Лекции_7_диоды
.pdfРайков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Вкачестве выпрямительных диодов используют:
•Si, Ge диоды;
•диоды с барьером Шоттки;
•селеновые и титановые выпрямители (при высоких температурах);
•выпрямительные столбы (высоковольтных выпрямителях);
•выпрямительные блоки (мостовая схема)
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Основные параметры выпрямительных диодов:
•прямое напряжение Uпр ;
•максимально допустимый прямой ток Iпр.mах ;
•максимально допустимое обратное напряжение Uобр.max ;
• обратный ток Iобр .
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
По максимально допустимому выпрямленному току
(Iвых.макс.) диоды разбиты на три группы:
−диоды малой мощности (Iпр<0.3 A);
−диоды средней мощности (0.3 < Iпр <10 A);
− мощные (силовые) диоды (Iпр > 10 A).
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Условные обозначение:
Буквенное – VD.
Графическое -
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Пример использования выпрямительного диода:
u(t)
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Решение:
для u (t) > u(t)
t
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
СТАБИЛИТРОНЫ
Стабилитрон – полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от обратного тока («практически не зависит»).
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Основные параметры стабилитрона:
¾ напряжение на участке стабилизации Uст
¾ динамическое сопротивление на участке стабилизации
rд = dUст/ dIст
¾минимальный ток стабилизации Iст. min
¾максимальный ток стабилизации Iст. max
¾температурный коэффициент напряжения на участке стабилизации
Dn = μnkT / q
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
Основные пределы для стабилитрона:
¾Uст 1–1000 В (зависит от толщины p-n перехода);
¾Iст. min 1–10 мА;
¾Iст. max 50–2000 мА;
¾rд 0.5–200 Ом;
¾TKU (-0.05– +0.2) % / °С.
Примечание. Отрицательным TKU обладают стабилитроны с Uст<6 В.
Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики
ВАХ. Схема стабилизации напряжения на нагрузке
.