Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

192	Гл. 2. Биполярные транзисторы

одиночных «дискретных» приборов, так и сложных интегральных микросхем, состоящих из миллионов элементов.

Кремний является не единственным материалом, из которого из* готавливают интегральные схемы. В настоящее время для этих целей также используются арсенид галлия и фосфид индия, которые выпускаются промышленностью в виде пластин диаметром 100 мм. Подвижность и скорость насыщения электронов в GaAs и 1пР заметно выше, чем в кремнии, и поэтому эти материалы долго рассматривались как материалы, которые придут на смену кремния в быстродействующих приборах [69]. Однако в последние годы интерес к GaAs как материалу для будущих сверхбыстродействующих ИС стал ослабевать. Причиной этому являются два обстоятельства: 1) примерно втрое более низкая теплопроводность GaAs по сравнению с Si, которая не позволяет эффективно отводить от арсенида галлия достаточно высокую рассеиваемую мощность, характерную для современных ИС, и 2) высокая хрупкость GaAs. Это является серьезным препятствием на пути создания арсенид-галлиевых СБИС с уровнем интеграции, близким к достигнутому в настоящее время на кремнии. Тем не менее, GaAs остается важным материалом для производства сверхбыстродействующих цифровых и аналоговых ИС среднего уровня интеграции. Второй из обсуждаемых материалов — 1пР — технологически менее развит по сравнению с GaAs, однако созданные на его основе приборы в настоящее время имеют самое высокое быстродействие. Из этих двух материалов изготавливают D - триггеры, делители частоты, аналого-цифровые

преобразователи		и ц е л ы й р я д	а н а л о г о в ы х сверхвысокочастотных ИС,
необходимых д л я		с п у т н и к о в о й	и о п т о в о л о к о н н о й	связи .	И с п о л ь з о в а -
нию германия	д л я с о з д а н и я		и н т е г р а л ь н ы х схем	м е ш а е т	н е в ы с о к а я
максимальная	р а б о ч а я т е м п е р а т у р а и з г о т а в л и в а е м ы х из него диодов

и транзисторов.

Рассмотрим сначала основные технологические приемы, используемые в планарной технологии на кремнии, а затем проиллюстрируем их применение на примере создания биполярных транзисторов (дискретных приборов и элементов интегральных

схем). Особенности	технологии создания полевых	транзисторов
с МОП-структурой	и ИС на их основе будут рассмотрены		нами
в п. 4.2.
Фотолитография.	Некоторые специалисты	полагают,	что

половиной своих поразительных успехов современная микроэлектроника обязана развитию техники литографии, !) Оптическая

1) Литографией называют разработанный в конце XVIII века способ переноса изображения на бумагу с плоской (нерельефной) печатной формы, при котором места на поверхности печатной формы, которые должны дать отпечаток, покрываются специальным составом, который смачивается печатной краской.

2.8. Элементы интегральных схем на биполярных транзисторах

193

литография (фотолитография) как метод, позволяющий создавать на поверхности полупроводника защитные маски с окнами любой формы для проведения последующих технологических

	операций, был разработан Андрусом и Бондом (Bell Laboratories)
	в 1955-57 гг.	проявление
	SiOs
		изображения

	фоторезист	травление SiC>2
0		0
I I ||1	II

УФ-излучение

фотошаблон

4*	Ш Н А
	удаление
	фоторезиста

Рис, 2.21. Основные этапы процесса фотолитографии

Рассмотрим основные этапы фотолитографического процесса на примере формирования окон в слое окисла на поверхности кремния для последующей диффузии примесей. Участки, на которых будет проводиться диффузия, задаются на фотошаб- лоне 0 в виде некого рисунка, и задача литографии состоит в том, чтобы удалить окисел с поверхности кремния точно в указанных местах. Для этого поступают следующим образом (см. рис. 2.21). На предварительно окисленную поверхность кремния наносится тонкий (0,2-1 мкм) слой фоторезиста — материала (обычно представляющего собой смесь полимера с сенсибилизатором), который способен изменять свои физические свойства в результате облучения его синим или ультрафиолетовым излучением.

Существуют два способа переноса изображения на фоторезист: контактный, при котором фоторезист засвечивается через прижатый к пластине кремния фотошаблон, и проекционный,

') Фотошаблон обычно представляет собой кварцеваю пластину, на которой в виде хромового покрытия представлен подлежащий переносу рисунок.

