- •Лекция 1 Задачи курса
- •Элементы физики полупроводников
- •P-n переход, структура, работа.
- •Лекция 2 Статические характеристики диодов
- •Лекция 3 Динамические параметры p-n перехода
- •Полупроводниковые диоды.
- •Выпрямительные диоды.
- •Стабилитроны и стабисторы.
- •Светодиоды.
- •Фотодиоды.
- •Туннельные диоды.
- •Варикапы.
- •Лекция 4 Транзисторы.
- •Биполярные транзисторы.
- •Основные схемы включения транзистора.
- •Работа биполярного транзистора.
- •Лекция 5 Характеристики биполярных транзисторов.
- •Статические характеристики.
- •Модель биполярного транзистора Эберса - Молла.
- •Частотные свойства биполярных транзисторов.
- •Составные транзисторы.
- •Лекция 6 Униполярные (полевые) транзисторы.
- •Основные структуры полевых транзисторов.
- •Транзистор с изоляцией канала от затвора обратносмещенным p-n переходом.
- •Транзисторы структуры металл - диэлектрик - полупроводник (мдп).
- •Статические характеристики полевых транзисторов.
- •Лекция 7 Частотные свойства полевых транзисторов.
- •Некоторые особенности использования полевых транзисторов.
- •Тиристоры.
- •Лекция 8
- •2. Полупроводниковые устройства.
- •2.1. Усилительные устройства.
- •2.1.1. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с заземленным эмиттером.
- •Лекция 9
- •2.1.2. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с отрицательной обратной связью по току.
- •2.1. 3. Эмиттерный повторитель.
- •2.1.4. Дифференциальный усилитель.
- •2.2. Полупроводниковые источники стабильного тока.
- •Лекция 10
- •2.3. Обратная связь в усилителях сигналов.
- •2.3.1. Влияние обратной связи на свойства усилителя.
- •2.3.2. Разновидности обратной связи.
- •2 Рис. 74. Параллельная обратная связь..4. Частотные свойства усилителей.
- •Лекция 11
- •2.5. Операционный усилитель (оу).
- •2.5.1. Принципиальная схема, состав, функциональное назначение.
- •2.5.2. Основные параметры операционного усилителя.
- •2.5.3. Основные включения операционного усилителя.
- •Решающие элементы аналоговых вычислительных машин (авм).
- •Сумматор.
- •2.5.4.2.Интегратор.
- •Дифференциатор.
- •Решение дифференциальных уравнений.
- •Триггер Шмитта.
- •Лекция 12
- •3. Источники питания электронной аппаратуры.
- •3.1. Структурные схемы источников питания.
- •3.2. Выпрямители.
- •3.2.1. Однополупериодный выпрямитель.
- •3.2.2. Двухполупериодный выпрямитель.
- •3.2.3. Мостовой выпрямитель.
- •3.2.4. Выпрямители с умножением напряжения.
- •3.3. Фильтры.
- •Лекция 13
- •3.4. Стабилизаторы напряжения.
- •3.4.1. Компенсационные стабилизаторы.
- •3.4.2. Импульсный стабилизатор.
- •3.4.3. Источник питания с преобразованием частоты.
- •Лекция 14
- •4 Импульсная техника.
- •4.1 Импульсный сигнал, его характеристики.
- •4.2 Формирователи импульсных сигналов.
- •Лекция 15
- •4.3 Ключ на биполярном транзисторе.
- •Лекция 16
- •4.4 Процессы переключения ключа на биполярном транзисторе.
- •Лекция 17
- •4.5 Транзисторные ключи на полевых транзисторах.
- •4.6 Генератор импульсной последовательности (мультивибратор).
- •4.7 Триггер на биполярных транзисторах.
Лекция 7 Частотные свойства полевых транзисторов.
Анализируя схему замещения (рис.41) можно определить какие физические параметры полевого транзистора определяют его частотные свойства. В отличие от биполярных транзисторов в полевых транзисторах не происходит накопление заряда, который бы определял частотные свойства. Однако, как видно по схеме замещения имеются паразитные конденсаторы Сзии Сзс,и заряд этих конденсаторов будет влиять на частотные свойства полевого транзистора. Конденсатор Сзивместе с резисторамиrзиrиобразуют интегрирующую цепь с постоянной времени τз=(rз+rи)Сзи, Таким образом, АЧХ полевого транзистора на частоте ωз= 1/τзбудет иметь полюс, т. е. на этой частоте АЧХ будет иметь перегиб с наклоном -20 дБ/дек. Но не только паразитные емкости определяют частотные свойства рассматриваемых транзисторов. Так важнейший параметр крутизна –STявляется зависимой от частоты. В первом приближении можно записать в операторной форме
где: S– значение крутизны на постоянном токе, τS= 1/ωS– постоянная времени.
