Контрольні питання

1. Намалюйте модель Еберса-Молла для n-p-n транзистора. Поясніть призначення елементів.

2. Намалюйте модель Еберса-Молла для p-n-p транзистора. Поясніть призначення елементів.

3. Запишіть залежність для струмів переходів.

4. Складіть залежності і для транзистора з ЗБ.

5. Складіть залежності і для транзистора з ЗЕ.

6. Складіть залежності і для транзистора з ЗК.

7. Що таке нормальний і інверсний режим роботи транзистора?

8. Як визначається коефіцієнт передачі по струму транзистора з ЗБ?

9. Як визначається коефіцієнт передачі по струму транзистора з ЗЕ?

10. Зв'язок між коефіцієнтами передачі по струму транзистора з ЗБ і ЗЕ.

11. Як визначаються динамічні параметри транзистора?

Лабораторна робота № 2 Моделювання біполярного транзистора в режимі малого сигналу

Мета роботи – ознайомлення з моделями біполярного транзистора для малого сигналу.

Теоретичні відомості

Для моделюванні транзисторів при роботі в режимі малого сигналу знаходить широке застосування гібридна П-образна малосигнальна модель, що має високу точність і є широкосмуговою. Для транзистора, включеного з ЗЕ, модель представлена на рис.1.2.

Рисунок 1.2 – Малосигнальна модель транзистора

Компоненти моделі мають наступний сенс:

- еквівалентна розподілена провідність бази;

- провідність переходу емітер-база;

- дифузійна ємність переходу емітер база;

- сумарна провідність витоку і дифузійна провідність колекторного переходу;

- бар'єрна ємність колекторного переходу;

- еквівалентна провідність переходу емітер-колектор;

S - еквівалентна провідність (крутизна) залежного джерела струму, керованого напругою на переході емітер-база.

Система рівнянь схеми на рис. 1.2, складена методом вузлових потенціалів, має наступний вигляд:

	б	б΄	К	.		=
Б					Uб		Iб
Б΄					Uб΄		Iб΄
К					Uк		Iк

(1.12)

Тут , , ,

, ,

, ,

- уявна одиниця, - кругова частота.

Рішення даної системи рівнянь методом Крамера за умови, що струми і рівні нулю, дає наступні співвідношення для напругі на зовнішніх вузлах схеми:

, (1.13)

, (1.14)

де - визначник матриці провідності в (1.12).

По даних співвідношеннях визначаються функції даної схеми:

- комплексний коефіцієнт підсилення по напрузі:

, (1.15)

- вхідний комплексний опір:

. (1.16)

Частотні властивості функції схеми характеризуються амплітудно-частотною характеристикою (АЧХ), фазо-частотною характеристикою (ФЧХ). Наприклад, коефіцієнт підсилення транзистора по напрузі характеризується:

- амплітудно-частотною характеристикою (АЧХ)

; (1.17)

- фазо-частотною характеристикою (ФЧХ)

. (1.18)

АЧХ – це залежність модуля комплексного коефіцієнта підсилення від частоти. ФЧХ – це залежність від частоти аргументу комплексного коефіцієнта підсилення.