- •Квантовые и оптоэлектронныеприборыиустройства
- •СмирновЕ.А.
- •Введение
- •Оптическоеизлучение
- •1.1.Свойства оптического излученияиспособыегоописания
- •Особенности оптическогоизлучения
- •Оптическиепереходы
- •Спонтанноеизлучение
- •Вынужденноеизлучение
- •Вынужденноепоглощение
- •СвязьмеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •АнализсоотношениймеждукоэффициентамиЭйнштейна
- •Ширинаиформалинийизлучения
- •Естественнаяширинаиформалинийизлучения
- •Однородноеуширениелинииизлучения
- •Неоднородноеуширениелинииизлучения
- •ДифференциальныеиинтегральныекоэффициентыЭйнштейна
- •2.Усилениеоптическогоизлучения
- •Прохождениеоптическогоизлучениячерезвещество
- •Инверсиянаселенностейиактивныесреды
- •Коэффициентусиленияактивнойсреды
- •Схемысозданияинверсиинаселенностей
- •Насыщениеусилениявактивнойсреде
- •Параметрнасыщенияактивнойсреды
- •Генерациялазерного излучения
- •Принципработылазера
- •Условиестационарнойгенерациилазера
- •Насыщениеусилениявлазере
- •Выходная(энергетическая)характеристикалазера
- •Пороговоеусловиегенерации
- •Пороговаямощностьнакачки
- •Графикэнергетическойхарактеристикилазера
- •Оптическиерезонаторы
- •Особенностиоптическихрезонаторов
- •Основныетипыоптическихрезонаторов
- •Устойчивостьоптическихрезонаторов
- •Собственныеколебанияоптическогорезонатора
- •Продольныемоды
- •Методыселекциипродольныхмод
- •Поперечныемоды
- •Методыселекциипоперечных модлазера
- •Кпдлазеров
- •КпДтвердотельныхлазеров
- •КпДнакачкиТтл
- •КпДактивнойсредыТтл
- •КпДоптическогорезонатораТтл
- •КпДгазоразрядных лазеров
- •КпДнакачкиГрл
- •КпДактивнойсредыиоптическогорезонатораГрл
- •КпДинжекционныхполупроводниковыхлазеров
- •Мощность(энергия)накачкилазера
- •Основные типы лазеров
- •Газоразрядныелазеры
- •Гелий-неоновыелазеры
- •Контрольныевопросы
- •Молекулярныелазерына углекисломгазе
- •Контрольныевопросы
- •Лазерына парахметаллов
- •Контрольныевопросы
- •Твердотельныеижидкостные лазеры
- •Контрольныевопросы
- •Инжекционныеполупроводниковыелазеры
- •Списоклитературы
Мощность(энергия)накачкилазера
На основании структурных схем трансформации мощности (энергии)накачки в излучение лазеров и с учетом пороговых условий генерации можнозаписатьвыражения,которые определяют:
–энергиюнакачкиимпульсноголазера
WWп АСн нак
W;
0
–мощностьнакачкилазеранепрерывногорежима
PРпАСн нак
Р,
0
гдеРпАС, (WпАС) – пороговаямощность (энергия) возбуждения АС.ПороговаяэнергиявозбужденияАСопределяетсяминимальной(поро-
говой) долей частицA, которые необходимо возбудить на верхний лазерныйуровень для выполнения условия генерацииWпАС=AnVWвоз, гдеп– концен-трациячастиц вАС;V– объем активнойсреды.
Значения концентрации частиц в АС зависят от типа лазера. Например,дляГРЛзначенияnрассчитываютсяисходяиздавленияактивнойгазовой
среды(р=nkTАС):
PпАС
WпАС/t2.
Основные типы лазеров
Газоразрядныелазеры
Возбуждение(накачка)активныхгазовыхсредосуществляетсяне-сколькими методами, к числу которых можно отнести пропускание электри-ческого тока через газ, оптическую, тепловую, химическую накачки; облуче-ние потоком электронов и др. Наибольшее распространение на практике по-лучил первый метод – возбуждение в газовом промежутке электрическогоразряда. Лазеры, основанные на данном методе возбуждения активной среды,называются газоразрядными. Характерным для газоразрядных лазеров (ГРЛ)режимом работы является непрерывный режим. ГРЛ – рекордсмены по раз-нообразию используемых активных сред, а, следовательно, и по спектру ге-нерируемыхдлинволн.Диапазонгенерируемойсреднеймощностиизлуче-
ния ГРЛ колеблется от десятых долей милливатта у маломощных лазеров доединиц–десятков киловатт у мощных технологических лазеров. Серийные га-зоразрядные лазеры используют достаточно ограниченный набор активныхсред, обладающих относительно высокими усилительными свойствами. К ихчислу относятся: атомарные гелий-неоновые лазеры, способные работать нанескольких длинах волн (0,63; 1,15 и 3,39 мкм); молекулярные лазеры ин-фракрасного диапазона на углекислом газе (СО2-лазеры), генерирующие вобласти 10,6 и 9,4 мкм, и на оксиде углерода (СО-лазеры) с λ = 5,4 мкм; ион-ные лазеры дугового разряда на аргоне(λ = 0,48...0,51 мкм)и криптоне (λ =0,65 мкм), а также катафорезные ионные лазеры на парах металлов: гелий-кадмиевые с длинами волн генерации 0,44 и 0,32 мкм и гелий-селеновые сосновной длиной волны λ = 0,53 мкм. Производятся импульсные ГРЛ на мо-лекулярном азоте (N2-лазеры) с λ = 0,34 мкм, импульсные лазеры на парахмеди(Cu-лазеры)сλ =0,51...0,57 мкм инекоторыедругие типылазеров.