7 А.И. Лебедев

194	Гл. 2. Биполярные	транзисторы
при котором	изображение рисунка	проецируется на фоторезист

с помощью оптической системы. При контактном способе экспонирования для исключения возможности повреждения слоя фоторезиста и рисунка на фотошаблоне последний располагают на небольшом расстоянии от поверхности пластины. Поэтому контактный способ обеспечивает не слишком высокое пространственное разрешение. Проекционный метод с оптическим уменьшением изображения в 4 - 5 раз позволяет получить более

высокое разрешение	и поэтому преимущественно используется
в настоящее время.
В результате фотохимических реакций, идущих под действием све-
та, фоторезист меняет	свои свойства (139): в так называемых пози-

тивных фоторезистах (например, полиметилметакрилате) ультрафиолетовое облучение разрушает полимерные связи и остатки полимера на экспонированных участках растворяются в растворителе (метилизобутилкетоне) более, чем в 10 раз быстрее, чем неэкспонированные участки. В другом, известном еще с 30-х годов, позитивном фоторезисте — смеси диазонафтохинона с новолаком — ультрафиолетовое облучение трансформирует гидрофобные (отталкивающие воду) молекулы диазосоединения в гидрофильную кислоту, и экспонированные

участки фоторезиста затем легко смачиваются растворителем (рас-

т в ор щ е л о ч и ) и удаляются. В негативных фоторезистах (например, смесях ц и к л и ч е с к и х полиизопренов с диазидами или в специально син-

тезированных а з и д о к а у ч у к а х ) ,		наоборот, под действием света начина-
ется распад азидов,	о б р а з у ю т с я	реакционно-способные радикалы, кото-
рые осуществляют	п о п е р е ч н у ю	с ш и в к у л и н е й н ы х полимерных цепочек
с образованием на	э к с п о н и р о в а н н ы х у ч а с т к а х н е р а с т в о р и м ы х объемно

сшитых п о л и м е р о в . В п о с л е д н е е время			д л я и н и ц и а ц и и п о л и м е р и з а ц и и
все чаще и с п о л ь з у ю т ониевые соли,		в	р е з у л ь т а т е ф о т о д и с с о ц и а ц и и	ко-
торых о б р а з у ю т с я	к и с л о т ы Л ь ю и с а ,	о б л а д а ю щ и е к а т а л и т и ч е с к и м		дей -
ствием [140]; э т о	п о з в о л я е т з н а ч и т е л ь н о повысить ч у в с т в и т е л ь н о с т ь

н е г а т и в н ы х ф о т о р е з и с т о в .

При помещении экспонированной пластины в растворитель изображение «проявляется» (растворимые участки фоторезиста удаляются) и рисунок с фотошаблона оказывается представленным на поверхности пластины в виде островков полимера, После задубливания резиста, при котором его адгезия к слою окисла и кислотостойкость возрастают, пластину помещают в раствор смеси NH4F+HF и растворяют участки SiC>2, не защищенные фоторезистом. Наконец, после удаления задубленного фоторезиста с помощью химического или плазменного травления (см. с. 202) получается пластина, на окисленной поверхности которой в соответствии с рисунком на фотошаблоне открыты участки незащищенной поверхности кремния.

2.8. Элементы интегральных схем на биполярных транзисторах

195

На сегодняшний день минимальный размер элементов в интегральных схемах (минимальная длина затвора в случае полевых транзисторов) составляет 0,055-0,09 мкм и продолжает неуклонно уменьшаться, ]) поэтому возможности оптической литографии приближаются к своему теоретическому пределу, налагаемому дифракцией. Уменьшение размеров элементов заставило в середине 80-х годов перейти от ртутных ламп к использованию источников света с более короткими длинами волн. Сейчас ими являются эксимерные лазеры KrF и ArF, работающие в области вакуумного ультрафиолета (X — 248 и 193 нм, соответственно). Для создания элементов, размеры которых лежат вблизи или за дифракционным пределом, создаются специальные фотошаблоны, в которых для коррекции дифракционных искажений вводятся специальные «предыскажения» (фазовые сдвиги), однако изготовление таких фотошаблонов обходится довольно дорого.

