- •1. Цель лабораторных работ
- •2. Физические процессы в электронно-дырочных переходах
- •2.1. Понятие и образование электронно-дырочного перехода
- •Диаграмма1
- •Диаграмма 5
- •2.2. Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесномсостоянии
- •2.3. Неравновесное состояние p-n перехода
- •2.3.1. Прямосмещенный p-n переход
- •2.3.2. Обратносмещенный p-n переход
- •2.4. Вольтамперная характеристика реального p-n перехода
- •2.4.1. Прямая ветвь вах реального p-n перехода
- •Для оценки влияния температуры вводится
- •2.4.2. Обратная ветвь вах реального p-n перехода
- •3. Виды пробоев p-n перехода
- •3.1. Общая характеристика пробоя p-n перехода
- •3.2. Тепловой пробой p-n перехода
- •3.3. Полевой пробой
- •3.4. Лавинный пробой
- •4. Схемы экспериментальных исследований
- •5. Лабораторные задания
- •5.1. Лабораторное задание n 1: Исследование характеристик и параметров электронно-дырочных переходов
- •5.2. Обработка результатов эксперимента
- •5.3. Лабораторное задание №2: Исследование характеристик и параметров электрических пробоев в электронно-дырочных переходах
- •5.4. Обработка экспериментальных результатов
- •6. Содержание отчета
- •7. Вопросы для самопроверки
- •8. Библиографический список
- •Министерство образования российской федерации
2.4. Вольтамперная характеристика реального p-n перехода
2.4.1. Прямая ветвь вах реального p-n перехода
Под прямой ветвью ВАХ реального p-n перехода понимается зависимость прямого тока перехода от величины прямого напряжения: Iпр=f(Uпр), которая описывается выражением:
и должна быть экспоненциальной как показано пунктиром на рис.9, на котором сплошной линией изображена прямая ветвь ВАХ реального p-n перехода.
На прямую ветвь ВАХ реального p-n перехода оказывают влияние: материал полупроводника, используемый для изготовления p-n перехода; сопротивление базы p-n перехода; температура окружающей среды.
Характеристика близка к экспоненциальной только в начале зависимости - участок ОА ВАХ, а далее рост тока при увеличении прямого напряжения замедляется и характеристика становится более пологой - участок АВ ВАХ. Этот участок характеристики называют омическим, поскольку здесь оказывает влияние объемное сопротивление базы rБp-n перехода. Ток, протекая через rБ, создает падение напряжения:
,
с учетом которого уравнение ВАХ принимает вид:
.
Объемное сопротивление базы находится по формуле ,
где Б- удельное электрическое сопротивление полупроводника области базы; WБ- ширина базы; S - площадь сечения базы.
Рис.9. Прямая ветвь ВАХ p-nперехода: 1 – идеальныйp-nпереход; 2 – реальныйp-nпереход
Влияние объемного сопротивления базы на прямую ветвь ВАХ реального p-n перехода проявляется в виде смещения прямой ветви в сторону больших
значений прямых напряжений. Поэтому, чем больше rБ, тем положе идет прямая
ветвь ВАХ реального p-n перехода, как и отмечено на рис.9. Как правило, p-n
переходы с большими значениями rБ выполняются для повышения высоко-вольтности, то есть для увеличения допустимого рабочего обратного напряжения на p-n переходе.
Даже при одинаковых условиях: одинаковая концентрация примесей; постоянная температура окружающей среды, ВАХ p-n переходов, выполненных из разных полупроводниковых материалов, различны. Главная причина этого отличия - различное значение ширины запрещенной зоны полупроводниковых материалов. Чтобы появился прямой ток, необходимо уменьшить величину потенциального барьера. Для этого на p-n переход нужно подать прямое напряжение, близкое к значению контактной разности потенциалов. В p-n переходе на основе германия к=0,30,4 В, в p-n переходе на основе кремнияк=0,60,8 В, а в p-n переходе на основе арсенида галлияк=1,01,2 В, поэтомупрямая ветвь ВАХ кремниевого p-n перехода относительно германиевого смещается вправо на (0,30,5) В, а в p-n переходе на основе арсенида галлия это смещение ВАХ происходит еще больше.
С увеличением температуры окружающей среды растет прямой ток p-n перехода. Выражение для прямого тока можно записать в виде:
.
Отсюда следует, что при увеличении температуры показатель степени экспоненты уменьшается, но ток Iорастет быстрее, как отмечалось он удваивается при увеличении температуры на каждые 10С, и, используя выражение для Iо, можно записать выражение для прямого тока в виде:
.
Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ реального p-n перехода представлено на рис.10.