Гелий-неоновыелазеры
Гелий-неоновые(He-Ne) лазеры относятся к классу газоразрядных ла-зеров на нейтральных атомах – атомарных лазеров. Их активной средой (АС)служит возбужденная газовая смесь, состоящая из рабочего излучающего га-за– неона ибуферногогаза – гелия.
Возбуждение АС лазера происходит по четырехуровневой схеме в сла-боионизованной плазме положительного столба (ПС) тлеющего разряда, про-текающегомеждуэлектродамиузкойпротяженнойгазоразряднойтрубки.
При столкновениях с электронами ПС, имеющими температуруTeпорядка105К, эффективно заселяются метастабильные уровни возбужденного атомагелия 21s0и23s1(рис. 7.1). В дальнейшем энергия возбуждения атомов гелияпутем неупругих столкновений передается атомам неона, после чего частич-ноизлучается ввиде квантаизлучения:
He*+e–(W1)=He*+e–(W2<W1);
He*+ Ne =He +Ne*; Ne*=Ne+hν
(7.1)
гдеW1,W2–энергииэлектронов,соответственно,доипослестолкновениясатомомгелия;hν– энергияквантаиндуцированногоизлучения.
Дляпротеканияреакции(7.1)внужномнаправлении(слеванаправо)
необходимообеспечитьследующеесоотношениепарциальныхдавленийге-лияинеонаp(He):p(Ne)=(5:1)...(15:1).Отклонениеотуказанногоусловия
приводит к снижению эффективности обменного процесса, а соответственно,и к спаду генерируемой лазером мощности. Реализация процесса передачиэнергии по типу реакции (7.1) возможна только в том случае, когда энергиявозбуждения метастабильного уровня атома буферного газа равна энергиивозбужденияверхнеголазерногоуровнярабочегогазаилиблизкакней.Данноеусловие выполняетсядля атомовHe иNe.
W, 21s0 3s2 3390 нм 3p4
эВ
23s1 633 нм
19 2s2 1150 нм 2p4
Электронный
18 удар
Спонтанное
17 1s излучение
He Ne Диффузияк стенкам
0
Рис.7.1.ЭнергетическаядиаграммаHe-Ne-лазера
Наибольшим усилением обладает ИК-лазерный переход с длиной вол-ны λ = 3390 нм. Для этого перехода ненасыщенный показатель усиления κусможет достигать значений 100 %/м и выше. Чаще используется пусть и сла-бый (с κус= 0,04 … 0,08 %/м), но удобный для практики переход с длинойволныλ =633нм.
Необходимая длина волны генерации выбирается с помощью зеркалоптического резонатора, обладающих селективной отражательной способно-стью. Селективность зеркал достигается изготовлением отражающих покры-тий в виде чередующихся λ/4-слоев из двух материалов с различными пока-зателями преломления. Эффективное подавление генерации с λ = 3390 нмпроисходит при наложении на активную среду неоднородного поперечногомагнитногополя.ПоложительныйэффектдаетиспользованиевыходныхоконБрюстера,изготовленныхизоптическогостеклавместоплавленогокварца.
Для обеспечения генерации лазера требуется создание инверсии насе-ленностейрабочихуровней,когдаконцентрациявозбужденныхатомовна
верхнемлазерномуровне(n2)становитсябольше,чемнанижнемуровне(n1):
Δn=n2– n1> 0. Поддержание инверсной населенности в АС достигается засчет эффективного заселения верхнего уровня и быстрого опустошения ниж-него.Времяжизниверхнеголазерногоуровнясоставляет1мкс,аэнергия
возбуждения превышает 20 эВ (рис. 7.1). Столь высокие энергии возбужде-нияАСпредопределяютиспользованиевысоковольтного тлеющегоразрядас
достаточно высокойTe, но, к сожалению, с низкой плотностью разрядноготока. Энергия кванта излучения с λ = 633 нм составляет всего 5% от энергии,затрачиваемойнапроцессвозбужденияАС.Итог–низкийКПДАС.Реали-
зуемые в большинстве He-Ne-лазеров значенияTeсоответствуют значениямнаиболее вероятных энергий электронов порядка 8 … 9 эВ. Тогда зона воз-буждения АС с энергиями на уровне 20…22 эВ оказывается на «хвосте» рас-пределения электронов по энергиям. В таких условиях электронный КПД –доля энергии электронов, затрачиваемая на возбуждение верхнего лазерногоуровня,непревышает единицпроцентов.