Непрерывное совершенствование техники оптической литографии отодвигает тот момент, когда ее возможности будут исчерпаны. Так, в настоящее время быстро развивается техника иммерсионной литографии, в которой пространство между линзой и слоем фоторезиста заполняется жидкостью (обычно водой). Уменьшение длины волны при распространении света в жидкости (показатель преломления воды на длине волны 193 нм составляет пг « 1,44) и увеличение апертуры позволяют достигнуть более высокого разрешения. Эта техника уже была опробована в промышленности и позволила получить минимальный размер элементов 45 нм, По прогнозам, к 2009 г. с ее помощью в оптической литографии будет достигнуто разрешение 32 нм.

В качестве альтернативных методов литографии для получения более высокого разрешения в настоящее время разработаны методы электронно-лучевой литографии, в которой изображение «рисуется» на резисте с помощью электронного луча в сканирующем электронном микроскопе, рентгеновская

') Минимальный размер 90 нм характерен для основной массы выпускаемых в настоящее время процессоров. Первые процессоры, выполненные по 05 нм технологии, появились в 2006 г., а в 2008 г. должны появиться процессоры с минимальным размером элементов 45 нм. Микросхемы динамической (см, с. 275) и флэш-памяти (см. с. 289) с минимальным размером элементов 90 нм начали производиться еще в 2005 г. По состоянию на 2006 г., наименьший размер элементов (55 нм) имеет флэш-память, выпускаемая фирмой

Samsung.

7 *

196

Гл. 2. Биполярные

транзисторы

литография, в которой резист экспонируется мягким рентгеновским излучением от источника синхротронного излучения или более дешевого импульсного источника — плазмы, возбуждаемой лазером, и ионная литография, при которой фоторезист «засвечивается» пучком высокоэнергичных ионов [58]. Электроннолучевая литография с непосредственным экспонированием резиста электронным пучком имеет недостаточную для массового производства производительность и поэтому используется в основном для создания экспериментальных структур и фотошаблонов для оптической и рентгеновской литографии.

Наиболее перспективной для создания приборов с субмик-

ронными размерами			(< 0,1 мкм)		представляется	проекционная
ионная	литография,		первые практические шаги в реализации
которой были сделаны в 1985				г. В этом методе широкий			пу-
чок ионов		водорода	или гелия	с	энергией 10 кэВ падает на
кремниевую		мембрану толщиной			2 - 3 мкм и диаметром		150-
200 мм,	в которой с		помощью	электронно-лучевой		литографии

сделаны сквозные окна в соответствии с требуемым рисунком. Прошедшие через окна ионы ускоряются до энергии 50-200 кэВ, фокусируются системой электростатических линз с уменьшением размера изображения в 3 - 20 раз и направляются на слой резиста. Из-за более тяжелой массы ионов боковое рассеяние ионов в резисте оказывается меньше, чем для электронов, и поэтому в ионной литографии достигается более высокое разрешение по сравнению с электронно-лучевой литографией. Кроме того, в отличие от электронно-лучевой и рентгеновской литографии, ионная литография практически не вносит радиационных повреждений в расположенный под слоем резиста полупроводник.

Литография является наиболее важной операцией планарной технологии, поскольку от ее разрешающей способности и точности совмещения зависит плотность упаковки элементов в ИС. Литография является и наиболее часто используемой в планарной технологии операцией. Так, при производстве микросхем памяти емкостью 1 Гбит (разработка 2002 г.) требуется 31 операция литографии, 18 из которых являются «критическими»,

то есть требующими максимального		разрешения и точности сов-
мещения.
Более подробную информацию о разных методах литографии,
изготовлении	шаблонов, свойствах	фоторезистов можно найти
в работах [58,	139-143].

2.8. Элементы интегральных схем на биполярных транзисторах

197

Технология локальной диффузии. Возможности диффузии как способа введения примесей III и V групп в Ge и Si для создания в полупроводнике областей р- и n-типа проводимости были впервые продемонстрированы Пфанном из Bell Laboratories и Холлом и Данлэпом из General Electric в 1949-1950 гг.

