6. Обработка результатов измерений

6.1 Построить графики вольт-амперных характеристик диодов в одних координатах согласно рисунка 6.

6.2 По графикам

– определить дифференциальное сопротивление диодов

r_Д = ΔU_ПР/ΔI_ПР.

Для определения r_Д построить на графике характеристический прямоугольный треугольник, как показано на рисунке 6. Вершины треугольника расположить на 500 и 1000 mА. ΔI_ПР = (1000mА – 500mА). Сопротивление определить для нормальной и повышенной температуры;

– определить статическое сопротивление диода при прямом токе, равном 500 mА,

R₀ = U_ПР/I_ПР.

Сопротивление определить для нормальной и повышенной температуры;

–

∆U^t_пр

вычислить температурный коэффициент напряжения ТКН на прямой ветви вольт-амперной характеристики для обоих диодов

Т

∆t

КН= Δt [мВ/⁰С].

6.3 На полученных графиках построить также идеализированную ВАХ p-n-перехода.

7. Отчет по работе

7.1 Цель работы;

7.2 Справочные параметры исследуемых диодов, необходимые пояснения;

7.3 Схемы для получения прямой ветви ВАХ диодов;

7.4 Таблицу с результатами измерений;

7.5 Графики ВАХ диодов для нормальной и повышенной температур;

7.6 Рассчитанные параметры;

7.7 Выводы по результатам проделанной работы.

8. Контрольные вопросы:

8.1. Что такое «полупроводниковый диод»?

8.2. Дайте определение понятия «вольт-амперная характеристика полупроводникового диода».

8.3. Поясните влияние температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристики p-n-перехода.

8.4. Назовите составляющие обратного тока p-n-перехода и поясните их физический смысл.

8.5. Что такое «пробой p-n-перехода»?

8.6. Поясните смысл терминов «статическое сопротивление диода» и «дифференциальное сопротивление диода». Как можно найти указанные величины по результатам измерений.

8.7. Почему эти сопротивления имеют разную величину.

8.8. Объясните влияние объемного сопротивления базы на вольт-амперную характеристику p-n-перехода.

8.9. Начертите схему для исследования прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n-перехода.

8.10. Объясните, почему прямое напряжение на диоде Шоттки меньше, чем на кремниевом диоде.

Практическое занятие 2

ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ

БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. Цель работы:

1.1 Экспериментальное определение вольт-амперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах, определение параметров транзистора.

2. Домашнее задание:

1. Изучите конструкцию, принцип действия, характеристики и параметры биполярного транзистора [1-6].

2. Ознакомьтесь с терминологией и буквенными обозначениями параметров биполярных транзисторов по ГОСТ 20003-74 по справочной литературе.

3. Выбрать транзистор из библиотеки «Motorol 1» или «National 2» заданного варианта таблица 4. Выпишите параметры транзистора, имеющиеся в закладке «Edit».

4. Продумайте методику проведения исследований.

5. Ответьте на контрольные вопросы

3. Расчетная часть:

3.1 На основании вольт-амперных характеристик рисунка 10 вычислить коэффициент усиления транзистора В = I_К /I_Б для напряжения на коллекторе U_К = 5В и тока базы I_Б = 100 мкА;

3.2 Вычислить сопротивление коллекторной цепи транзистора постоянному току в точке пересечения напряжения на коллекторе U_К = 5В и характеристики тока базы I_Б = 100 мкА, R_i = U_K/I_K;

3.3 Оценить величину смещения входной вольт-амперной характеристики при изменении температуры от 27⁰С до 60⁰С;

3.4 По данным характеристики рисунка 9 определить входное сопротивление транзистора постоянному току R_ВХ = U_БЭ/I_Б для режима U_БЭ = 0,9 В, U_КЭ = 5 В.