тесты физика

№		Вопросы				Варианты ответов
3.	Система является вырожденной, если				1.	становится существенным квантование.
					2.	становится несущественным квантование.
					3.	подчиняется классической статистике.
					4.	подчиняется статистике Максвелла-
					Больцмана.
4.	Распределение	электронов	по	уровням	1.	только для металлов.
	валентной зоны и зоны проводимости				2.	для вырожденных полупроводников и
	описывается	функцией	Максвелла-		металлов.
	Больцмана ...				3.	для собственных полупроводников и
					металлов.
					4. для большинства полупроводников
					(невырожденных).
5.	Распределение	электронов	по	уровням	1.	для вырожденных полупроводников и
	валентной зоны и зоны проводимости				металлов.
	описывается функцией Ферми-Дирака…				2.	для собственных полупроводников и
					металлов.
					3.	только для собственных полупроводников.
					4.	только для полупроводников р-типа.
6.	При обычных температурах электронный				1.	связанным.
	газ в металле остается				2.	неподвижным.
					3.	вырожденным.
					4.	поглощающим голубой свет.

9.Б. Теплоёмкость (базовые вопросы)

1.

Закон Дюлонга-Пти выполняется для:

1.

температур выше температуры Дебая.

2.

температур ниже температуры Дебая.

3.

температуры близкой к 0 К.

4.

любых температур.

2.

По закону Дюлонга-Пти молярная

1.

одинакова и равна R.

теплоёмкость всех химически простых тел

2.одинакова и равна 3R.

в кристаллическом состоянии:

3.

не одинакова.

4.

одинакова и равна 5R.

3.

Максимальная

частота

колебаний

1. max

kh Д .

кристаллической решётки равна:

2. max

k Д .

(где Д - температура Дебая.)

k Д

3.

.

max

h2

4.

k Д

.

max

h

4.

Температура Дебая указывает для каждого

1.

где

становится

не

существенным

вещества область

квантование энергии колебаний.

2.

где становится существенным квантование

энергии колебаний.

3.

где становится существенным поглощение

электромагнитного излучения.

4.

где

становится

существенным

электромагнитное излучение.

191

№	Вопросы		Варианты ответов
5.	Фонон является	1. квантом света.
		2.	квантом звука (акустических колебаний).
		3.	квантом электромагнитной волны.
		4.	опечаткой в слове «фотон».
6.	Скорость фонона…	1. наибольшая в вакууме.
		2.	тем больше, чем больше плотность среды.
		3.	не зависит от плотности среды
		4.	наибольшая в воздухе.

9.Д. Теплоёмкость (дополнительные вопросы)

1.	Молярная теплоемкость металлов Cm при	1.	Cm ~ θ/T.
	низких температурах T (ниже температуры	2.	Cm = 3R.
	Дебая) равна	3.	Cm ~ T/θ .
	(θ - температура Дебая)	4.	Cm ~ (T/θ)3.
2.	Молярная теплоемкость металлов, при	1.	3R и значительно больше молярной
	температуре выше температуры Дебая,	теплоемкости диэлектриков.
	имеет значение, близкое к…	2.	3R и значительно меньше молярной
	( R - универсальная газовая постоянная)	теплоемкости диэлектриков.
		3.	3R и близкое к значению молярной
		теплоемкости диэлектриков.
		4.	3R / 2 и значительно больше молярной
		теплоемкости диэлектриков.

10.Б. Физика твёрдого тела. Зонная теория (базовые вопросы)

1.	Зонная структура твердых тел обусловлена	1. наличием областей кристалла, состоящих
			из атомов разных типов.
		2.	наличием зон, где находятся только
			электроны, и зон, где находятся только
			атомные остовы.
		3.	наличием большого количества атомов.
		4.	наличием периодического потенциала
			кристаллической решетки.
2.	Носителями тока в полупроводниковых	1. только электроны.
	материалах являются…	2. протоны.
		3.	только дырки.
		4.	электроны и дырки.
3.	Полупроводник – вещество, основным	1. сильная зависимость удельной
	свойством которого является ….	проводимости от воздействия внешних
		факторов (температуры, электрического
		поля, света и др.).
		2. независимость удельной проводимости от
		воздействия внешних факторов
		(температуры, электрического поля, света и
		др.).
		3.	независимость сопротивления от
		воздействия внешних факторов
		(температуры, электрического поля, света и
		др.).
		4.	сильная зависимость удельной
		проводимости от температуры и
		независимость от воздействия остальных
		внешних факторов (электрического поля,
		света и др.).