В 1955 г. Дерик и Фрош (Bell Laboratories) запатентовали использование слоя окисла, созданного на поверхности кремния при его термическом окислении, в качестве маски для защиты Si от проникновения в него диффундирующих примесей. Основанием для этого является то, что коэффициент диффузии многих важных легирующих примесей (В, Р, As) в SiC>2 на порядок меньше, чем в кристаллическом Si, и поэтому слой окисла толщиной 0,5-1 мкм может служить эффективной защитой, не позволяющей указанным примесям проникать с поверхности в лежащий под. окислом кремний. Заметим, что этот метод не годится для защиты кремния при легировании его примесями Ga и AI, коэффициент диффузии которых в SiC>2 выше, чем в Si.

Для создания защитного слоя окисла кремниевую пластину нагревают в атмосфере сухого или влажного кислорода или просто в парах воды. Было установлено, что присутствие в кислороде даже небольшой примеси паров воды ( ~ 1 0 _ 3 % ) вызывает резкое увеличение скорости окисления (на 1-1,5 порядка). Слой образующегося Si02 оказывается в 2,2 раза толще слоя израсходованного на окисление кремния, и поэтому на границе Si/Si02 возникают сильные механические напряжения, которые могут привести к повреждению структуры. По этой причине окисление обычно проводят при температурах выше 950 °С, при которых возникающие упругие напряжения снимаются за счет вязкого течения образующегося стеклообразного (аморфного) SiC>2. Для получения пленки толщиной 1 мкм время окисления во влажном кислороде при атмосферном давлении и 1000 °С составляет ~ 4 часа [58].

Следует отметить, что в современной технологии слои Si02 используются не только в качестве защитных масок, но и как

источник	примеси	при проведении диффузии. Дело в том,
что, попадая в S1O2, примеси бора и фосфора образуют с
двуокисью	кремния	сравнительно легкоплавкие боросиликатное

и фосфорно-силикатное стекло. При обычных для диффузии температурах эти стекла становятся жидкими, они прекрасно смачивают поверхность кремния и растекаются по ней. Помимо создания на поверхности однородной содержащей примесь пленки, это покрытие выполняет очень важную функцию — предохраняет поверхность кремния от эрозии (газового травления). По этой

198	Гл. 2. Биполярные транзисторы
причине первый	этап операции диффузии (так называемую за-
гонку примеси)	проводят в проточной системе, добавляя в поток

газа, содержащий примесь, еще и кислород. При этом открытые участки поверхности кремния покрываются тонким слоем окисла, который реагирует с находящейся в газовой фазе примесью и образует соответствующее примесно-силикатное стекло. На втором этапе операции диффузии, называемом разгонкой при- меси, примесные атомы диффундируют из этой пленки стекла в глубь кристалла. Описанная технология позволяет получить диффузионные слои с концентрацией примеси до 1018 с м - 3 . Типичные температуры загонки и разгонки примеси в кремнии составляют 1000 и 1200 DC, соответственно.

Фосфорно-силикатное стекло выполняет еще одну важную функцию: оно служит геттером примесей щелочных и некоторых переходных металлов, которые могут попадать в структуры во время их изготовления. Как мы увидим в п.п. 3.1.1 и 4.1.1, активизирующиеся во время термообработки примеси золота, меди и железа могут существенно уменьшать время жизни в Si, а примеси щелочных металлов — вызывать нестабильность характеристик МОП-транзисторов.

Ионная	имплантация.		Говоря о легировании		полупровод-
ников, нельзя		обойти вниманием		метод ионной	импланта-
ции [108,	144],	заключающийся в		бомбардировке	поверхности

кристалла ионами легирующих примесей, ускоренными до энергии 5-500 кэВ. В результате этой бомбардировки примеси внедряются в кристалл и распределяются там по глубине так, что их профиль распределения имеет приблизительно гауссову форму с максимумом, находящимся на некотором расстоянии от поверхности. Глубина залегания этого максимума зависит от массы и энергии ионов и обычно составляет 0,03-1 мкм. 1)

	О б л у ч е н и е в ы с о к о э н е р г и ч н ы м и	ионами к а к	метод н а п р а в л е н н о г о
изменения свойств п о л у п р о в о д н и к о в		был в п е р в ы е	и с п о л ь з о в а н в		1 9 5 0 -
52	гг. Олом [145] для у л у ч ш е н и я	х а р а к т е р и с т и к		к р е м н и е в ы х	дио -
дов,	ф о т о п р е о б р а з о в а т е л е й и т о ч е ч н ы х т р а н з и с т о р о в .			Н е с к о л ь к о	п о з ж е

При имплантации полупроводника ионами, движущимися в направлении одной из кристаллических осей, рассеяние ионов в кристалле резко ослабляется и наблюдается явление каналирования, состоящее в аномально сильном

проникновении ионов	в кристалл. В кремнии это явление наиболее сильно
выражено для ионов, движущихся в направлении			{110}. Для устранения неже-
лательного влияния этого эффекта на		профиль	легирования, оси	кристалла
во время имплантации	разориентируют	на угол 5	- 10° относительно	направле-
ния пучка ионов.

