Динамические сву для видеоадаптеров

Однопортовые Двухпортовые [Специализированные

RDSRAM

Printed with FinePrint- purchase atwww.fineprint.com

Слайд ЗЭ

Специализированные

. Два потока - один «видеопамять - ЦП » (параллельный порт), второй -«видеопамять - Ц^Л » (последовательный порт). Яцро памяти (DRAM) дополнено памятью с последовательным доступом (S^M - Serial Access Memory) -емкость 4 КБ. Внутренняя шина D№M - SAM.

- аналогична VF№M , нэ чуть проще и быстрее . Некоторые

редко используемые ф-ции VF№M ликвидированы , введены другие -быстрое выведение на экран текста и закраска одним цветом больших площадей экрана . Быстрая буферизация данных , увеличенная разрядность внутренней ИД . Ускорено ядро микросхемы - Ultra Fast Page режим -время доступа Б не. В среднем \ЛШЧ на ЯУ/о производительнее и на 2У/о дешевле VRAM.

MDF&M - Multibank DFftM - содержит множество независимых банков памяти -го 1КЗ? разрядных слов . Банки на широкой внутренней шине . Отказ одного банка - влияет лишь на общую ёмкость микросхемы . Можно изготавливать микросхемы любой ёмкости , нэ обязательно кратно 2

Слюй 31

Специализированные

D -RPM - результат работы Mitsubishi и Sun Microsystems. Помимо ядра запоминающих элементов - микросхема 3) -\W\ содержит процессор (АЛУ ) и кш -память . Процессор может выполнять определённые действия с изображением прямо в памяти -> основные операции над пикселями - один такт . В результате в секунду можно выполнить до 400 млн . операций го обработке данных и закрасить до 4 млн . элементарных треугольников . Наи -для более равномерной нагрузки на процессор в процессе интенсивных вычислений .

Ядро 3D-R?M - из 4 банков общей ёмкостью Ю Mb it. Размер строк - в одной области памяти находилось как можно больше трёхмерных объектов -> экономия времени перехода аэ строки на строку . По цене сопоставима с VRAM.

Слайд 32

Printed with FinePrint- purchase atwww.fineprint.com

Многопортовые os/

Стандартное однопортовое СЕУ имеет 1 шину адреса ,1 шину данных ,1 шину управления . В многопортовых - имеется N наборов таких шин . С помощью этик шин предоставляется возможность одновременного независимого обращения к одному и тому же массиву ячеек для многих внешних устройств .

При отсутствии многопортового ЗУ обращение к дисковому накопителю производится без участия процессора , процессор отключается , а обращение к памяти осуществляется с помощью ГЩП

Когда в ЭВЧ присутствует многопортовая память информация может записаться с любого независимого порта в любом режиме

^fCLKA

8

DIDA ADRA W/RA

DIDB

A_DRB

W/RB

ENABD*

CLKE/*

CSBJ*

Слайд 33

Многопортовые OS/

1

Данные

Порт

г

J

Порт

Данные

ЦП

данных Л

данных П

ЦП

1

Адрес -• •-

Адрес

J УЕ Т

г

УЕ

Дешифратор адреса "Л"

1

Дешифратор адреса "П"

JB Т^1

"/

КУБЗЭ на2х адреса

чт/згТ

чт/зп

4

к

i

к

^1 Занято

Логика управления

"Занято

Семафоры от/для "Л"

Семафоры от/для"П"

Работа портов полностью независима . Проблемы возникают , если адреса , го которым производится доступ к памяти , совпадают . Например , одна шина пишет данные в ячейку памяти , другая - читает из этой же ячейки , поэтому эти действия блокируются с помощью специальной логики арбитража .

Printed with FinePrint- purchase atwww.fineprint.com

Многопортовые OS/

Арбитраж . ЕЗ - блок задержки . ЕМ - выбор микросхемы

Ал

БЗЛ

БЗП

Ап

Компаратор Кп

КомпэрЭТОР

ВМл

ВМп

Занят л

Занятп

Запрет зап. л

Запрет зап. п

Объединение ИМС памяти - паралл . и последовательно . В случае последовательного - сигналы неодновременны -> решение М£

_{СВ/ типа НТО}

НЮ - двухпортовое OS/, нэ один порт для занесения информации , а другой для считывания . Арбитраж - аналогичен .

Отличия - нет входов указания адреса ячейки - занесение и считывание данных - в порядке ик поступления через одну входную и одну выходную точку .

Необходима логика слежения за состоянием очереди - регистры указатели адресов начала и конца очереди + дел . флаги -отсутствие данных (блок чтения )f полное заполнение (блок записи

DIN . . . . . DOUT

Буфер

пуст

RS

WR

Буфер полон

Printed with FinePrint- purchase atwww.fineprint.com

_{Динамические СВ/}

Сводная таблица характеристик DRAM :

TlUI памяти	Рабоч ал частота., MHz	Разряди ость, йих	Время доступа, НС.	ВрёМЯ р.1М«Т=(1=Е 1! посла, не.	Пропускная сггосиОность,
	25,33	32	70,60	40,35	100. 132
ELO	■40,50	32	60. 50	25,20	160,200
SDRAM	66., 100, 133	64	40, 30	10,7,5	538,800, 1064
DDE.	100, 133		30, 22.5	5, 3.75	1600,2100
RDRAM	400.600, BOO		,30	„2.5	1600.2400.3200

Слайд 37

Nonvolatile Memory Chips

A comparison of various memory types.

Type

Category

Erasure

Byte alterable