- •Министерство сельского хозяйства
- •Глава 4. Биполярные транзисторы………………………………..53
- •Введение.
- •Глава 1. Пассивные элементы электроники
- •1.1 Резисторы.
- •1.2. Конденсаторы.
- •1.3. Катушки индуктивности.
- •Глава 2. Полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •2.1. Строение твердых тел
- •2.2. Электропроводность полупроводников
- •2.3. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках.
- •2.4. Полупроводниковые резисторы
- •Глава 3. Полупроводниковые диоды.
- •3.1. Электронно-дырочный переход
- •3.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •3.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •3.4. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
- •3.5. Пробой и емкость p-n-перехода
- •3.6. Полупроводниковые диоды
- •3.7. Стабилитроны
- •3.8. Варикапы
- •3.9. Туннельный и обращенный диоды.
- •3.10. Светодиод.
- •Глава 4. Биполярные транзисторы.
- •4.1. Устройство биполярного транзистора
- •4.2. Характеристики и параметры биполярных транзисторов.
- •4.3. Система h-параметров биполярных транзисторов
- •4.4. Схемы включения биполярных транзисторов.
- •4.4.1. Схема с общей базой
- •4.4.2. Схема с общим эмиттером.
- •4.4.3. Схема с общим коллектором.
- •Глава 5. Полевые транзисторы.
- •5.1. Полевые транзисторы с p-n-переходом.
- •5.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •(Моп-транзисторы).
- •5.3. Схемы включения полевых транзисторов.
- •Глава 6. Тиристоры.
- •6.1. Динисторы.
- •6.2.Трехэлектродные тиристоры (тринисторы).
- •6.3. Симметричные тиристоры (симисторы).
- •Глава 7. Электровакуумные приборы.
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Электронная эмиссия
- •7.3. Катоды электронных ламп
- •7.4. Электровакуумный диод
- •7.5. Триод
- •7.6. Тетрод
- •7.7. Пентод и лучевой тетрод
- •7.8. Многоэлектродные и комбинированные лампы
- •Глава 8. Газоразрядные приборы.
- •8.1. Основные разновидности электрических разрядов в газе.
- •8.2. Газоразрядные приборы.
- •Глава 9. Фотоэлектрические приборы.
- •9.1. Фотоэлектрический эффект.
- •9.2. Фоторезистор.
- •9.3. Фотодиод.
- •9.4. Оптрон (оптопара).
- •9.5. Фототранзистор и фототиристор.
- •9.6. Фотоэлектронный умножитель.
- •Глава 10. Интегральные микросхемы.
- •10.1. Общие сведения.
- •Глава 11. Проверка работоспособности радиоэлеменов с помощью мультиметра.
- •11.1. Общие сведения о мультиметре.
- •11.2. Общие сведения о проверке радиоэлементов.
- •11.3. Проверка резисторов.
- •11.4. Проверка конденсаторов.
- •11.5. Проверка катушек индуктивности.
- •11.6. Проверка низкочастотных дросселей и трансформаторов.
- •11.7. Проверка диодов.
- •11.8. Проверка тиристоров.
- •11.9. Проверка транзисторов.
- •11.10. Проверка микросхем.
- •Заключение.
- •Литература:
11.10. Проверка микросхем.
При помощи омметра можно производить проверку тех микросхем, которые представляют собой набор диодов или биполярных транзисторов. Таковы, например, диодные сборки и матрицы КДС111, КД906 и микросхемы К159НТ, К198НТ и другие. Проверка диода, транзистора производится по уже описанной методике. Если неизвестно назначение выводов сборки или микросхемы, оно также может быть определено, хотя из-за наличия нескольких транзисторов в одном корпусе приходится проводить более громоздкие измерения. При этом нужно установить систему подключения омметра к выводам, чтобы выполнить все возможные комбинации.
Контрольные вопросы:
Как проверить исправность диодов?
Как проверить работоспособность конденсаторов?
Как проверить работоспособность транзисторов?
Что такое мультиметр?
Где погрешность стрелочного мультиметра минимальна: в начале шкалы, в середине или в конце шкалы?
Как проверить работоспособность резисторов?
Как проверить работоспособность дросселя?
Как проверить работоспособность трансформатора?
Как проверить работоспособность тиристоров?
Возможно ли с помощью мультиметра проверить работоспособность микросхемы любого типа?
Заключение.
Электроника играет ведущую роль в научно-технической революции. Внедрение электронных приборов в различные сферы человеческой деятельности в значительной мере способствует успешному решению сложнейших научно-технических проблем, повышению производительности физического и умственного труда, улучшению экономических показателей производства. В настоящее время, на основе достижений электроники развивается все отрасли промышленности и сельское хозяйство. В то же время, технология изготовления электронных приборов, их конструирование, создание новой элементной базы, базируются на использовании разнообразных свойств материалов и физико-химических процессов. При изготовлении электронной техники используется электроннолучевая, ультразвуковая и лазерная обработки материалов и сварка; фотолитография, электронная и рентгеновская литография и многое другое. Поэтому развитие электроники не мыслимо без создания новых материалов, способов из обработки и совершенствования технологий изготовления электронной аппаратуры. Дальнейший прогресс электроники тесно связан с достижениями в других областях науки и техники.
Литература:
Винокуров Е.Б. Электроника. Учебное пособие. Тамбов: Тамб. гос. тех. ун-т, 2004, 80 с.
Горошков Б.И., Горошков А.Б.Электронная техника. Учебное пособие. – 2-е изд., стер. – М.: Академия, 2008, 320 с.
Гусев В. Г. Электроника и микропроцессорная техника. Учебник для студентов высших учебных заведений. - М.: Высшая. школа, 2006. - 425с.
Забродин Ю.С. Промышленная электроника. Учебник для студентов энергетических и электромеханических специальностей вузов. - М.: Альянс, 2008, - 342с.
Игумнов Д. В., Костюнина Г. П. Основы полупроводниковой электроники. Учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по специальности 351400 - "Приклад. Информатика». - М.: Горячая линия-Телеком, 2005. - 325с.
Марченко А. Л. Основы электроники. Учебное пособие для вузов. — М. : ДМК Пресс, 2008. — 296 с.
Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. /Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1985. – 904 с.
Основы промышленной электроники. Учебное пособие. / Под редакцией В.Г. Герасимова. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1986. – 336 с.
Основы электроники. Гершунский Б. С. Киев. Вища школа, 1977. - 344 с.
Новиков Ю. Н., Усов В.С. Электроника и схемотехника. Полупроводниковые приборы: устройство, принцип действия, применение в усилителях: учебное пособие. – СПб.: Издательство Политехнического университета, 2010. - 387с.
Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. Учеб. пособие для вузов. - СПб: Лань, 2006. - 453с.
Розеншер Э., Винтер Б., Оптоэлектроника. / Перевод с французкого под ред. О.Н. Ермакова. – М.: Техносфера, 2004. – 592 с.
Шаньгин Е.С. Основы электроники: Учеб. пособие. – Уфа, изд-во УГАТУ, 2007, – 168 с.
ГОСТ 25529 - 82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 20332-84. Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 20003-74. Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 19095-73. Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 19480-89. Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров.