- •С.Н. Гринфельд физические основы электроники
- •1. Электропроводность полупроводников
- •1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •1.2. Электропроводность собственных полупроводников
- •1.3. Электропроводность примесных полупроводников
- •1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •2. Электронно-дырочный переход
- •2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •3.1. Общие характеристики диодов
- •3.2. Виды диодов
- •4. Полупроводниковые транзисторы
- •4.1. Биполярные транзисторы
- •4.1.1. Общая характеристика
- •4.1.2. Принцип действия транзистора
- •4.1.3. Схемы включения транзисторов
- •4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики бт
- •4.16. Составной транзистор
- •4.2. Полевые транзисторы
- •4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Структура и принцип действия пт
- •Характеристики птуп
- •Параметры птуп
- •Эквивалентная схема птуп
- •Схемы включения полевого транзистора
- •Температурная зависимость параметров птуп
- •4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Структуры пт с изолированным затвором
- •Статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •Статическая характеристика передачи (или сток – затвор)
- •Статические характеристики мдп-транзистора со встроенным каналом
- •Максимально допустимые параметры полевых транзисторов
- •5. Тиристоры
- •5.1. Классификация тиристоров
- •5.2. Диодные тиристоры (динисторы)
- •5.3. Триодные тиристоры
- •5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.5. Зависимость работы тиристора от температуры
- •6. Усилители
- •6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей
- •6.2. Искажения в усилителях
- •6.3. Обратные связи в усилителях
- •6.3.1. Виды обратных связей
- •6.3.2. Влияние последовательной отрицательной ос по напряжению на входное и выходное сопротивления усилителя
- •6.3.3. Влияние отрицательной ос на нелинейные искажения и помехи
- •6.3.4. Влияние отрицательной ос на частотные искажения
- •6.3.5. Паразитные ос и способы их устранения
- •6.4. Усилители низкой частоты
- •6.5. Каскады предварительного усиления
- •6.5.1. Каскад с оэ
- •6 Рис. 6.21. График разрешенной области надежной работы транзистора.5.2. Стабилизация режима покоя каскада с оэ
- •6.5.3. Работа каскада с оэ по переменному току
- •6.5.4. Каскад с ок
- •6.5.5. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •6.5.6. Схема с ос (истоковый повторитель)
- •7. Усилители постоянного тока
- •7.1. Определение усилителя постоянного тока. Дрейф нуля
- •7.2. Однотактные усилители прямого усиления
- •7.3. Дифференциальные усилители
- •7.3.1. Схема дифференциального каскада и ее работа при подаче дифференциального и синфазного входных сигналов
- •7.3.2. Схемы включения дифференциального усилителя
- •7.3.3. Коэффициент ослабления синфазного сигнала
- •7.3.4. Разновидности дифференциальных усилителей
- •8. Определение и основные характеристики операционных услителей
- •8.1. Устройство операционных усилителей
- •8.2. Характеристики операционных усилителей
- •Усилительные характеристики
- •Дрейфовые характеристики
- •Входные характеристики
- •Выходные характеристики
- •Энергетические характеристики
- •Частотные характеристики
- •Скоростные характеристики
- •8.3. Классификация оу
- •8.4. Применение операционных усилителей
- •Неинвертирующий усилитель на оу
- •Повторитель напряжения
- •И Рис. 8.12. Схема инвертирующего усилителянвертирующий усилитель
- •Инвертирующий сумматор
- •У Рис. 8.14. Схема усредняющего усилителясредняющий усилитель
- •Внешняя компенсация сдвига
- •Дифференциальный усилитель
- •Неинвертирующий сумматор
- •Интегратор
- •Дифференциатор
- •Логарифмический усилитель
- •Усилители переменного напряжения
- •9. Устройства сравнения аналоговых сигналов
- •9.1. Компараторы
- •9.2. Мультивибратор
- •10. Микроэлектроника
- •10.1. Основные определения
- •10.2. Типы Интегральных схем
- •10.2.1. Классификация ис
- •10.2.2. Полупроводниковые ис
- •10.2.3. Гибридные ис
- •10.3. Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов
- •ЛабораторНые рабоТы Лабораторная работа 1 исследование статистических характеристик биполярного транзистора
- •О Рис. 1. Схема исследования характеристик транзистора по схеме с оЭписание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работ
- •Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольная работа
- •Задание
- •Последовательность расчета усилителя
- •Последовательность Расчета усилителя в области низких частот
- •Экзаменационные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Софья наумовна гринфельд физические основы электроники Учебное пособие
- •681013, Комсомольск-на-Амуре, пр. Ленина, 27.
