5. Проведение измерений:

5.1 Подготовка к работе

Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера и имеет имя «WEWB32».

Открывается окно EWB, содержащее ряд кнопок для выбора компонент схем и наборное поле, на котором размещается схема.

Собрать схему согласно рисунку 11. На схемеI – источник тока для задания тока базы и вольтметр М1 для измерения напряжения U_БЭ транзистора, V1 – источник напряжения питания коллекторной цепи транзистора и амперметр М2 для измерения тока коллектора, R_Э = 1 Ом.

Измерительные приборы находятся в группе «Indicators» за красной цифрой 8.

Установить значение тока источника I равным 1мкА (1 μА), напряжение V1 (Е_К) равным 5В. Включить режим моделирования и убедиться, что схема работает, т.е. появилось напряжение на базе и ток коллектора (М2).

5.2 Проведение измерений

5.2.1 Снять две входных характеристики транзистора I_Б = ƒ(U_БЭ) при U_КЭ = Const т.е. зависимость тока базы от напряжения база–эмиттер.

Ток базы изменять от 1 μА до 120 μА. Рекомендуемый ряд значений тока приведен в таблице 5, строка I_Б.

По результатам измерений заполнить таблицу 5.

Для получения значения напряжения U_КЭ = 0 отключить прибор М2 от источника V1 и присоединить его к общей шине (можно установить напряжение V1 равным нулю).

Повторить измерение и ввести данные в таблицу 4.

Установить напряжение V1 = 5B. Температуру окружающей среды t = 57ºС.

Таблица 5 - Результаты измерений

tºС		IБ (μА)	1	2	5	10	20	40	60	80		100	120
27	UКЭ = 0В	UБЭ (mV)
	UКЭ = 5В	UБЭ (mV)
57	UКЭ = 5В	UБЭ (mV)

Для установки температуры выбрать опцию Analysis options меню Analysis.

В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение переменной в окне Simulation temperature (TEMP) равное 57 degrees C (57ºС).

Снять одну входную характеристику I_Б = ƒ(U_БЭ)|_{t = 57}.

Установить прежнее значение температуры 27 degrees C (27ºС).

5.2.2 Снять семейство выходных (коллекторных) характеристик I_К = ƒ (U_КЭ) при I_Б = Const рисунок 10 (ток I_К измеряется миллиамперметром М2, напряжение U_КЭ устанавливается источником V1 (Е_К).

Характеристика снимается следующим образом.

Устанавливается ток базы например, I_Б = 10мкА (μА). Напряжение U_КЭ (Е_К) изменяется от нуля до 20В как рекомендовано в таблице 5. Заполняется строчка, соответствующая току I_Б = 10мкА. Ток базы устанавливается равным 20мкА и опыт повторяется.

Результаты измерений занести в таблицу 6.

Снять одну коллекторную характеристику I_К = ƒ(U_КЭ) при температуре окружающей среды Т = 57ºС и токе I_Б = 60 мкА.

Таблица 6 - Результаты измерений

t ºС	UКЭ (В)					0.2		0.5	1		2		5		10		15		20
27		IБ = 10		IК
		IБ = 20
		IБ = 60												*
		IБ = 100
		IБ = 120
57	IБ = 60		IК

5.2.3 Сохранить схему в архиве EWB.