79. Виды загрязнений подложек и методы их удаления.

Виды загрязнений классифицируются по двум признакам: 1) по физико-химическим свойствам (органические и неорганические, солевые, ионные, механические); 2) по характеру взаимодействия с основными п/п материалами: а) физически-адсорбированные – все виды механических частиц, а также виды органических материалов, связанные с поверхностью подложки силами физической адсорбции. Все механические частицы легко удаляются технологическими промывками, а удаление органических загрязнений требуют более сложный процесс отмывки подложек; б) химически-адсорбированные загрязнения – все виды оксидных и сульфидных пленок, удаляют проведением комплекса химических реакций с использованием травильных растворов.

80. Способы жидкостной обработки пластин.

Используются водные и другие растворы различных реактивов. К способу жидкостной обработки относится физич. и химич. обезжиривание, химиц. и электрохим. травление, промывка в воде.

81. Механизм физического и химического обезжиривания.

Сначала происходит физическое обезжиривание в два этапа основано на отрыве молекул жира на поверхности при взаимод. с органич-ми растворителями: 1) Зашкуриваем пластину; 2) Шлифуем пастой Гоя. После начинается химическое обезжиривание в два этапа основано на разрушении молекул жира растворителями: 1) ацетон; 2) бензин.

82. Получение особо чистой воды.

Воду процеживают через множество фильтров. Затем многократная перегонка. Потом деионизация, которую производят с помощью ионнообменных смол. В состав таких смол входят радикал и водород катионит R-H, а также аниониты.

83. Механизм ионного травления. При взаимодействии ускоренного иона с атомом п/п подложки, происходит передача импульса от иона к атомам. Если Е_i>>E_смещ, то возникает целый каскад смещений из узлов кристаллической решетки. При этом смещенные атомы могут передавать импульс соседним. Если импульс передается поверхностным атомам, в направлении подложки, а величина передающейся энергии превышает энергию связи, то атом удаляется с поверхности подложки. Если энергия иона на много превышает энергию смещения, то каждый ион может обеспечить выбивание нескольких поверхностных атомов (E_смещ=10-16 эВ).

84. Факторы влияющие на коэффициент ионного распыления. Процесс ионного травления характеризуется коэффициентов ионного распыления. К_р=N_ат/N_i отношение выбиваемых атомах на один подающий ион. К_р зависит от: 1) Энергии ионов.С ростом Е_i возрастает кол-во смещ атомов, а следовательно кол-во поверх атомов получивших импульс.однако при достижении некоторой Е_i происходит уменьшение К_р. 2) Зарядное число ионов n⁺ . При увеличении n⁺ при прочих равных условиях возрастает почти линейно. 3) Атомный номер элемента z₁ с ростом порядкового номера К_р возрастает. 4) Атомный номер элемента мишени z_2. Носит периодический характер и согласуется с зависимостью энергии сублимации этих ионов.5) Угол падения φ.При изменении φ от 0 до 60 наблюдается рост, т.к. глубина смещ атомов < λ_ср. При изменении φ от 60 до 90 наблюдается уменьшение К_р, т.к. возрастает отражение ионов от поверхности. 6) Давление. При давление меньше 1Па К_р от него не зависит, при дальнейшем повышение давления К_р уменьшается.