорбции.
- •24. Влияние температуры на адсорбцию.
- •25. Адсорбция.
- •30, 31. Влияние состояния пов-ти на rкр.
- •32. Влияние tº на критический радиус зародыша.
- •33. Теория двухмерного пара Френеля-Родина.
- •34. Какие технологические факторы опред-ют мелко- или крупно-зернистую структуру пленки.
- •35. Виды эпитаксии, основные особенности.
- •36. Эпитаксия. Опред-е, особенности.
- •37. Основные этапы роста эпитаксиальных пленок.
- •38. Методы легирования п/п материалов.
- •39. Особенности процесса термодиффузии.
- •40. Первый з-н Фика.
- •47. Основные технологические факторы влияющие на процесс термодиффузии.
- •49. Анизотропия диффузии.
- •50. Влияние структурных дефектов на коэффициент диф-ии.
- •51. Трубчатая диф-я.
- •67. Факторы, влияющие на глубину проникновения ионов в вещество.
- •68. Распределение концентрации имплантированных ионов по глубине проникновения.
- •69. Каналирование ионов.
- •70. Факторы, влияющие на эффективность каналирования.
- •71. Механизм образования радиационных дефектов при ионной имплантации.
- •72. Отжиг радиационных дефектов.
- •73. Лазерный отжиг радиационных дефектов
- •74, 75. Лазерный и электролучевой отжиг, достоинства и недостатки.
- •77. Способы сухой очистки подложек.
- •78. Газовое травление как способ очистки подложки.
- •79. Виды загрязнений подложек и методы их удаления.
- •80. Способы жидкостной обработки пластин.
- •81. Механизм физического и химического обезжиривания.
- •82. Получение особо чистой воды.
- •85.Ионно-плазменное травление.
- •86. Плазменно-химическое травление.
- •93. Основные этапы термо-вакуумного метода нанесения плёнок.
93. Основные этапы термо-вакуумного метода нанесения плёнок.
1) Созд. потока частиц испаряемого материала; 2) Перенос частиц от испарителя к подложке. Главное условие d<λ; 3) Конденсация и формирование плёнки. Крайне важно поддерживать высокую темпер. подложки, поскольку частицы попадая на нагретую подложку, обладают дополнительной энергией и способны перемещаться по пов-ти. Это способствует созд. необходимых усл. для получения плотной и прочной плёнки (Т=600С). Достоинства: 1) Высокая скорость; 2) Выс. чистота; 3) Выс. производительность при групповой загрузке и обработке; 4) За счёт использования масок можно получить любую конфигурацию пленок. Недостаток: 1) Неравномерность процесса напыления; 2) Сложность получения пленок из диэлектрических материалов.
94. Ионно-плазменный метод нанесения пленок. Достоинства и недостатки. Достоинства: 1) Возм. получения пленок из любых, даже самых тугоплавких материалов; 2) Получ. более равномерных плёнок на большой площади; 3) Обеспеч. более высокой адгезии плёнки на подложке; 4) Возм. напылять плёнки из сплавов без опасности фракционирования и сипорации.
95. Высокочастотное распыление. Здесь, благодаря попеременной бомбардировке катода электронами и ионами позволяет распылять диэлектрики. Диэл. мишень крепят на проводящей пластине, к кот. подводят ВЧ энергию 10 МГц. Полож. заряд на мишени нейтрализуется электронами, из-за различия в подвижностях ионов и электронов вокруг электродов возникает обогащенная ионами оболочка. Эти ионы бомбардируют мишень, вызывая ее распыление.
96. Магнетронно-распылит. с-мы. Принцип работы. Эти системы содержат анод и катод-мишень из распыляемого материала. Для формирования плазмы используется магн. поле. Зона тлеющего разряда плотной плазмы низкого давления имеет замкнутую конфигурацию и локализована над катодом-мишенью в области магн. поля, где и происходит интенсивное распыление материала.
98. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Это процесс получ. эпитаксиальных пленок методом конденсации на подложке разреж. паров вещ-в. Осажд. провод. в сверхвысоком вакууме на чистую монокристаллическую подложку, темп. которой поддерживается невысокой. Si испаряется из жидкой или твёрдой фазы и конденс. на нагретую до заданной температуры монокристаллическую подложку. Атомы кремния вследствие высокой температуры подложки диффундируют по её пов-ти и встраиваются в места решётки, облад. минимумом свободной энергии, образуя эпитаксиальный слой.