Однако современные топологии, конструкции и технологии позволяют получить транзисторы, работающие не только в мегагерцовом но и в гигагерцевом диапазоне частот.
Некоторые особенности использования полевых транзисторов.
Полевые транзисторы, как и биполярные обычно используют в качестве усилителей напряжения или в качестве ключей.
Рассмотрим построение усилительных каскадов на полевых транзисторах, на рисунке 45 показано включение полевого транзистора в качестве усилителя напряжения. На схеме имеются: транзистор VT, источник сигналаUсиг, сопротивление в цепи стокаRс.
Для того чтобы пояснения носили предметный характер будем использовать транзистор MPF3815, характеристики которого приведены на рисунках 42 и 43.
Анализируя переходную характеристику, приходим к выводу, что для получения минимальных искажений нужно выбрать начальное напряжение на затворе –1В.
Начальное напряжение – напряжение постоянного тока, имеющееся на электроде при отсутствии сигнала.
При этом от источника сигнала можно подавать сигнал амплитудой около 0,5В.
Е
Рис.45. Усилительный каскад на
полевом транзисторе.
Сущность метода состоит в том, что к графику переходной характеристики достраивается график входного сигнала и далее совместный анализ позволяет выполнить построение графика тока стока.
Внижней части рисунка показан график входного сигнала таким образом, что нулевая линия, соответствующая оси времени, расположена на уровне начального напряжения на затвореUзн = -1В. Амплитуда входного сигнала выбрана 0,5В, и это приводит к тому, что входное напряжение равное напряжению на затворе изменяется диапазоне -1,5-0,5В. Восстановив из точек изменения напряжения на затворе перпендикуляры до пересечения с переходной характеристикой, получаем диапазон изменения тока стока 0,641,22 мА. С учетом полученных значений в правой части показан график изменения тока стока во времени. Учитывая, что напряжение на стоке (оно же выходное напряжение) определяется выражениемUс =Uп –Iс*Rс, определимUсмин4,2В иUсмак8,2В.
Определяя коэффициент усиления каскада как Ку = dUвых/dUвх и переходя к конечным приращениям и осуществляя замену переменных, получаем Ку =Uс/Uз = 4/1=4.
Т
Рис.
46. Графоаналитический метод расчета
усилительного каскада на полевом
транзисторе.
Однако возникает вопрос, будет ли работать устройство, схема которого приведена на рис. 45.
Приведенный анализ выполнен исходя из условия наличия начального напряжения на затворе –1В. Однако схемотехнически это не решено. Для получения работоспособной схемы имеется несколько вариантов решения. Первый состоит в том, что между источником сигнала и затвором транзистора включается источник напряжения, имеющий величину равную Uзн. Этот вариант, в принципе, самый лучший (с точки зрения получения требуемых характеристик усилителя), но и самый неудобный, так как он требует наличия источников на самые разные напряжения, и не имеющих гальванической связи с источником питания.
Второй вариант состоит в том, что в цепь истока нужно включить резистор. Начальный ток стока (равный начальному току истока) проходя по этому резистору, создаст на нем падение напряжения равное по величинеUзн. Полярность этого напряжения: + на истоке транзистора и – на общем проводе. Для подачи отрицательного напряжения на затвор относительно истока необходимо между затвором и общим проводом включить резистор, причем величина этого резистора может быть достаточно большой, так как ток затвора практически равен нулю. Рассмотренное схемотехническое решение показано на рис. 47.
Сопротивление в цепи истока определяется выражением Rи =Uзн/Iсн. Сопротивление в цепи затвораRз может быть равным 1 мегом. Конденсатор Свх предназначен для развязки по постоянному току источника сигнала и цепь задания начального состояния транзистора.
Если не устанавливать конденсатор, шунтирующий Rи, то в схему вводится отрицательная обратная связь по току, что приводит к снижению коэффициента усиления.
К
Рис.
47. Усилительный каскад на полевом
транзисторе с p-nпереходом.
Рассмотренный пример позволяет сделать вывод, что полевые транзисторы, как и биполярные могут быть использованы в качестве усилителей напряжения самых различных схемотехнических конфигураций.
Д
Рис.
48. Переходная характеристика полевого
транзистора структуры МДП с индуцированным
каналом.
Н
Рис. 49. Ключ на МОП
транзисторе