Результаты расчетов параметров полупроводника

t,^оС	T, К	1/Т, К^-1	R, кОм	lnR	опыт, % /град.	расчет, % /град.
50	323	3,096
45	318	3,145
40	313	3,195
35	308	3,247
30	303	3,300
25	298	3,356
20	293	3,413