Лабораторная работа 2 исследование однокаскадного усилителя с общим эмиттером
Цель работы: изучить основные свойства, характеристики и параметры одиночногоусилительного каскада, построенного на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Научиться снимать амплитудную и амплитудно-частотную характеристики.
Описание лабораторной установки
Исследование усилителя ОЭ (рис. 4) проводится с помощью лабораторной установки 87Л-О1.
П
Рис. 4. Схема
усилительного каскада ОЭ
Измерение входного и выходного напряжений усилительного каскада производится с помощью электронного осциллографа CI-73.
Навесные элементы:
-
R1= 33 кОм;
C1= 20 мкФ;
R2= 3 кОм;
С2= 20 мкФ;
R3= 5,1 кОм;
С3= 20 мкФ;
R4= 820 Ом;
С4(не используется);
R5= 5,1 кОм.
Порядок выполнения работы
Собрать схему в соответствии с рис. 4. Подключить источник питания ГН2. Включить тумблер сеть, установить напряжение питания ЕС= 15 В.
Исследовать режим работы усилителя по постоянному току. Снять зависимость напряжения на коллекторе Uкэпот величины сопротивленияR2(взять 4 - 5 значений сопротивления от 1 до 15 кОм.). На выходных характеристиках построить линию нагрузки и нанести на нее полученные значения напряженияUкэп.
Исследовать режим работы усилителя по переменному току. Используя результаты эксперимента (п. 2), выбрать такое значение R2, при котором.
Снять амплитудную характеристику приR5=иR5=R3. Для этого подать на вход усилителя с ГНЧ сигнал частотой 1 кГц. Изменяя амплитуду входного сигнала, снять 5 – 6 точек зависимостиUвыхf(Uвх).
Повторить эксперимент для другого значения R5. Построить график, определить динамический диапазон входных напряжений.
Снять нагрузочную характеристику . Для этого взять несколько значенийR5от 2 до 20 кОм при. Вычислить Кuдля каждого значенияR5, построить график.
Снять амплитудно-частотную, характеристику (АЧХ) усилителя приR5=R3,на частоте 1 кГц.
Результаты занести в таблицу:
, Гц |
20 |
100 |
200 |
103 |
2103 |
5103 |
104 |
5104 |
105 |
Uвых, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ku |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Построить АЧХ и определить полосу пропускания усилителя (Uвх)
Uвх =_____________В.
Лабораторная работа 3 дифференциального усилителя постоянного тока
Цель работы: ознакомиться с особенностями работы, основными характеристиками и параметрами дифференциального усилителя постоянного тока, являющегося основным при построении широкого класса интегральных операционных усилителей.
Описание лабораторной установки
В исследуемой схеме (рис. 5) два одинаковых транзистора Т1и Т2образуют два плеча моста, два других плеча представлены одинаковыми резисторамиR3иR8.
Питание схемы осуществляется от источника питания ГН2 (0,5 – 15 В). Входной сигнал подается от генератора низкой частоты (ГНЧ) через делитель 1 : 10.
Для измерения напряжения источника питания и амплитуды входного сигнала служит осциллограф.
Плавное регулирование частоты осуществляется ручкой «частота» ГНЧ.
Выходное напряжение измеряется осциллографом.
Навесные элементы: транзисторы МП – 39 или МП – 40
-
R1=R9 = 12 кОм;
R2=R10 = 3 кОм,
R3=R8 = 10 кОм;
R7= 2,4 кОм;
R4= 22 кОм (переменный);
R5= 1 кОм (переменный);
R6= 470 Ом (переменный).