Ход работы

1. Собрать схему установки, используя источник 0÷7 В; М1 – мультиметр в режиме вольтметра; М2 – мультиметр в режиме миллиамперметра (mA) – для прямого включения диода, и в режиме микроамперметра (μА) – для обратного.

2. Регулируя, подаваемое с источника напряжение, записать показания амперметра и вольтметра в таблицу (для прямого и обратного подключений диода). Необходимо сделать не менее 10 замеров.

3. Построить графики зависимостей I(U) для прямого и обратного включений.

Переход от прямого подключения диода к обратному (или наоборот) можно осуществить, поменяв полярность подключения источника.

Таблица

Прямой ток		Обратный ток
U, В	I, mА	U, В	I, μА

Контрольные вопросы

1. Ход работы.

2. Какие кристаллы называются полупроводниками (собственными, примесными)? Объяснить различие между донорными и акцепторными примесями.

3. Что такое полупроводники p- и n- типа (объяснить механизм их образования)?

4. Как устроен полупроводниковый диод? Как зависит сопротивление диода от полярности приложенного напряжения?

5. В чем особенность p-n перехода? Прямое подключение диода.

6. Почему вольтамперная характеристика диода не линейна?

Литература

1. Детлаф А.А., Яворский Б.М., Милковская Л.Б. Курс общей физики, М.: Высшая школа, 1989. т. 2 гл. XII, § 13.2 – 13.7

2. Савельев И. В. Курс общей физики, М.: Наука, 1987. ч. 2 § 72, 78.

3. Зисман Г.А., Тодес О.М. Курс общей физики. М.: Наука, 1974. II часть. гл.VI § 28.

Содержание

1. Лабораторная работа № 0. «Вводное занятие по курсу общей физики.

Разделы электричество и магнетизм»……………………………………………..4

2. Лабораторная работа № 1. «Определение эквипотенциальных поверхностей

и линий напряженности электростатического поля»…………………………..14

3. Лабораторная работа № 2. «Измерение неизвестных емкостей при

помощи баллистического гальванометра»………………………………………29

4. Лабораторная работа № 3. «Измерение электрического сопротивления

методом мостовой схемы»………………………………………………………..39

5. Лабораторная работа № 4. «Изучение влияния сопротивления нагрузки

на напряжение, мощность, КПД источников тока»……………………………46

6. Лабораторная работа № 5. «Зависимость сопротивление материалов

от температуры»…………………………………………………………………..58

7. Лабораторная работа № 6. «Калибровка термопары и измерение удельное

ЭДС»………………………………………………………………………………64

8. Лабораторная работа № 7. «Измерение локальной напряженности

магнитного поля»…………………………………………………………………71

9. Лабораторная работа № 8. «Измерение удельного заряда электрона и

изучение силы Лоренца»……………………………………………………… ...76

10. Лабораторная работа № 9. «Изучение работы полупроводникового

диода»……………………………………………………………………………...83

2