2.8. Элементы интегральных схем на биполярных транзисторах

199

Б р е д ов

с соавт. [146] и з у ч а л и влияние облучения ионами К на вольт-

амперные х а р а к т е р и с т и к и

т о ч е ч н ы х диодов. В 1955

г. Кассинс

[147]

пытался

и с п о л ь з о в а т ь

и о н н у ю

и м п л а н т а ц и ю

д л я легирования герма-

ния,

но

в о з н и к а ю щ и е

при

б о м б а р д и р о в к е

о б р а з ц о в радиационные де -

фекты п о м е ш а л и е м у добиться

успеха . В 1957 г. Ш о к л и [148] получил

патент на способ

с о з д а н и я

с п о м о щ ь ю

ионной

и м п л а н т а ц и и

з а г л у б л е н -

ного слоя, тип проводимости которого

п р о т и в о п о л о ж е н т и п у

проводи-

мости о с т а л ь н ы х

частей

к р и с т а л л а ; в

патенте у к а з ы в а л о с ь

на

необ-

ходимость п р о в е д е н и я

п о с т и м п л а н т а ц и о н н о г о

о т ж и г а

для

у с т р а н е н и я

радиационных д е ф е к т о в .

П е р в ы м и и з г о т о в л е н н ы м и

с п о м о щ ь ю

ион-

ной

и м п л а н т а ц и и

п о л у п р о в о д н и к о в ы м и

приборами

б ы л и

детекторы

ядерных

и з л у ч е н и й [149]

и э л е м е н т ы

с о л н е ч н ы х батарей

[150,

151].

G середины 70-х годов ионная

и м п л а н т а ц и я

становится

стандартной

технологической операцией при

производстве

п о л у п р о в о д н и к о в ы х

при-

боров.

^ По сравнению с диффузией основными преимуществами ионной имплантации как метода легирования являются: возможность более тонкого управления профилем и концентрацией вводимой примеси; возможность получения слоев с концентрацией примеси выше 1018 см"3 ; возможность создания очень мелких 0$ О, 1 мкм) легированных слоев и высокая степень чистоты (как следствие использования масс-спектрометрических сепараторов для выделения необходимого изотопа примеси при имплантации). Кроме того, ионная имплантация характеризуется невысоким рассеянием внедряемых ионов в поперечном направлении (20-40% от средней глубины проникновения), что позволяет при использовании этого метода сохранять высокое разрешение, задаваемое фотолитографией, и создавать легированные области очень малых размеров.

Поскольку при ионной имплантации в кристаллах возникаем'высокая концентрация радиационных дефектов (число которЫх обычно намного превосходит число внедренных атомов),1) то после имплантации необходимо провести термообработку полупроводника, чтобы отжечь эти дефекты, восстановить кристаллическую структуру и перевести легирующие примеси из нейтральных комплексов в электрически активное состояние. В случае кремния эта термообработка проводится при темпера-

*) При высокой дозе облучения ионами (>1014-1015 см"2) приповерхностный слой полупроводника может вообще аморфизоваться. Избежать аморфизации поверхности можно проводя «горячее внедрение», то есть проводя имплантацию в нагретый кристалл. Это особенно важно для GaAs, поскольку, в отличие от Si, при кристаллизации возникающего в GaAs аморфного слоя получается материал очень низкого качества. Поэтому ионную имплантацию в GaAs и InP проводят при температурах 150-250 ®С.

200	Гл. 2. Биполярные транзисторы
турах 500-1000 °С,	причем чем выше доза внедренных ионов,

тем более длительная и высокотемпературная термообработка требуется для отжига дефектов. В кристаллах, в которых приповерхностный слой аморфизовался, отжиг при -^600 °С приводит сначала к образованию дислокационной структуры, которая отжигается только при ~1000 °С. Заметим, что при указанных температурах диффузия в кремнии еще незначительна, и профиль распределения внедренных примесей по глубине практически не меняется.