192

№				Вопросы				Варианты ответов
4.	Причинами рассеяния носителей заряда в						1.	тепловые колебания атомов и ионов
	полупроводнике являются						кристаллической решетки.
							2.	рассеяние на примесях.
							3.	рассеяние на дефектах решетки (пустоты,
							трещины, дислокации и т.д.).
							4.	все ответы верны.
5.	Удельное		сопротивление			собственных	1.	линейно убывает с ростом температуры.
	полупроводников…						2.	линейно возрастает с ростом температуры.
							3.	не изменяется с изменением температуры.
							4.экспоненциально убывает с ростом
							температуры.
6.	В	полупроводнике			с	акцепторной	1.	дырки.
	примесью		основным		типом носителей		2.	одновременно	электроны	и
	электрического заряда являются …						положительные ионы.
							3.	положительные ионы.
							4.	отрицательные ионы.
7.	В полупроводнике с донорной примесью						1.	дырки.
	основным типом носителей электрического						2.	одновременно	электроны	и
	заряда являются …						положительные ионы.
							3.	положительные ионы.
							4.	электроны.
8.	Ширина запрещенной зоны твердотельного						1.	неопределенность координаты электронов.
	материала характеризует…						Измеряется в Дж.
							2.	минимальный геометрический размер
							объема, в пределах которого невозможно
							обнаружить электрон. Измеряется в метрах.
							3.	размер области материала, в которой не
							могут находиться более двух электронов.
							Измеряется в метрах.
							4.	минимальную энергию, необходимую для
							перевода электрона из валентной зоны в зону
							проводимости. Измеряется в Дж.
9.	В порядке убывания энергии активации,						1.	металл, полупроводник, диэлектрик.
	вещества располагаются:						2.	полупроводник, металл, диэлектрик.
							3.	полупроводник, диэлектрик, металл.
							4.	диэлектрик, полупроводник, металл.
10.	В	порядке		возрастания		ширины	1.	металл, полупроводник, диэлектрик.
	запрещённой			зоны,		вещества	2.	полупроводник, металл, диэлектрик.
	располагаются:						3.	полупроводник, диэлектрик, металл.
							4.	диэлектрик, металл, полупроводник.
11.	Уровень Ферми это						1. первый свободный энергетический
							уровень.
							2. последний занятый энергетический
							уровень.
							3. уровень, вероятность заполнения которого
							равна 1 при Т = 0 К.
							4. энергетический уровень, вероятность
							заполнения которого равна 0,5 при Т = 0 К.

193

№		Вопросы			Варианты ответов
12.	На рисунках а), б), в) изображены зонные			1. а) металла, б) полупроводника,
	диаграммы…			в) диэлектрика.
				2.	а) диэлектрика, б) металла,
				в) полупроводника.
				3.	а) диэлектрика, б) полупроводника, в)
				металла.
				4.	а) металла, б) диэлектрика, в)
				полупроводника.

10.Д. Физика твёрдого тела. Зонная теория (дополнительные вопросы)

1.	Энергия	Ферми		в	некотором		1.	значительно больше 50 %.
	полупроводнике равна 1 эВ. Вероятность						2.	значительно меньше 50 %.
	обнаружить	в этом		полупроводнике			3.	равна нулю.
	электрон с энергией 0,1 эВ при комнатной						4.	равна 100%.
	температуре…
2.	Уровень Ферми в полупроводниках n-						1.	верхней половине запрещённой зоны.
	типа расположен в:						2.	нижней половине запрещённой зоны.
							3.	посередине запрещённой зоны.
							4.	валентной зоне.
3.	Уровень Ферми в собственных						1.	нижней половине запрещённой зоны.
	полупроводниках расположен в:						2.	верхней половине запрещённой зоны.
							3.	зоне проводимости или валентной зоне.
							4.	посередине запрещённой зоны.
4.	Уровень Ферми		в	полупроводниках			1.	нижней половине запрещённой зоны.
	р-типа расположен в:						2.	верхней половине запрещённой зоны.
							3.	посередине запрещённой зоны.
							4.	зоне проводимости.
5.	Вырожденный		полупроводник			–	1.	только в зоне проводимости.
	полупроводник (примесный) у которого						2.	в зоне проводимости или в валентной
	уровень Ферми лежит …..						зоне.
							3.	только в валентной зоне.
							4.	посередине запрещённой зоны.
6.	Переход электрона из зоны проводимости в						1.	дрейфом.
	валентную зону называется:						2.	диффузией.
							3.	генерацией.
							4.	рекомбинацией.
7.	Донором называется примесный атом или						1.	свободной от электрона и способный
	дефект	кристаллической			решётки,		захватить электрон из валентной зоны.
	создающий	в	запрещённой			зоне	2.	занятый в невозбуждённом состоянии
	энергетический уровень...						электроном и способный отдать его в зону
							проводимости.
							3.	занятый в невозбуждённом состоянии
							электроном и способный отдать его в
							валентную зону.
							4.	свободной от электрона и способный
							захватить электрон из зоны проводимости.

