- •Министерство сельского хозяйства
- •Глава 4. Биполярные транзисторы………………………………..53
- •Введение.
- •Глава 1. Пассивные элементы электроники
- •1.1 Резисторы.
- •1.2. Конденсаторы.
- •1.3. Катушки индуктивности.
- •Глава 2. Полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •2.1. Строение твердых тел
- •2.2. Электропроводность полупроводников
- •2.3. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках.
- •2.4. Полупроводниковые резисторы
- •Глава 3. Полупроводниковые диоды.
- •3.1. Электронно-дырочный переход
- •3.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •3.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •3.4. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •3.5. Пробой и емкость p-n-перехода
- •3.6. Полупроводниковые диоды
- •3.7. Стабилитроны
- •3.8. Варикапы
- •3.9. Туннельный и обращенный диоды.
- •3.10. Светодиод.
- •Глава 4. Биполярные транзисторы.
- •4.1. Устройство биполярного транзистора
- •4.2. Характеристики и параметры биполярных транзисторов.
- •4.3. Система h-параметров биполярных транзисторов
- •4.4. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •4.4.1. Схема с общей базой
- •4.4.2. Схема с общим эмиттером.
- •4.4.3. Схема с общим коллектором.
- •Глава 5. Полевые транзисторы.
- •5.1. Полевые транзисторы с p-n-переходом.
- •5.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •(Моп-транзисторы).
- •5.3. Схемы включения полевых транзисторов.
- •Глава 6. Тиристоры.
- •6.1. Динисторы.
- •6.2.Трехэлектродные тиристоры (тринисторы).
- •6.3. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •Глава 7. Электровакуумные приборы.
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Электронная эмиссия
- •7.3. Катоды электронных ламп
- •7.4. Электровакуумный диод
- •7.5. Триод
- •7.6. Тетрод
- •7.7. Пентод и лучевой тетрод
- •7.8. Многоэлектродные и комбинированные лампы
- •Глава 8. Газоразрядные приборы.
- •8.1. Основные разновидности электрических разрядов в газе.
- •8.2. Газоразрядные приборы.
- •Глава 9. Фотоэлектрические приборы.
- •9.1. Фотоэлектрический эффект.
- •9.2. Фоторезистор.
- •9.3. Фотодиод.
- •9.4. Оптрон (оптопара).
- •9.5. Фототранзистор и фототиристор.
- •9.6. Фотоэлектронный умножитель.
- •Глава 10. Интегральные микросхемы.
- •10.1. Общие сведения.
- •Глава 11. Проверка работоспособности радиоэлеменов с помощью мультиметра.
- •11.1. Общие сведения о мультиметре.
- •11.2. Общие сведения о проверке радиоэлементов.
- •11.3. Проверка резисторов.
- •11.4. Проверка конденсаторов.
- •11.5. Проверка катушек индуктивности.
- •11.6. Проверка низкочастотных дросселей и трансформаторов.
- •11.7. Проверка диодов.
- •11.8. Проверка тиристоров.
- •11.9. Проверка транзисторов.
- •11.10. Проверка микросхем.
- •Заключение.
- •Литература:
11.8. Проверка тиристоров.
Неуправляемые тиристоры (динисторы) могут быть проверены таким же образом, как диоды, если напряжение отпирания динистора меньше напряжения на клеммах омметра. Если же оно больше, динистор при подключении омметра не отпирается и омметр в обоих направлениях показывает очень большое сопротивление. Тем не менее, если динистор пробит, омметр это регистрирует нулевыми показаниями прямого и обратного сопротивлений. Для проверки управляемых тиристоров (тринисторов) плюсовой вывод омметра подключается к аноду тринистора, а минусовой вывод—к катоду. Омметр при этом должен показывать очень большое сопротивление, почти равное бесконечному. Затем замыкают выводы анода и управляющего электрода тринистора, что должно приводить к резкому уменьшению сопротивления, так как тринистор отпирается. Если после этого отключить управляющий электрод от анода, не разрывая цепи, соединяющей анод тринистора с омметром, для многих типов тринисторов омметр будет продолжать показывать низкое сопротивление открытого тринистора. Это происходит в тех случаях, когда анодный ток тринистора оказывается больше так называемого тока удержания. Тринистор остается открытым обязательно, если анодный ток больше гарантированного тока удержания. Это требование является достаточным, но не необходимым. Отдельные экземпляры трннисторов одного и того же типа могут иметь значения тока удержания значительно меньше гарантированного. В этом случае тринистор при отключении управляющего электрода от анода остается открытым. Но если при этом тринистор запирается и омметр показывает большое сопротивление, нельзя считать, что тринистор неисправен.
11.9. Проверка транзисторов.
Эквивалентная схема биполярного транзистора представляет собой два диода, включенных навстречу один другому. Для р-n-р транзисторов эти эквивалентные диоды соединены катодами, а для n-р-n транзисторов — анодами. Таким образом, проверка транзистора омметром сводится к проверке обоих р-n переходов транзистора: коллектор—база и эмиттер—база (смотрите рис.11.9.1).
Рисунок 11.9.1. Биполярный транзистор, условно представленный диодами.
Для проверки прямого сопротивления переходов р-n-р транзистора минусовой вывод омметра подключается к базе, а плюсовой вывод омметра— поочередно к коллектору и эмиттеру. Для проверки обратного сопротивления переходов к базе подключается плюсовой вывод омметра. При проверке n-р-n транзисторов подключение производится наоборот: прямое сопротивление измеряется при соединении с базой плюсового вывода омметра, а обратное сопротивление—при соединении с базой минусового вывода. При пробое перехода его прямое и обратное сопротивления оказываются равными нулю. При обрыве перехода его прямое сопротивление бесконечно велико. У исправных маломощных транзисторов обратные сопротивления переходов во много раз больше их прямых сопротивлений. У мощных транзисторов это отношение не столь велико, тем не менее омметр позволяет их различить. Из эквивалентной схемы биполярного транзистора вытекает, что с помощью омметра можно определить тип проводимости транзистора и назначение его выводов (цоколевку). Сначала определяют тип проводимости и находят вывод базы транзистора. Для этого один вывод омметра подключают к одному выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются поочередно двух других выводов транзистора. Затем первый вывод омметра подключают к другому выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются свободных выводов транзистора. Затем первый вывод омметра подключают к третьему выводу транзистора, а другим выводом касаются остальных. После этого меняют местами выводы омметра и повторяют указанные измерения. Нужно найти такое подключение омметра, при котором подключение второго вывода омметра к каждому из двух выводов транзистора, не подключенных к первому выводу омметра, соответствует небольшому сопротивлению (оба перехода открыты). Тогда вывод транзистора, к которому подключен первый вывод омметра, является выводом базы.
Если первый вывод омметра является плюсовым, значит, транзистор относится к n-р-n проводимости, если — минусовым, значит,— р-n-р проводимости. Теперь нужно определить, какой из двух оставшихся выводов транзистора является выводом коллектора. Для этого омметр подключается к этим двум выводам, база соединяется с плюсовым выводом омметра при n-р-n транзисторе или с минусовым выводом омметра при р-n-р транзисторе и замечается сопротивление, которое измеряется омметром. Затем выводы омметра меняются местами (база остается подключенной к тому же выводу омметра, что и ранее) и вновь замечается сопротивление по омметру. В том случае, когда сопротивление оказывается меньше, база была соединена с коллектором транзистора. Полевые транзисторы проверять не рекомендуется.