В He-Ne-лазере девозбуждение нижнего лазерного уровня всех трех пе-реходов происходит через общее метастабильное состояние неона 1s. Пере-ход с 1s-уровня возбужденных атомов в основное состояние неона возможентолько при их столкновениях со стенками разрядного капилляра. В результа-те диаметрdразрядного канала гелий-неонового лазера не превышает, обыч-но,1...3 мм,аобъем активнойсреды оказывается весьмамалым.
Для гелий-неоновых лазеров оптимальное значение произведения сум-марного давления на диаметр разрядного канала (рd)optлежит в диапазоне0,44...0,53Па·м.Приэтихусловияхобеспечиваетсяоптимальная,сточки
зрения выхода генерации, электронная температураTe. Уменьшение давле-ниягазаприводиткснижениючислаизлучающихчастиц.Одновременный
ростTeсопровождается увеличением доли энергии электронов, расходуемойна ионизацию газа. В итоге выходная мощность лазера падает. Рост суммар-ногодавлениягазовойсмесисвышеегооптимальногозначенияснижаетTe,
уменьшаяэффективностьвозбужденияметастабильныхсостоянийбуферно-
го газа – гелия. Одновременно в объеме газа увеличиваются потери энергииэлектронов,что такжеослабляет уровеньгенерации.
Вероятностьвозбужденияатомовпропорциональнапроизведениюконцентраций возбуждаемых и возбуждающих частиц. Поэтому оптимальноедавление газовой смеси зависит (при прочих равных условиях) и от разряд-ного тока: чем больше ток, тем при меньших давлениях выполняютсяопти-мальныеусловиягенерации.
Разрядный токIопределяет в первом приближении концентрацию элек-тронов–первичныхвозбуждающихчастиц.Росттокаразрядасопровожда-
ется повышением концентрации возбужденных частиц. При достижении по-рогового токаIпорнаселенности верхнего и нижнего лазерных уровней вы-равниваются:n2=n1и далее начинается генерация. Возрастание тока наначальномучасткеприI>Iпорсопровождаетсяповышениемуровнягенера-
циилазера.Дальнейшееувеличениетокаприводиткактивизациипроцесса
заселения нижнего лазерного уровня неона за счет прямых соударений ато-мов Ne с электронами. Одновременное повышение температуры газа усили-вает тепловые процессы и стимулирует рост спонтанного излучения с верх-него лазерного уровня. В результате уменьшается инверсия населенности, ипри определенном предельном токеIlimразряда, происходит срыв генерации.Таким образом, энергетическая характеристика He-Ne-лазера – зависимостьмощностиPгенерацииоттокаIразряда– имеетвид кривойсмаксимумом.
Генерация в лазере возникает, если усиление в активной среде компен-сирует все виды потерь: паразитные, возникающие из-за поглощения и рас-сеяния на оптических элементах, и "полезные", обусловленные выходом ра-бочего пучка изрезонатора:
κпорL= κпотL+ ln(ρ1ρ2)–1/2, (7.2)гдеκпор–пороговыйпоказательусиления,пропорциональныйинверсиинаселенности,м–1;L–протяженностьактивнойсреды;κпот–показательпо-
терь,обусловленныхраспределенным поглощением;ρ1,ρ2-коэффициентыотражениязеркалоптическогорезонатора(ρ1=1–α1–τ1,ρ2=1–α2–τ2,где
α1,α2–потериназеркалахоптическогорезонатора;τ1,τ2–коэффициентыпропусканиязеркал).
Для гелий-неоновоголазера типичнызначения коэффициентов потерьα1=α2=2…3%ипропусканияτ1=0,1…0,2%,τ2=1,5…3%призначении
κпот= 0. Слабое усиление АС и относительно высокий уровень потерь огра-ничиваютдопустимоепропусканиерабочихзеркализаметноуменьшаютКПД оптического резонатора. Пороговые условия генерации (7.2) выполня-ютсявлазерах спротяженностьюактивнойсредыне менее100 …150 мм.
Конструктивно He-Ne-лазеры выполняются в виде узких протяженныхразрядных трубок, имеющих на концах электродные узлы. В современныхHe-Ne-лазерахиспользуютсякоаксиальныеконструкции,вкоторыхкатодрасполагается соосно с разрядным капилляром. Материал катода – алюми-ний,стойкийкионнойбомбардировкевусловияхгелий-неоновогоразряда.
На торцах разрядного капилляра расположены выходные окна. Для умень-шенияпотерьврезонатореокнарасполагаютсяподугломБрюстераΘБрк
оси капилляра: tg ΘБр=n, гдеn– показатель преломления материала окна.Излучениелазера,имеющегоокнаБрюстера,линейнополяризовано.
Всилурассмотренныхвышефизическихособенностейгелий-неоновые
лазеры относятся к числу принципиально маломощных. Максимальная мощ-ность излучения не превышает 100 мВт при КПД He-Ne-лазера порядка со-тыхдолей процента.