- •С.Н. Гринфельд физические основы электроники
- •1. Электропроводность полупроводников
- •1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •1.2. Электропроводность собственных полупроводников
- •1.3. Электропроводность примесных полупроводников
- •1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •2. Электронно-дырочный переход
- •2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •3.1. Общие характеристики диодов
- •3.2. Виды диодов
- •4. Полупроводниковые транзисторы
- •4.1. Биполярные транзисторы
- •4.1.1. Общая характеристика
- •4.1.2. Принцип действия транзистора
- •4.1.3. Схемы включения транзисторов
- •4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики бт
- •4.16. Составной транзистор
- •4.2. Полевые транзисторы
- •4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Структура и принцип действия пт
- •Характеристики птуп
- •Параметры птуп
- •Эквивалентная схема птуп
- •Схемы включения полевого транзистора
- •Температурная зависимость параметров птуп
- •4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Структуры пт с изолированным затвором
- •Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •Статическая характеристика передачи (или сток – затвор)
- •Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
- •Максимально допустимые параметры полевых транзисторов
- •5. Тиристоры
- •5.1. Классификация тиристоров
- •5.2. Диодные тиристоры (динисторы)
- •5.3. Триодные тиристоры
- •5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.5. Зависимость работы тиристора от температуры
- •6. Усилители
- •6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей
- •6.2. Искажения в усилителях
- •6.3. Обратные связи в усилителях
- •6.3.1. Виды обратных связей
- •6.3.2. Влияние последовательной отрицательной ос по напряжению на входное и выходное сопротивления усилителя
- •6.3.3. Влияние отрицательной ос на нелинейные искажения и помехи
- •6.3.4. Влияние отрицательной ос на частотные искажения
- •6.3.5. Паразитные ос и способы их устранения
- •6.4. Усилители низкой частоты
- •6.5. Каскады предварительного усиления
- •6.5.1. Каскад с оэ
- •6 Рис. 6.21. График разрешенной области надежной работы транзистора.5.2. Стабилизация режима покоя каскада с оэ
- •6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току
- •6.5.4. Каскад с ок
- •6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •6.5.6. Схема с ос (истоковый повторитель)
- •7. Усилители постоянного тока
- •7.1. Определение усилителя постоянного тока. Дрейф нуля
- •7.2. Однотактные усилители прямого усиления
- •7.3. Дифференциальные усилители
- •7.3.1. Схема дифференциального каскада и ее работа при подаче дифференциального и синфазного входных сигналов
- •7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя
- •7.3.3. Коэффициент ослабления синфазного сигнала
- •7.3.4. Разновидности дифференциальных усилителей
- •8. Определение и основные характеристики операционных услителей
- •8.1. Устройство операционных усилителей
- •8.2. Характеристики операционных усилителей
- •Усилительные характеристики
- •Дрейфовые характеристики
- •Входные характеристики
- •Выходные характеристики
- •Энергетические характеристики
- •Частотные характеристики
- •Скоростные характеристики
- •8.3. Классификация оу
- •8.4. Применение операционных усилителей
- •Неинвертирующий усилитель на оу
- •Повторитель напряжения
- •И Рис. 8.12. Схема инвертирующего усилителянвертирующий усилитель
- •Инвертирующий сумматор
- •У Рис. 8.14. Схема усредняющего усилителясредняющий усилитель
- •Внешняя компенсация сдвига
- •Дифференциальный усилитель
- •Неинвертирующий сумматор
- •Интегратор
- •Дифференциатор
- •Логарифмический усилитель
- •Усилители переменного напряжения
- •9. Устройства сравнения аналоговых сигналов
- •9.1. Компараторы
- •9.2. Мультивибратор
- •10. Микроэлектроника
- •10.1. Основные определения
- •10.2. Типы Интегральных схем
- •10.2.1. Классификация ис
- •10.2.2. Полупроводниковые ис
- •10.2.3. Гибридные ис
- •10.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов
- •ЛабораторНые рабоТы Лабораторная работа 1 исследование статистических характеристик биполярного транзистора
- •О Рис. 1. Схема исследования характеристик транзистора по схеме с оЭписание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работ
- •Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольная работа
- •Задание
- •Последовательность расчета усилителя
- •Последовательность Расчета усилителя в области низких частот
- •Экзаменационные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Софья наумовна гринфельд физические основы электроники Учебное пособие
- •681013, Комсомольск-на-Амуре, пр. Ленина, 27.
4.1.2. Принцип действия транзистора
Принцип действия транзистора будет рассматриваться на примере транзистораp-n-p-типа (рис. 4.2). Если эмиттерный переход (ЭП) сместить в прямом направлении, а коллектор в обратном, то потенциальный барьер ЭП снизится и станет равнымUоэ–Uэ, а потенциальный барьер коллекторного перехода (КП) повысится и станет равнымUок+Uк. Одновременно уменьшится толщина ЭП, и увеличится толщина КП, причем увеличение толщины запирающего слоя произойдёт в основном в сторону базы, так как проводимость ее много меньше, чем проводимость коллектора.
Снижение потенциального барьера на ЭП вызовет инжекцию дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер, появляется эмиттерный ток (Iэ), который состоит из двух составляющих:
Iэр +Iэn.
Так как рэ >>nб, то дырочная составляющая тока эмиттера оказывается много больше электронной составляющейIэр >>Iэn, которая замыкается через цепь базы и не участвует в создании коллекторного тока. Поэтому её и стремятся сделать по возможности малой. Для цепи базы она является одной из составляющих тока базы.
В результате инжекции дырок из эмиттера концентрация их в базе у границы ЭП увеличивается и может значительно превышать равновесную, в то время как концентрация дырок у КП вследствие их экстракции практически равна нулю. Таким образом, распределение концентрации неосновных неравновесных дырок в базе имеет вид (рис. 4.2, а), т.е. возникает градиент концентрации дырок.Градиент концентрации вызывает диффузионное движение инжектированных дырок через базу от эмиттера к коллектору.
В процессе диффузии дырок к КП часть их рекомбинирует с электронами базовой области. Для сохранения нейтральности базы в неё входят электроны из внешней цепи, образуя рекомбинационный ток базы (Iб.рек).. Поскольку концентрация электронов в базе незначительна, по сравнению с концентрацией инжектированных из эмиттера дырок, и диффузионная длина дырок значительно больше толщины базы, вероятность рекомбинации мала и основная часть дырок достигает КП. Дырки, достигшие КП, попадают в его ускоряющее поле и перебрасываются в коллекторную область, создавая ток коллектора.
Чем больше дырок инжектируется эмиттером, тем больше градиент концентрации дырок в базе, тем большее их количество достигает коллектора, увеличивая его ток. Следовательно, ток коллектора пропорционален току эмиттера:
Iкр = αIэ.
Он называется управляемым током коллектора. Возможность управлять выходным током транзистора при изменении входного тока – важное свойство биполярного транзистора. Оно позволяет использовать его в качестве активного элемента различных схем. Коэффициент пропорциональности (α) называется коэффициентом передачи тока эмиттера и составляет 0.95...0.99.
Кроме Iкрв цепи коллектора протекает небольшой собственный обратный ток КП, не зависящий от тока эмиттера. Его обозначаютIкбо.
Таким образом, полный ток коллектора равен:
Ir= αIэ+Iкбо.
Между токами трех электродов транзистора существует зависимость, описываемая соотношением:
Iэ=Iк+Iб.
Из этих соотношений следует, что ток базы связан с током эмиттера следующим образом:
Iб= (1 – α)Iэ–Iкбо.