Основные формулы для расчётов

Контактная разность потенциалов:

Емкость диэлектрика:

Напряжение плоских зон:

Потенциал инверсии:

Заряд акцепторов:

Напряжение на затворе, при котором наступает инверсная проводимость на поверх ности подложки, называется пороговым напряжением. Это условие выполняется, когда изгиб зон на поверхности достигает значения потенциала инверсии φ_i.

N_s– концентрация фиксированных в окисле зарядов;

N_ag– концентрация акцепторов в затворе;

N_a– концентрация акцепторов в подложке;

Пороговое напряжение:

Напряжение на затворе, при котором наступает инверсия проводимости на поверхности подложки, называется пороговым напряжением. Это условие выполняется, когда изгиб зон на поверхности достигает значения потенциала инверсии

Удельная крутизна:

Удельная крутизна характеризует коэффициент усиления МДП-транзистора в режиме малого сигнала и зависит от размеров канала транзистора

Ширина ОПЗ в подложке при напряжении исток-подложка

Удельная емкость подложки:

Коэффициент влияния подложки:

В высокоомных подложках заряд ОПЗ ионов примеси Qсущественно не сказывается на характеристике прибора. Однако изменение напряжения на подложке приводит к его увеличению и влияниюQна концентрацию подвижных носителей заряда в канале. Кроме того, с увеличением напряжения подложка – исток изменяется пороговое напряжение и поэтому для низкоомных подложек вводят коэффициент влияния подложки.

Подвижность:

Дырки	50	450	6.3*10^16	0.76
Электроны	65	1200	8.5*10^16	0.72

Для МДП - транзистора с индуцированным каналом проводящий слой находится в непосредственной близости от поверхности, поэтому подвижность носителей заряда определяется поверхностной концентрацией примеси.

Моделирование статических ВАХ:

Выходные вольтамперные характеристики в крутой области, когда Ud меньше

напряжения насыщения Uds

.

Напряжение насыщения на стоке, соответствующее границе крутой и пологой областей

После этого напряжения наступает пологая область ВАХ

Параметры мoп - транзистора:

	Затвор				Подложка		Исток-сток		Канал
Вариант	Тип	Толщина диэлектр.	Фиксирован. заряд	Концентрац. примеси	Тип	Концентрац. примеси	Концентрац. примеси	Глубина залегания	Подвижность	Длина	Ширина
	SiПК
5	SiПК	400			p			0.3	600	4	20