5.1 Тиристоры
Тиристорами называют полупроводниковые приборы с тремя и более p-n-переходами
В зависимости от числа выводов тиристоры делят на
-диодные (динисторы), имеющие два вывода - от анода и катода,
-триодные (тиристоры), имеющие выводы от анода, катода и одной из баз,
-тетродные, имеющие выводы от всех областей.
Тиристоры
В процессе работы тиристор может находиться в одном из двух возможных состояний:
-закрыт,
-открыт.
Впервом из них тиристор выключен или закрыт.
Вэтом состоянии тиристор имеет высокое сопротивление и ток в нагрузке практически равен нулю.
Это соответствует разомкнутому электромеханическому контакту
--
Тиристоры
Во втором состоянии тиристор включен или
открыт.
В этом состоянии тиристор имеет малое сопротивление и ток в цепи определяется сопротивлением нагрузки.
Это соответствует замкнутому электромеханическому контакту
--
5.2 Устройство тиристора p-n- переходы
П3 П2 |
П1 |
|
Катод |
|
Анод |
n2 p 2 |
n1 |
p1 |
УЭ1 |
УЭ2 |
|
Управляющие |
Iа |
электроды |
|
|
ЕП |
Rн |
– |
+ |
|
Контакт к внешнему p-слою называют анодом, а к внешнему n-слою - катодом.
Внутренние области р- и n-типа называют базами.
Выводы от баз образуют управляющие электроды
УЭ1 и УЭ2.
Рассмотрим физические процессы в тиристоре, для чего представим его в виде двух биполярных
транзисторов
Анод +
p |
VT1 |
|
Iа |
Анод |
|
|
|
|
|
|
n |
|
VT2 |
|
VT1 |
|
|
n |
|
|
Iб1=I к2 |
|
p |
П2 |
|
|
|
|
p |
|
|
|
|
|
|
α2 |
|
|
|
|
|
|
П3 |
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
VT2 |
|
|
|
|
|
|
Катод - |
|
Iк1 |
= Iб2 |
Iк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Катод
На физические процессы в тиристоре основное влияние оказывают два фактора:
-зависимость коэффициента передачи по току от тока эмиттера,
-лавинное умножение носителей в обеднѐнном слое коллекторного перехода, обусловленное наличием положительной обратной связи.
5.3 Динистор
При положительном напряжении на аноде крайние переходы П1 и П3 будут смещены в прямом направлении, а центральный переход П2 - в обратном. Поэтому ток динистора будет малым (Ia ≈ 0) он обусловлен обратным током коллекторного перехода.
Этот переход является коллектором для обоих транзисторов.
Через переход П1 будет протекать ток инжекции дырок и электронов I1 = I1p + I1n, через переход П3 ток I3 = I3p + I3n.
динистор
Через коллекторный переход П2 потечет ток, обусловленный дырочной и электронной составляющими.
I2p = I1· 1, I2n = I3· 2, a также обратный ток коллектора
IК0 = IК0р + IК0n
Общий ток I2 = I1· 1 + I3· 2 +IК0.