5. Проведение измерений:

5.1 Подготовка к работе

Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера и имеет имя «WEWB32».

5.1.1 Вызвать сохраненную схему с транзистором из базы EWB.

Дополнить ее до схемы усилительного каскада рис. 19.

Транзистор установить такой, для которого проводилась нагрузочная прямая, R_К – вычисленное в пункте 3. В цепях базы и коллектора включены приборы для измерения токов I_Б и I_К и напряжений U_БЭ и U_КЭ.

Сопротивление R_б установить равным R_К. Напряжение источника V2 (Е_К) установить таким, какое было принято при выполнении пункта 3. Напряжение источника V₁ установить равным V₁ = R_б·I_бmin + U_БЭ. U_БЭ = 500мВ,

I_бmin = 10 мкА.

Установить R_Э = 1 Ом.

Внимание. При сборке схемы не пытайтесь установить обозначения элементов, приведенные на рис. 19. EWB присвоит им свои обозначения и нумерацию. Следует помнить, что номер элемента присваивается автоматически по мере вывода его на наборное поле.

5.1.2 Включить режим моделирования

Убедиться, что схема собрана правильно, т.е. на базе имеется напряжение, равное напряжению V1, напряжение U_КЭ (М3) примерно равно напряжению Е_К, ток коллектора (М4) составляет доли мкА (μА).

Если что-то не так, то внимательно проверить схему.

5.1.3 Заготовить таблицу 11.

5.2 Проведение измерений

5.2.1 Определение характеристик

Увеличивая (или уменьшая) напряжение V1, установить напряжение на базе (М2) приблизительно равным 500 мВ.

Записать полученные значения токов и напряжений в таблицу.

Увеличивая далее напряжение V1, устанавливать ток базы 10 мкА, 20 мкА и т.д. согласно таблицы и записывая в нее показания приборов М2, М3, М4.

Напряжение на базе записывать с точностью три значащих цифры.

Таблица 11 - Результаты измерений.

IБ мкА ( М1)		10	20	40	60	80	100	120	…
UБЭ mV (М2)	500
UКЭ V (М3)	ЕК
IК mА (М4)	0

Ток базы увеличивать до такой величины, пока ток коллектора не достигнет значения I_КНАС или напряжение U_КЭ (М3) не станет менее одного вольта.

Увеличить ток базы еще на 40 мкА и убедиться, что ток коллектора более не увеличивается, а напряжение U_КЭ не уменьшается.

5.2.2 Исследование влияния температуры

Установить ток базы равным 60 мкА.

Из таблицы 10 переписать значения токов и напряжений на электродах "холодного" транзистора для этого режима в таблицу 11.

Установить температуру транзистора равную 57˚С (меню Analysis, опция Analysis options, вкладка Global).

Вновь записать полученные значения токов и напряжений "горячего" транзистора в таблицу 12.

Таблица 12 - Оценка влияния температуры.

	IБ мкА	UБЭ мВ	IК мА	UКЭ В
t = 27^oC	60
t = 57^oC
∆t = 30^oC	∆IБ =	∆UБЭ =	∆IК =	∆UКЭ =

Вычислить величину изменений токов и напряжений транзистора под действием изменения температуры и заполнить строку 4 таблицы.