194

№	Вопросы		Варианты ответов
8.	В полупроводнике с донорной примесью	1. дырки.
	основным типом носителей электрического	2. одновременно		электроны	и
	заряда являются …	положительные ионы.
		3.	положительные ионы.
		4.	электроны.
9.	Направленное движение носителей заряда	1. дрейфом.
	в объёме полупроводника под действием	2. диффузией.
	электрического поля называется:	3. генерацией.
		4.	рекомбинацией.
10.	Направленное движение носителей заряда	1. дрейфом.
	в объёме полупроводника из-за градиента	2. диффузией.
	концентрации называется:	3. генерацией.
		4.	рекомбинацией.
11.	Переход электрона из валентной зоны в	1. дрейфом.
	зону проводимости называется:	2. диффузией.
		3.	рекомбинацией носителей тока.
		4.	генерацией носителей тока.
12.		1.	1, 2.
		2.	1, 2, 3.
		3.	4, 5.
		4.	6, 4.
	На рисунке процессы генерации носителей
	тока изображены стрелками…
	(где уровни энергии Ес свободной зоны, Ed
	доноров, Ea акцепторов, Ev валентной зоны)
13.		1.	1, 2.
		2.	1, 2, 3.
		3.	4, 5.
		4.	4, 5, 6.
	На рисунке процессы рекомбинации
	носителей тока изображены стрелками…
	(где уровни энергии Ес свободной зоны, Ed
	доноров, Ea акцепторов, Ev валентной зоны)

195

№		Вопросы						Варианты ответов
		11.1.Б. p-n переход (базовые вопросы)
1.	При прямом включении p-n–перехода к					1. к дырочному полупроводнику -
	нему должна быть приложена следующая					положительный потенциал, к электронному -
	полярность:					отрицательный. При этом высота
						потенциального барьера для основных
						носителей возрастает.
						2.	к	дырочному полупроводнику -
						положительный потенциал, к электронному -
						отрицательный.			При	этом	высота
						потенциального			барьера	для	основных
						носителей уменьшается.
						3.	к дырочному полупроводнику -
						отрицательный потенциал, к электронному -
						положительный. При этом высота
						потенциального барьера для основных
						носителей возрастает.
						4.	к дырочному полупроводнику -
						отрицательный потенциал, к электронному -
						положительный. При этом высота
						потенциального барьера для основных
						носителей уменьшается.
2.	Прямое напряжение на p-n–переходе…					1. ограничено только э.д.с. внешнего
						источника тока.
						2.	всегда постоянно.
						3.	всегда на много больше обратного
						напряжения.
						4.	ограничено		контактной		разностью
						потенциалов p-n – перехода.
3.	Для выпрямительного диода в рабочем					1.	Iпр	Iобр .
	режиме между	прямым		током	( I пр ) и	2.	Iпр	Iобр .
	обратным ( Iобр ) имеется соотношение:
						3.	I пр	Iобр .
						4.	I пр	Iобр .
4.	В электронно-дырочном переходе при					1.	уменьшается, ток через преходный слой
	совпадении	направления			внешнего	увеличивается.
	электрического	поля	и	диффузионного		2. увеличивается, ток через преходный слой
	электрического	поля	контактная		разность	увеличивается.
	потенциалов...					3.	уменьшается, ток через преходный слой
						уменьшается.
						4.	увеличивается, ток через преходный слой
						уменьшается.

196

№

Вопросы

Варианты ответов

5.

Величина

потенциального

барьера

при

1.

кон .

прямом включении электронно-дырочного

2.

( кон U пр ) .

перехода определяется:

( кон Uобр ) .

