Шумы транзистора
Величину шума оценивают коэффициентом шума КШ.
КШ = UШ/UШ0 или Кш[дБ] = 10lg Кш
UШ – напряжение, которое необходимо подвести во входную цепь «нешумящего» транзистора для получения в выходной цепи напряжения, равного напряжению шумов.
Uшо – напряжение тепловых шумов источника сигнала, подключенного ко входу транзистора.
Шумы ограничивают минимальное значение входных сигналов.
3.7 Влияние изменения температуры на ВАХ
Токи в транзисторе сильно зависят от изменения температуры.
- Ток Iкэо удваивается при изменении температуры на каждые 8 -10 градусов.
-Коэффициент В увеличивается при повышении температуры с темпом 3% на градус.
-На входной ВАХ ТКН = - 2 мВ/ºС.
-Указанные факторы приводят к увеличению тока коллектора с повышением температуры.
Поэтому коллекторные ВАХ смещаются в область больших токов коллектора.
|
|
|
|
Влияние температуры |
|
|
IК |
|
|
|
|
Iб μА t=60 oC |
|
|
Iб |
60 ºС |
|
Iк.доп |
|
″ |
|
|
|
|
|
Uкэ > 0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб2 |
|
20 oC |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
″ |
20ºС |
|
|
|
|
|
|
Iб |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб′ |
Iб1 |
|
|
|
|
|
|
Iб = 0 |
|
|
|
|
|
|
Uкэ |
|
|
Uбэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iкэо |
|
Iкб0 |
|
|
|
|
|
|
|
Если зафиксирован ток базы, то напряжение Uбэ с повышением температуры уменьшается.
Если зафиксировано напряжение Uбэ, то увеличивается ток базы с повышением температуры.
3.8Предельные режимы работы транзистора
1.По температуре. Для Si – 100 – 120 ºC. Для приборов на основе GaAs рабочая температура может достигать 200 ºС.
2.По току Iк.доп возможен перегрев.
3.По напряжению Uкэ.доп возможен пробой.
4.По рассеиваемой мощности РК = IК·UК ≤ Рк.доп.
5.Рабочая область.
6.Н – область насыщения.
7.О – область отсечки коллекторного тока.
8.| B(j·ω)| = 1.
3.9Классификация и система обозначений
Воснову системы положен буквенно-цифровой код.
1-й элемент:
Гили 1 – германий,
К или 2 – кремний или его соединения, А или 3 – соединения галлия, И или 4 – соединения индия.
Буквенные символы присваиваются приборам общего применения.
Числовые - приборам специального применения.
Классификация и система обозначений
В основу системы положен буквенно-цифровой код.
2-й элемент:
Т – подкласс прибора – транзистор биполярный.
Классификация и система обозначений
3-й элемент классификации - мощность рассеяния и граничная частота.
|
|
|
граничная частота мГц |
|
|
|
|
Мощность Вт |
до 3 |
до 30 |
> 30 |
до 300 |
> 300 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Малая < 0.3 |
101-199 |
201-299 |
301-399 |
|
|
|
|
|
Средняя < 1.5 |
401-499 |
501-599 |
601-699 |
|
|
|
|
|
Большая > 1.5 |
701-799 |
801-899 |
901-999 |
|
|
|
|
|
|
|
До 1 Вт |
|
1 |
|
2 |
4 |
|
|
|
|
|
Больше 1 Вт |
|
7 |
|
8 |
9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Классификация и система обозначений
4-й элемент – классификационный литер – буква.
Дополнительные знаки:
С – сборки транзисторов в одном корпусе, Цифра – бескорпусные транзисторы.
|
|
|
Классификация и система обозначений |
|
|
|
2 Т 3 01 А |
Кремниевый |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Разновидность в серии |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Транзистор |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Номер разработки в серии |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
биполярный |
|
|
|
|
|
|
|
Мощность Рк < 0,3 Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
высокочастотный |
300 – серия.
КТ3102А - граничная частота до 300 мГц.