В 1974-1975 гг. как альтернатива термическому отжигу была предложена технология лазерного отжига [152]. При лазерном отжиге имплантированные структуры в течение короткого времени облучаются импульсным или непрерывным светом лазера, который при плотности возбуждения 1 - 10 Дж/см 2 оказывает действие, эквивалентное термообработке при 1000 °С. Оказывается, что действие интенсивного облучения светом не сводится только к нагреву полупроводника: в образцах наблюдаются эффекты, которые отсутствуют при термическом отжиге {108]. Эти особенности связываются с интенсивной генерацией электроннодырочных пар светом и, по-видимому, являются следствием известного факта, что темп отжига радиационных дефектов возрастает при рекомбинации неравновесных носителей на этих дефектах. Важным преимуществом лазерного отжига является то, что время обработки пластины обычно не превышает одной минуты, в то время как продолжительность термического отжига измеряется часами.

В качестве примера использования ионной имплантации рассмотрим формирование профиля легирования базы транзистора со «скрытым» эмиттером. Начнем с того, что при создании транзисторов по стандартной планарной технологии (см. с. 203) их эмиттеры создаются последними и располагаются на самом верху структуры, а необходимый для создания в базе тянущего электрического поля профиль легирования базы транзистора (с убыванием концентрации по мере удаления в глубь кристалла, см. рис. 2.56) получается за счет диффузии акцепторной примеси. В то же время для изготовления современных интегральных микросхем И2 Л (см. п. 2.8.2) необходимы транзисторы, в которых скрытый (лежащий в глубине структуры) п+ -слой служил бы эмиттером, а область n-типа на поверхности — коллектором. Чтобы такой транзистор имел высокий коэффициент усиления и высокое быстродействие, необходимо сформировать

	2.8. Элементы интегральных			схем	на биполярных транзисторах	201
	такой профиль легирования ба-
	зы• при	котором концентрация
	примеси	возрастает	по	мере
	удаления от поверхности. Та-
	кой профиль может быть по-
	лучен только ионной имплан-
	тацией. Распределение		легирую-
	щих примесей в транзисторе со
	•скрытым» эмиттером, в котором
	необходимое распределение			ак-
	цепторов в базе создано ионной				Рис. 2.22. Распределение примесей
	имплантацией атомов бора, пока-				в транзисторе со «скрытым» эмит-
	зано на рис. 2.22.				тером и иоино-легированной базой.
					Вектор С указывает направление
	В 1987 г. в связи с разработкой				встроенного электрического поля,
					способствующего дрейфу инжекти-
	методов создания все более мелких
					рованных электронов от эмиттера
	jHn-переходов была предложена мо-
					к коллектору
	дификация метода ионной имплан-
						плазми
	тации — метод ионной		имплантации при погружении в
	или, как его еще называют, метод плазменного легирования					(153]. О

Этот метод позволил преодолеть недостаток стандартной схемы ионной имплантации — проблему получения большого тока ионов при их малой энергии. Реализовать этот метод можно в обычной камере для плазменной обработки полупроводников, добавив в поток газа-носителя {Н2, Не, Аг) небольшое количество газообразных соединений легирующих примесей (ВГНБ, РНз, АбНз). При подаче на полупроводниковую подложку коротких импульсов отрицательного напряжения амплитудой 1-10 кВ (длительность 5-20 мкс, частота 0,2-5 кГц) в результате электрического разряда в камере возбуждается плазма, и ускоренные ионы внедряются в незащищенные участки поверхности полупроводника. Профиль получаемого распределения атомов примеси по глубине имеет максимум вблизи поверхности (и, следовательно, похож на профиль, получаемый при диффузии), однако примеси локализованы в очень тонком (200-600 А) слое, а их концентрация может превышать 1020 см~3. Различные применения этого метода имплантации рассмотрены в обзорной статье [154].

Ионная имплантация является важным компонентом современной технологии Б И С и С Б И С , позволяющим создавать неглубокие р-n-переходы, необходимые для современных биполярных и полевых транзисторов субмикронных размеров. С помощью ионной имплантации изготавливаются перспективные ДЛЯ интегральных микросхем подложки со структурой кремний-

') Для обозначения этой технологии в зарубежной литературе используют аббревиатуру РШ (plasma immersion ion implantation).