(где

кон

-

контактная

разность

3.

потенциалов,

U

пр

- прямое

напряжение,

4.

( кон Uобр ) .

U обр - обратное напряжение)

6.

Величина

потенциального

барьера

при

1.

кон .

обратном

включении

электронно-

2.

( кон U пр ) .

дырочного перехода определяется:

3. ( кон Uобр ) .

(где

кон

-

контактная

разность

потенциалов,

U

пр

- прямое

напряжение,

4.

( кон Uобр ) .

U обр - обратное напряжение)

11.2.Б. Контактные явления в полупроводниках (базовые вопросы)

1.	Переходный слой с существующим в нём	1. гетеропереходом.
	диффузионным электрическим полем	2. омическим контактом.
	между двумя различными по химическому	3. переходом Шотки.
	составу полупроводниками называется	4. выпрямляющим р-n переходом.
2.	Эффект Зеебека заключается в том, что ....	1.	при протекании тока через цепь,
		составленную из разнородных металлов или
		полупроводников в одних спаях происходит
		выделение, а в других – поглощение
		теплоты.
		2.	под действием света электроны могут
		переходить из валентной зоны на уровни
		примеси.
		3.	при образовании замкнутой цепи из двух
		спаев и их неодинаковой температуре в цепи
		течёт электрический ток.
		4.	под действием света электроны могут
		переходить с примесных уровней в зону
		проводимости.
3.	Эффект Пельтье заключается в том, что ....	1.	при протекании тока через цепь,
		составленную из разнородных металлов или
		полупроводников, в одних спаях происходит
		выделение, а в других – поглощение
		теплоты.
		2.	при образовании замкнутой цепи из двух
		спаев и их неодинаковой температуре, в
		цепи течёт электрический ток.
		3.	под действием света электроны могут
		переходить из валентной зоны на уровни
		примеси.
		4.	под действием света электроны могут
		переходить с примесных уровней в зону
		проводимости.

197

№

Вопросы

Варианты ответов

11.2.Д. Контактные явления в полупроводниках (дополнительные вопросы)

1.	Образование замкнутой цепи из двух спаев				1. к образованию избытка электронов вблизи
	и их неодинаковая температура приводят…				холодного конца и		недостатка их вблизи
					горячего конца.
					2. к образованию избытка электронов вблизи
					горячего конца и недостатка их вблизи
					холодного конца.
					3.	к одинаковой концентрации		электронов
					вблизи холодного и горячего конца.
					4. к уменьшению концентрации электронов.
2.	При образовании замкнутой цепи из двух				1.	только зависимостью уровня Ферми от
	спаев и их неодинаковой температуре в				температуры.
	цепи	течёт	электрический	ток.	2.	только диффузией электронов (или
	Термоэлектродвижущая сила обусловлена:				дырок).
					3. только увлечением электронов фононами.
					4.	зависимостью	уровня	Ферми от
					температуры, диффузией электронов (или
					дырок) и увлечением электронов фононами.

12.Б. Протонно-нейтронная модель ядра атома (базовые вопросы)

1.	Атомное ядро состоит из…..		1. протонов и нейтронов.
			2.	протонов и электронов.
			3.	нейтронов и электронов.
			4.	нейтронов и позитронов;
2.	Вещества, имеющие одинаковый атомный		1. изотопами (занимающими одно место).
	номер, но	разные массовые числа,	2. изобарами.
	называются…		3. изомерами.
			4.	изотонами.
3.	Ядро атома имеет положительный заряд		1. Z – число протонов в ядре; е – заряд
	+Ze. Буквы Z и е обозначают…		протона.
			2.	Z – число заряженных частиц в атоме; е –
			заряд каждой частицы.
			3.	Z – число нуклонов, е – заряд.
			4.	Z – число электронов в ядре, е – заряд
			электрона.
4.	Зарядовое число атомного ядра – это…		1. число нуклонов в ядре.
			2.	число протонов, входящих в состав ядра.
			3.	число нейтронов в ядре.
			4.	суммарное число протонов и нейтронов в
			ядре.
5.	Число нейтронов (N) в ядре можно		1. N = A + Z.
	выразить через зарядовое (Z) и массовое (A)		2. N = A – Z.
	число:		3. N = A ∙ Z.
			4.	N = A (1 – Z).

