- •Загальна характеристика циклу лабораторних робіт
- •1 Дослідження математичних моделей біполярного транзистора Лабораторна робота № 1 Моделювання біполярного транзистора по постійному струму
- •Теоретичні відомості
- •Лабораторне завдання
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 2 Моделювання біполярного транзистора в режимі малого сигналу
- •Теоретичні відомості
- •Лабораторне завдання
- •Зміст|вміст,утримання| звіту
- •Контрольні питання
- •2 Моделювання лінійних електронних схем Лабораторна робота № 3 Складання математичної моделі електронної схеми
- •Теоретичні відомості
- •Лабораторне завдання|
- •Зміст|вміст,утримання| звіту
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 4 Аналіз математичної моделі електронної схеми
- •Теоретичні відомості
- •Лабораторне завдання
- •Зміст|вміст,утримання| звіту
- •Контрольні питання
- •3 Моделювання нелінійних резистивних схем Лабораторна робота № 5 Чисельні методи розв’язку нелінійних алгебраїчних рівнянь при моделюванні нелінійних схем
- •Теоретичні відомості
- •Лабораторне завдання
- •Порядок проведення роботи
- •Зміст|вміст,утримання| звіту
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 6 Моделювання нелінійних схем за постійним струмом з використанням ітераційних моделей нелінійних компонентів
- •Теоретичні відомості
- •Лабораторне завдання
- •Порядок проведення роботи
- •Зміст|вміст,утримання| звіту
- •Контрольні запитання
- •4 Моделювання лінійних динамічних схем Лабораторна робота №7 Методи чисельного рішення звичайних диференційних рівнянь при моделюванні електронних схем
- •Теоретичні відомості
- •Лабораторне завдання
- •Лабораторна робота №8 Моделювання електронних схем з використанням дискретних моделей lc‑елементів
- •Теоретичні відомості
- •Лабораторне завдання
- •Контрольні запитання
- •5 Оптимізація електронних схем Теоретичні відомості
- •Лабораторна робота №9 Мінімізація функцій багатьох змінних
- •Порядок проведення роботи
- •Лабораторна робота №10 Оптимізація параметрів елементів фільтру низких частот
- •Порядок проведення роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літературних джерел Основний список
- •Додатковий список
Контрольні питання
Намалюйте гібридну П-образну малосигнальну модель транзистора.
Яку фізичну суть|зміст,рація| мають параметри , , ?
Яку фізичну суть|зміст,рація| мають параметри , , ?
Яку фізичну суть|зміст,рація| має джерело струму|тік|, кероване напругою|напруження| ?
Пояснить, як складена матриця провідності в рівнянні (1.12) ?
Пояснить метод Крамера рішення|розв'язання,вирішення,розв'язування| лінійних алгебраїчних рівнянь.
Пояснить, що таке АЧХ| і ФЧХ|?
Пояснить переклад|переведення,переказ| комплексних чисел з|із| алгебраїчної форми|форма| |вистава,подання,представлення| в показникову і навпаки.
Запишіть формулу для представлення коефіцієнта підсилення в дБ|.
Запишіть формулу для коефіцієнта підсилення схеми.
Запишіть формулу для вхідного опору схеми.
2 Моделювання лінійних електронних схем Лабораторна робота № 3 Складання математичної моделі електронної схеми
Мета|ціль| роботи - вивчення основних|основний| операцій з|із| матрицями|матриця| на прикладі|зразок| складання методом вузлових потенціалів системи рівнянь лінійної електронної схеми.
Теоретичні відомості
Математична модель схеми складається на підставі топологічних і компонентних рівнянь. Компонентні рівняння визначають зв'язки між струмами|тік| і напругами|напруження| елементів схеми. Топологічні рівняння складаються по законах Кирхгофа для струмів|тік| і напруг|напруження| і описують з'єднання|сполучення,сполука| елементів в схемі.
У системах комп'ютерного аналізу електронних схем найбільше застосування|вживання| отримав|одержав| метод вузлових потенціалів [1, 2, 3]. Формування топологічних рівнянь математичної моделі схеми в цьому методі проводиться|виробляється,справляється| згідно із законом Кирхгофа для струмів|тік|. У матричній формі|форма| ці рівняння записуються|занотовуються| у вигляді|вид|
(2.1)
де A – матриця з'єднань|сполучення,сполука| (інціденцій|) гілок схеми, I – вектор, складений із|із| струмів|тік| гілок графа схеми.
Матриця з'єднань|сполучення,сполука| складається з|із| 0, +1, -1 і має m рядків і n стовпців, причому m – число незаземлених вузлів, а n – число гілок (елементів) графа схеми. Якщо k-та гілка входить в i-й вузол, то на перетині|пересічення| k-го стовпця і i-го| рядка встановлюється|занотовувати| +1, якщо виходить, то -1.
При виведенні розрахункової формули методу вузлових потенціалів топологічне рівняння (2.1) на підставі уявлення|вистава,подання,представлення| перетворюється до вигляду|вид|:
, (2.2)
де - вектор, складений зі|із| струмів|тік| в гілках схеми, що не містять|утримувати| незалежні джерела струму|тік|; - вектор, складений зі струмів|тік| незалежних джерел струму|тік|; - підматриці|матриця| матриці|матриця| А, відповідні векторам і J.
