- •1. Особенности интегрального метода.
- •2. В основе имс положена планарная технология.
- •9. Особенности кристаллической решётки полупроводников.
- •12. Виды дефектов. Структурные точечные дефекты.
- •13. Дефекты по Френкелю. Равновесная концентрация дефектов.
- •14. Дефект по Шоттки.
- •15. Примесные дефекты и их влияние на свойства полупроводниковых материалов.
- •16. Поверхностное натяжение, её зависимость от температуры.
- •17.Смачиваемость. Мера смачиваемости.
- •18. Критерий смачиваемости.
- •19. Адгезия. Факторы, влияющие на адгезию.
- •20. Виды адгезии. Природа и механизм сил адгезии.
- •21. Адгезивы. Привести примеры использования.
- •22. В каком случае загрязнения поверхности усиливают адгезию? Факторы, влияющие на адгезию.
- •23. Адсорбция. Виды адсорбции.
- •24. Влияние температуры на адсорбцию.
- •25. Адсорбция.
- •30, 31. Влияние состояния пов-ти на rкр.
- •32. Влияние tº на критический радиус зародыша.
- •33. Теория двухмерного пара Френеля-Родина.
- •34. Какие технологические факторы опред-ют мелко- или крупно-зернистую структуру пленки.
- •35. Виды эпитаксии, основные особенности.
- •36. Эпитаксия. Опред-е, особенности.
- •37. Основные этапы роста эпитаксиальных пленок.
- •38. Методы легирования п/п материалов.
- •39. Особенности процесса термодиффузии.
- •40. Первый з-н Фика.
- •47. Основные технологические факторы влияющие на процесс термодиффузии.
- •49. Анизотропия диффузии.
- •50. Влияние структурных дефектов на коэффициент диф-ии.
- •51. Трубчатая диф-я.
- •67. Факторы, влияющие на глубину проникновения ионов в вещество.
- •68. Распределение концентрации имплантированных ионов по глубине проникновения.
- •69. Каналирование ионов.
- •70. Факторы, влияющие на эффективность каналирования.
- •71. Механизм образования радиационных дефектов при ионной имплантации.
- •72. Отжиг радиационных дефектов.
- •73. Лазерный отжиг радиационных дефектов
- •74, 75. Лазерный и электролучевой отжиг, достоинства и недостатки.
- •77. Способы сухой очистки подложек.
- •78. Газовое травление как способ очистки подложки.
- •79. Виды загрязнений подложек и методы их удаления.
- •80. Способы жидкостной обработки пластин.
- •81. Механизм физического и химического обезжиривания.
- •82. Получение особо чистой воды.
- •85.Ионно-плазменное травление.
- •86. Плазменно-химическое травление.
- •93. Основные этапы термо-вакуумного метода нанесения плёнок.
40. Первый з-н Фика.
Хар-ет величину потока атомов одного вещества в другое при постоянном градиенте и концентрации:
t, I – величина или плотность потока вещества, проходящего ч/з границу площади за единицу времени.
- градиент концентрации потока в-ва
D – коэф-т диффузии.
Минус показывает, что диффузия в направлении убывания концентрации.
Факторы, влияющие на процесс диф-и.
Температура – главным образом влияет на частоту колебаний:
, Z – число направлений колебаний;
- средняя частота колебаний в одном направлении;
Влияние Т на D можно описать ур-ем:
где DT – D при Т, Dо – D при известн. Т, ЕD – энергия активации дифф. процесса;
Постоянная решётки: чем выше плотность материала, тем меньше постоянная решётки и тем меньше D.
Дефекты: если на поверхности п/п кристалла выходит значительное колличество линейных дефектов (краевых дислокаций), то процесс диффузии значительно ускорится.
41. Физический смысл коэф-та диффузии D.
Заключается в том, что он указывает величину плотности потока I при заданном градиенте концентрации, т.е. является показателем скорости, с которой система способна устранить градиент концентрации.
42. Уравнение Аррениуса для коэф-та диффузии.
Выглядит так:
, где k – коэф-т скорости; Еа – энергия атомов; Т – температура; А – константа.
43. Механизм термодиффузии:
Осуществляется в четыре этапа:
1. Газовый массоперенос окислителя к поверхности подложки.
2. Адсорбция окислителя в оксидную пленку подложки.
3. Диффузия окислителя через оксидную пленку к материалу подложки.
4. Химическая реакция окислителя с материалом подложки.
Скорость термодиффузии зависит от самого медленного этапа – диффузии окислителя.
44. Роль структурных дефектов в процессе диффузии.
Если на поверхности п/п кристалла выходит значительное колличество линейных дефектов (краевых дислокаций), то процесс диффузии значительно ускорится. В этом случае предполагается, что диф-я протекает по своеобразным каналам вдоль линии дслокации (трубчатая диф-я).После проникновения диф-ов вглубь кристалла происходит перераспределение атомов примесей по сторонам.
45. 2 закон Фика
Изменение концентрации вещ-ва в некотором объеме должно быть равно результирующему потоку внутри этого объема:
При заданном значении коэффициента диффузии это уравнение описывает характер распределения диффундирующих частиц в различных точках среды, как функцию времени.
46. Как и какие св-ва термодиффузии используются при создании n-p-n и p-n-p структур.
Обычно процессы диффузии проводят в две стадии:
1. На поверхности кристалла создается относительно тонкий слой примеси – загонка.
2. Кристалл нагревается так, что единственным процессом диффузии является перераспределение примеси на большую глубину кристалла – разгонка.
Разделение на две стадии позволяет более тщательно управлять процессом диффузии. Профиль концентрации примеси при создании диффузионных p-n-p структур может быть использован для образования структур транзистора.
47. Основные технологические факторы влияющие на процесс термодиффузии.
Основными технолог. факторами определяющими коэффициент диффузии являются:
Время протекания диффузии
Температура
Время процесса диффузии
Природа материала
Наличие деффектов
Кристаллографическое направление
48. Влияние температуры на коэффициент диффузии.
Температура главным образом влияет на частоту колебаний
, где - средняя частота колебаний в одном направлении; z - число направлений колебаний;
чем больше T тем больше атомов, тем выше частота колебаний и тем более высокая энергия сообщения диффундирующих атомов и тем с большей скорость они движутся сквозь кристаллическую решетку.
Влияние Т на D можно описать ур-ем:
где DT – D при Т, Dо – D при известн. Т, ЕD – энергия активации дифф. процесса;