198

№		Вопросы		Варианты ответов
6.	Массовое число атомного ядра – это…		1.	число нейтронов в ядре.
			2.	число протонов, входящих в состав ядра.
			3.	порядковый номер химического элемента
			в периодической системе химических
			элементов Д.И. Менделеева.
			4.	суммарное число протонов и нейтронов в
			ядре.
7.	В центре атома находится положительно		1.10–4–10–5 м.
	заряженное ядро, диаметр которого не		2.	10–14–10–15 м.
	превышает…		3.	10–6–10–7 м.
			4.	10–11–10–12 м.
8.	К нуклонам относятся:		1.	протоны и электроны.
			2.	нейтроны и электроны.
			3.	альфа- и бэта-частицы.
			4.	протоны и нейтроны.
9.	Изотопы данного элемента отличаются		1.	числом нейтронов в ядре.
	друг от друга…		2.	числом протонов в ядре.
			3.	числом электронов.
			4.	только периодом полураспада.
10	Условное обозначение атомного ядра имеет		1.	изотопами.
	A		2.	изобарами.
	вид: Z X ,	здесь Х – символ химического
			3.	магическими ядрами.
	элемента;	А – массовое число; Z –
			4.	дважды магическими ядрами.
	зарядовое число. Ядра с одинаковыми Z, но
	разными А называются …
11	Сколько нейтронов и сколько протонов в		1. протонов 226 нейтронов и 88 протонов.
	ядре радия 22688 Ra ?		2. 226 протонов и 88 нейтронов.
			3.	88 нейтронов и 138 протонов.
			4.	88 протонов и 138 нейтронов.
12.	Сколько нейтронов и сколько протонов в		1. протонов 26 нейтронов и 12 протонов.
	ядре изотопа магния 1226 Mg ?		2. 26 протонов и 12 нейтронов.
			3.	14 нейтронов и 12 протонов.
			4.	14 протонов и 12 нейтронов.
13.	Сколько нейтронов и сколько протонов в		1. 26 нейтронов и 54 протона.
	ядре железа 2654 Fe ?		2. 80 протонов и 26 нейтронов.
			3.	54 нейтрона и 26 протонов.
			4.	26 протонов и 28 нейтронов.
14.	Сколько нейтронов в ядре 158 О ?		1.	23.
			2.	7.
			3.	8.
			4.	15.

199

№

Вопросы

Варианты ответов

12.Д. Протонно-нейтронная модель ядра атома

(дополнительные вопросы)

1.

Во сколько раз радиус ядра изотопа бора

1. 2 раза.

58 В меньше радиуса ядра изотопа никеля

2. 6 раз.

6428 Ni :

3. 3 раза.

4. 3,5 раза.

2.

Во сколько раз объём ядра изотопа

1. в 23 раза.

плутония

24394 Pu

больше

объёма

ядра

2. в 27 раз.

изотопа бериллия

49 Be ?

3. в 36 раз.

4. в 4 раза.

3.

Условное обозначение атомного ядра имеет

1 изотопы.

A

2. изобары.

вид: Z X , здесь Х – символ химического

3 магические ядра.

элемента;

А –

массовое

число;

Z –

4. дважды магические ядра.

зарядовое число. Ядра с одинаковыми А, но

разными Z называются …

4.

Радиус

ядра

атома алюминия

2713 Аl

1.

2,8 10 15

м.

приблизительно равен:

2.

5,6 10 15

м.

3.

4,2 10 15

м.

4.

1,4 10 15

м.

5.

Диаметр

ядра

изотопа

меди

2964 Cu

1.

2,8 10 15

м.

приблизительно равен:

2.

11,2 10 15

м.

3.

4,2 10 15

м.

4.

1,4 10 15

м.

6.

Радиус

ядра

изотопа

лития

83 Li

1.

2,8 10 15

м.

приблизительно равен:

2.

5,6 10 15

м.

3.

4,2 10 15

м.

4.

1,4 10 15

м.

7.

Радиус

ядра

изотопа

олова

12550 Sn

1.

2,8 10 15

м.

приблизительно равен:

2.

5,6 10 15

м.

3.

4,2 10 15

м.

4.

7 10 15

м.

8.

Наиболее вероятное расстояние электрона

1.

rn

4 0

2

n .

от ядра определяется:

m

e

Z e2

2.

r

4

0

2

n2 .

n

m

Z e2

e

3.

rn

4

0

2

.

n2

m

e

Z e2

4.

rn

4

0

2

.

n

m

e

Z e2

200