Компонентне рівняння в методі вузлових потенціалів пов'язує вектор струменів|тік| гілок з вектором падіння напруги|напруження| на них:
, (2.3)
де - матриця, складена з|із| провідності гілок, які відповідають всім елементам схеми, окрім|крім| незалежних джерел струму|тік|.
Зв’язок між напругою|напруження| гілок і вузловими потенціалами визначається таким чином:
, (2.4)
, (2.5)
де UB - вектор напруги|напруження| на гілках, що не містять|утримувати| незалежні джерела струму|тік|; - вектор напруги|напруження| на гілках, які відповідають незалежним джерелам струму|тік|; Т – символ транспонування матриці|матриця|.
З|із| рівнянь (2.2) - (2.4) слідує|прямувати| формула методу вузлових потенціалів:
(2.6)
або
, (2.7),
де Yn – матриця вузлових провідностей схеми, - вектор вузлових задаючих струмів|тік|.
Перед складанням компонентної матриці|матриця| необхідно елементи схеми представити|уявити| в базисі вузлових потенціалів. У цьому базисі k-тою| гілкою графа схеми може бути:
- провідність , що описується рівнянням
; (2.8)
залежне джерело струму|тік|, кероване напругою|напруження| m-ной| гілки,
; (2.9)
- незалежне джерело струму|тік| величиною .
При складанні компонентної матриці|матриця| провідність записується|занотовується| на перетині k-го рядка і k-го стовпця, а провідність – на перетині k-го рядка і m-го стовпця матриці|матриця|.
Для перетворення елементів схем в придатний до методу вузлових потенціалів тип використовується еквівалентна заміна. Незалежні джерела напруги|напруження| замінюються джерелами струму|тік|. Залежні джерела напруги|напруження|, керовані напругою|напруження| або струмом|тік|, а також залежні джерела струму|тік|, керовані струмом|тік|, перетворяться в залежні джерела струму|тік|, керовані напругою.
Алгоритм складання математичної моделі еквівалентної схеми методом вузлових потенціалів складається з наступних|слідуючий| кроків.
Представити|уявити| елементи схеми в базисі вузлових потенціалів.
Вказати позитивний напрям|направлення| струмів|тік| і напруг|напруження| в гілках схеми, пронумерувати вузли схеми, привласнивши 0 загальному|спільний| вузлу.
Скласти матрицю|матриця| з'єднань|сполучення,сполука| А, виділивши в ній підматриці|матриця| і .
Скласти з|із| провідності гілок компонентну матрицю|матриця| .
Знайти матрицю|матриця| вузлової провідності .
Скласти вектор із|із| заданих джерел струму|тік|.
Знайти вектор вузлових задаючих струмів|тік| .
Знайти вектор вузлових потенціалів, вирішивши|рішивши,розв'язавши| систему рівнянь (2.7).
Знайти по співвідношеннях (2.3) – (2.5) вектори напруг і струмів|тік| гілок схеми.
Порядок|лад| перерахування|перелік| елементів у матрицях|матриця| і , а також у матриці|матриця| та векторі повинен співпадати|збігатися|.
Досліджувана в лабораторній роботі схема транзисторного підсилювача представлена|уявлена| на рис. 2.1,а. При заміні транзистора малосигнальною схемою заміщення (див. рис. 1.2) досліджувана схема набуває вигляду, вказаного на рис. 2.1,б.
а) б)
Рисунок 2.1 – Досліджувана схема підсилювача: а - |із| з умовним позначенням транзистора, б – із|із| заміщенням транзистора еквівалентною схемою
Для схеми на рис. 2.1,б, елементи якої відповідають базису вузлових потенціалів, матриця з'єднань|сполучення,сполука| А і її підматриці|матриця| і для вказаних на малюнку напрямів|направлення| струмів|тік| і введеної|запровадженої| нумерації|нумерація| вузлів характеризується таблицею 2.1.
Вектор незалежних джерел струму|тік| для даної схеми складається з одного елементу і задається співвідношенням:
. (2.10)
Таблиця 2.1 – Матриця з'єднань|сполучення,сполука| еквівалентної схеми підсилювача
|
Елементи вітвей |
Струм |
|||||||||||
|
gбб′ |
gб′е |
Cб′э |
Cб′k |
gб′k |
S |
gke |
Rк |
J1 |
||||
Вузли |
1 |
-1 |
-1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
||
2 |
0 |
1 |
-1 |
-1 |
-1 |
-1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|||
3 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
-1 |
-1 |
0 |
|||
|
Матриця Ав |
Aj |
Матриця провідності компонентів схеми має наступний|слідуючий| вигляд|вид|:
.(2.11)
Тут провідність двополюсних компонентів записана відповідно до (2.8) на головній діагоналі; крутизна|крутість| джерела струму|тік| записана згідно (2.9) на перетині|пересічення| 7-го рядка і 3-го стовпця, відповідного напрузі|напруження| на гілки, що управляє.