2 курс 1 часть / электроника / лекции / Электроника УрТИСИ +

Параметры транзистора

α- статический коэффициент передачи тока эмиттера,

В- статический коэффициент передачи тока базы,

					В =		α	α =	В
									В + 1
		∆Uбэ					1 ─ α
rдиф =						- дифференциальное сопротивление
		∆Iб
						цепи базы,
*	∆Uк			- дифференциальное сопротивление цепи
	∆Iк
rк =					коллектора для схемы включения ОЭ,

261

Параметры транзистора

Iкэо- сквозной ток транзистора в схеме ОЭ,

Мощность рассеяния Рк =Uк·Iк < Рк.доп

Рк.доп – допустимая мощность рассеяния коллекторной цепи.

Эта мощность выделяется в виде тепла.

262

Биполярные транзисторы

Литература

1. Миловзоров О.В., Электроника: Учебник для вузов. /О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. М.: Высшая школа, 2004.

263

3.5 Инерционные свойства транзисторов

При быстром изменении сигнала начинают проявляться инерционные свойства транзисторов.

Причины:

-конечная и различная скорость (энергия) носителей зарядов,

-конечная толщина базы,

-процессы насыщения и рекомбинации. Эти причины ограничивают частотные

свойства транзисторов.

264

Подадим во входную цепь транзистора – цепь базы скачок тока ∆Iб. Из-за указанных причин ток коллектора начнет возрастать не сразу, а с некоторой задержкой.

Нарастание тока коллектора происходит по экспоненциальному закону, который характеризуется постоянной времени

τ (читается тау).

265

Нарастание тока коллектора происходит в течение времени tф.

Iб	∆IК = В·∆Iб
	∆Iб		t
Iк

	0,63∆Iк		0,9·∆Iк ∆IК=В∆Iб
			τ
			tф
		з
		t

tф - время, в течение которого экспонента нарастает до уровня 0,9·∆Iк называется время фронта.

Появление затягивания фронта свидетельствует о том, что коэффициенты α и В зависят от времени (частоты).

Эту зависимость характеризуют постоянной времени коэффициента В τв.

В(ω)

В/√2

В=1

ωгр		ω
	ω1	267

Для RC – цепи			τ =
	R
		С					UВЫХ
UВХ						UВЫХ	К = U
								ВХ

К(ω)

3 Дб

Кmax/√2

ω

ωгр

267

Частотные параметры транзисторов:

- граничная частота ƒГР (ωгр) – частота, на которой коэффициент В уменьшается в √ 2 раз. - частота единичного усиления |В(jω)| = 1.

	τВ = 1/ωВ =	1		ω ≈ Во/τ
		2πƒ			В
				ГР
	ω – круговая частота,			ω = 2πƒ

268

3.6 Шумы транзистора

При работе транзистора возникают шумы. Шум – хаотическое изменение тока коллектора под действием внутренних и внешних факторов.

Шумы обусловлены:

-дробовый шум - дискретность носителей зарядов,

-тепловой шум,

-поверхностные явления у p-n-переходов,

-рекомбинационные шумы.

269